В этой подборке акцент сделан на информации состояния производства микроэлектроники в России по материалам открытой печати.
Зарубеж
0.032 мкн (32 нм) - в январе 2010 года объявлено, что эта технология становится стандартом Intel при производстве микроэлектронных компонентов. На базе новой технологии будут, в частности, изготавливаться чипы со встроенными графическими решениями, поддерживающими видео высокой четкости (HD video).
0.045-0.065 мкн (45-65 нм) - технология, которой по состоянию на конец 2007 года в мире владеют ST Microelectronics, IBM, Samsung, TSMC (2 завода GigaFAB 12", 4 завода 8", 1 завод 6". TSMC первой перешла на 65 нм), Intel, AMD, Texas Instruments. Источник
45 нм продукцию на базе 300 мм подложек выпускают фабрики Intel D1D (Орегон, США), Fab 32 (Чэндлер, Аризона, США). В 2008 году будут запущены еще две 300 мм фабрики (Fab11X и Fab28). Примерная минимальная стоимость фабрики $2.5 млрд. Intel представил уже 32 45-нм процессора для сереров и ноутбуков по состоянию на 2008.01.
0.032 мкн (32 нм) - в 2007 году Intel представила первую функциональную микросхему статической памяти емкостью 291 Мб, изготовленную по 32-нм технологическому процессу на транзисторах с металлическим затвором и диэлектриком high-k, содержащую более 1.9 млрд транзисторов. Вывод на рынок устройств на базе 32 нм техпроцесса планируется в 2009 году. Источник
В мае 2008 года Intel, Samsung Electronics и TSMC объявили о планах общеотраслевого перехода, начиная с 2012 года, на подложки диаметром 450 мм, что, как ожидается, позволить сохранить "приемлемые расходы" на создание интегральных микросхем в будущем и снизить загрязнение окружающей среды в процессе производства микроэлектроники. Переход отрасли на 300-мм подложки произошел в 2001 году, ранее, в 1991 году был осуществлен переход на 200-мм подложки. 2008.05.05. Источник
Россия
2010.03 Ситроникс", "Роснанотех" и STMicroelectronics подписали соглашение о передаче технологии производства чипов с топологическими нормами 90 нм. На базе этой технологии создается производство на базе ОАО "НИИМЭ и Микрон".
"Ситроникс" получит лицензию на производство и продажу продукции по технологии 90 нм, а также доступ к правила проектирования, которые смогут использовать разработчики "Микрона" и другие компании на условиях контрактного произодства. Специалисты "Микрона" пройдут соответствующее обучение. STMicroelectronics также выдаст ОАО "Ситроникс" рекомендации по развитию инфраструктуры "Микрона" и требования к сверхчистым материалам".
В проект закачают 16.5 млрд рублей. Инвестором со стороны государства выступает ГК "Роснанотех". На базе этой не слишком новой технологии планируют отечественные разработки в области ГЛОНАСС/GPS, автомобильной электроники, смарт-карт, оборудования цифрового ТВ. >>
В России выпускаются в основном микросхемы по технологии 0.8 мкн. В конце 2007 года о переходе на технологию 0.18 мкм заявляет "Микрон". Источник
Современные микропроцессоры западных производителей используют технологии 0.090 мкн и 0.065 мкн. До 90% российского рынка микроэлектронных компонентов - импорт. Источник
Недавно правительство утвердило программу развития отечественной электронной компонентной базы: до 2015 г. отрасль получит 187 млрд руб., из них 110 млрд руб. — из средств федерального бюджета. Разработчики ФЦП планируют: изготовление микросхем в 0,13 мкн будет налажено в 2009-2010 гг.; 0,1-0,09 мкн — в 2011 г., 0,045 мкн — в 2015 г., а объем выпуска радиоэлектроники в 2015 г. вырастет в шесть раз по сравнению с 2007 г. до 300 млрд руб. Источник
Производители:
"НИИМЭи Микрон" (контролируется "Ситроникс"). Используются 0.18 мкн технологии ST Microelectronics. Планы выпуска до 18.000 пластин в год. Инвестиции - $200 млн. Гендиректор - Геннадий Красников. Как ожидается, в 2008 году "Микрон" заработает 250 млн рублей на поставках бесконтактных проездных билетов. «Ситроникс» вчера пообещал, что «перейдет на производство интегральных схем с топологическим размером 0,13 мкн в 2008 г., а еще год спустя — на 0,09 мкн. Одновременно компания ведет переговоры с государством о создании СП для производства микросхем в 0,065 мкн, стоимость которого компания ранее определила в $2,3 млрд. Источник. Почти половину суммы, 26.9 млрд рублей, будет предоставлена государством из инвестиционного фонда РФ, для строительства будет создана компания с долей "Ситроникс" в 51% и долей государства - 49%. Проект рассчитан на 2 года. Источник
«Ангстрем-Т», Зеленоград. Гендиректор Анатолий Сухопаров в сентябре 2007 года говорил о том, что компания внедряет технологию 0,13 мкн и договорилась закупить у AMD оборудование на $462 млн. Источник. В апреле 2008 года закупка стала возможной после получения кредита от ВЭБ. Источник
