Микроэлектроника: Черепаха и Ахиллес. Технология 90 нм доползла до российских широт

MForum.ru

Микроэлектроника: Черепаха и Ахиллес. Технология 90 нм доползла до российских широт

15.03.2010, MForum.ru

"Ситроникс", "Роснанотех" и STMicroelectronics подписали соглашение о передаче технологии производства чипов с топологическими нормами 90 нм. На базе этой технологии создается производство на базе ОАО "НИИМЭ и Микрон".


"Ситроникс" получит лицензию на производство и продажу продукции по технологии 90 нм, а также доступ к правила проектирования, которые смогут использовать разработчики "Микрона" и другие компании на условиях контрактного произодства. Специалисты "Микрона" пройдут соответствующее обучение. STMicroelectronics также выдаст ОАО "Ситроникс" рекомендации по развитию инфраструктуры "Микрона" и требования к сверхчистым материалам".

В проект закачают 16.5 млрд рублей. Инвестором со стороны государства выступает ГК "Роснанотех". На базе этой не слишком новой технологии планируют отечественные разработки в области ГЛОНАСС/GPS, автомобильной электроники, смарт-карт, оборудования цифрового ТВ.

А что, тем временем, делается за границами?

В январе 2010 года объявлено, что технология 32 нм становится стандартом Intel при производстве микроэлектронных компонентов. На базе новой технологии будут, в частности, изготавливаться чипы со встроенными графическими решениями, поддерживающими видео высокой четкости (HD video). Еще в 2007 году Intel представила первую функциональную микросхему статической памяти, изготовленную по 32-нм технологическому процессу на транзисторах с металлическим затвором и диэлектриком high-k, содержащую более 1.9 млрд транзисторов.

45-65 нм - технология, которой по состоянию на конец 2007 года в мире владеют ST Microelectronics, IBM, Samsung, TSMC (2 завода GigaFAB 12", 4 завода 8", 1 завод 6". TSMC первой перешла на 65 нм), Intel, AMD, Texas Instruments. 45 нм продукцию на базе 300 мм подложек выпускают фабрики Intel D1D (Орегон, США), Fab 32 (Чэндлер, Аризона, США). В 2008 году запущены еще две 300 мм фабрики (Fab11X и Fab28). Примерная минимальная стоимость фабрики $2.5 млрд. Intel представил уже 32 45-нм процессора для сереров и ноутбуков по состоянию на 2008.01.

© MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%

15.03. Китайская Lisuan выпустила 6-нм игровой GPU - конкурент RTX 4060 с полностью самостоятельной архитектурой

15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

13.03. В ГК Элемент сменится руководство

13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году

13.03. Третий по величине китайский производитель микросхем Nexchip повысит цены на 10% с июня, вслед за SMIC и Hua Hong

13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли

11.03. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

15.03.2010 14:48 От: Датсун

СИТРОНИКС подписал соглашение о передаче технологии производства микросхем с нормами 90 Нм

Москва – 15 марта 2010 года, пресс-релиз, через MForum.ru - ОАО «СИТРОНИКС», ГК «Роснанотех» и компания STMicroelectronics подписали трехстороннее соглашение о передаче технологии производства интегральных схем с топологическими нормами 90 нм. Трансферт технологии стал ключевым этапом совместного проекта «СИТРОНИКС» и РОСНАНО по созданию производственной линейки 90 нм на базе ОАО «НИИМЭ и Микрон», а также новым шагом в развитии сотрудничества «СИТРОНИКС» со стратегическими международными партнерами.

В результате трансферта технологии «СИТРОНИКС» получит лицензию на производство и продажу продукции по технологии 90 нм, а также доступ к правилам проектирования. Данные правила проектирования будут использоваться разработчиками «Микрона» или сторонними разработчиками в режиме контрактного производства. В соответствии с соглашением, специалисты завода «Микрон» пройдут обучение проектированию интегральных схем по технологии 90 нм и ряд других учебных курсов. STMicroelectronics также передаст ОАО «СИТРОНИКС» рекомендации по развитию инфраструктуры «Микрона» и требования к сверхчистым материалам, используемым в процессе производства. ОАО «НИИМЭ и Микрон», головное предприятие бизнес-направления «СИТРОНИКС Микроэлектроника», успешно сотрудничает с STMicroelectronics с 2006 года, когда было подписано соглашение о передаче технологии 180 нм EEPROM. В настоящий момент эта технология освоена, ведется производство продукции.

Вице-президент STMicroelectronics по EMEA Жан-Марк Шомон сказал: «Сотрудничество с «СИТРОНИКС» стало для STMicroeletronics одним из ключевых направлений деятельности в России. Мы высоко оцениваем как надежность нашего партнера, так и потенциал российского рынка и видим все предпосылки для успешной реализации нового проекта».

Проект создания фабрики 90 нм построен на принципах частно-государственного партнерства. Инвестором со стороны государства выступает ГК «Роснанотех». Общий объем финансирования проекта составляет 16,5 млрд рублей.

Управляющий директор «Роснано» Дионис Гордин отметил: «Фабрика 90 нм на «Микроне» - это самый масштабный и передовой инвестиционный проект «Роснано» в микро- и наноэлектронике. Мы рассчитываем на эффект синергии: наличие собственной производственной базы наноэлектроники станет системообразующим фактором, который даст толчок для развития целого ряда смежных сегментов отечественной электроники и других высокотехнологичных отраслей».
Генеральный директор ОАО «НИИМЭ и Микрон» Геннадий Красников подчеркнул: «Передачу технологии можно считать стартом нового перспективного проекта. Многое дал опыт работы над строительством фабрики 180 нм. Мы получили уникальные активы: создана инфраструктура, налажены связи с производителями оборудования, поставщиками материалов, разработчиками и потребителями конечной продукции, и самое главное — выращены квалифицированные кадры, готовые применить свой опыт в новом проекте».

Благодаря новому производству «СИТРОНИКС Микроэлектроника» расширит свою продуктовую линейку, российские дизайн-центры получат возможность производства своих разработок на территории России по технологии 90 нм. Продукция, которая будет выпускаться по этой технологии, нацелена на такие рынки, как цифровое телевидение, ГЛОНАСС/GPS навигация, системы автоматизации производства, автомобильная электроника и смарт-карты с высокой степенью защиты.


Новое сообщение:
Complete in 4 ms, lookup=0 ms, find=4 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

01.04. МТС испытала «летающую базовую станцию» на аэростате в Саратовской области

01.04. Российской частной спутниковой связи выделили частоты - для тестов

25.03. SK Hynix разместила у ASML крупнейший публичный заказ на EUV-оборудование на $8 млрд

25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах

25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг

24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL

24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей

24.03. Кризис расползается по цепочке поставок

24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%

24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile

24.03. Практика российских бигтехов – только 7-10% пилотных ИИ-проектов 2025 года дошли до полноценного внедрения

24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440

23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03. Samsung Electronics вложит рекордные 110 трлн вон

Все статьи >>


Новости

03.04. Honor Play 80 Pro – 7000 мАч и IP65, но экран 60 Гц и Android 15

03.04. Первые тизеры раскрывают ультратонкий дизайн Honor 600 Series

03.04. Honor X80i – первый смартфон на Dimensity 6500 и АКБ 7000 мАч

02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч

02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране

02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5

01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2

01.04. Утечка раскрывает характеристики HMD Crest 2 Pro

31.03. Vivo X300 Ultra – 200 МП телевик с гиростабилизацией и почти дюймовый 35-мм модуль

31.03. Vivo X300s – 200 МП основная камера, АКБ 7100 мАч и цена от 720 долларов

31.03. Бюджетный Realme Narzo 100 Lite получит 3 конфигурации памяти

30.03. Все iPhone 18 получат уменьшенный Dynamic Island, но рамки останутся прежними

30.03. OnePlus Nord CE6 Lite получит Dimensity 6300, батарея 7000 мАч и цену до 23 000 рупий

27.03. Представлены iQOO Z11 и Z11x – 9050 мАч, 165 Гц и IP69 за 290 долларов

27.03. iPad (2026) получит чисет A18, 8 ГБ RAM и тот же дизайн

26.03. Vivo X300s – 200 МП, перископ, батарея 7100 мАч и защита IP69

26.03. Представлены Samsung Galaxy A57 и A37 с IP68, Exynos 1680 и прежними камерами

25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц

25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч

25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки