Среди создателей усилителей мощности велик спрос на мощные полупроводниковые устройства. Это упрощает проектирование и сборку устройств, снижает размеры конечных устройств. В компании Qorvo разработали транзистор QPD1025 мощностью 1.8 кВт по технологическому процессу GaN on SiC - нитрид галлия на подложке из карбида кремния, который предназначен для L-Band (1ГГц - 2 ГГц), что позволит использовать его в различных решениях в авиации.

Рабочие частоты транзистора - от 1,0 до 1.1 ГГц, это двухканальное устройство. При подаче на него напряжения до 65 В, на каждом выходе можно получить мощность до 900 Вт на частоте 1 ГГц (объединенная мощность - 1.8 кВт). В настоящее время, это самый мощный из известных транзисторов из нитрида галлия на рынке. Линейный коэффициент усиления - 21 дБ, пиковая эффективность - 77%. Подробнее.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +