Новый тип памяти получил название "программируемая металлизованная ячейка памяти" (programmable-metallization-cell memory, PMC) или нано-ионная память (nano-ionic memory). Ее образцы разрабатываются в Университете штата Аризона, а также такими компаниями, как Sony и IBM. Новое поколение экспериментальных технологий призвано заменить флеш-память устройств портативной электроники (в том числе и мобильных телефонов), а также DRAM память персональных компьютеров. Правда, первые образцы нано-ионной памяти были слишком медленными для практического применения. Сегодняшние версии этого продукта по быстродействию значительно превосходят флеш-память, а некоторые - даже DRAM.

Новые образцы памяти также просты в изготовлении – для их производства требуются те же материалы, что и для других микропроцессоров. Кроме того, они легко сочетаются с уже существующими технологиями. В новых образцах памяти информация "запоминается" путем перестройки атомов в стабильную и потенциально экстремально маленькую ячейку памяти. Более того, каждая такая ячейка способна сохранять не один бит информации, а сами ячейки можно выстраивать друг над другом для увеличения плотности размещения информации в запоминающем устройстве – серьезная конкуренция жестким дискам.

Каждая ячейка памяти состоит из жидкого электролита, размещенного между двумя металлическими электродами. Сам электролит представляет собой стеклообразное вещество, содержащее ионы металла. В обычном состоянии электролит препятствует потоку электронов. Но при подаче напряжения на электроды, электроны взаимодействуют с ионами металла и формируют металлические атомы, которые группируются вместе. Эти атомы формируют волокна, по размерам не превосходящие обычный вирус, которые создают "мостики" между электродами, обеспечивая пути для прохождения электрических зарядов. А приложение обратного напряжения разрывает эти связи. Таким образом, состояния с высоким и низким сопротивлением используют для представления нулей и единиц. Подобные состояния довольно устойчивы, поэтому нано-ионная память не нуждается в большом энергопотреблении для хранения информации – только для ее чтения или записи.

Итак – напоминаем: первые образцы портативных устройств на основе высокоемкой нано-ионной памяти следует ожидать в последующие 1,5 года.