Пока что глобальный рынок DRAM остается достаточно надежным, но планы американской Micron Technology и китайских Fujian Jin Hua Integrated Circuit и Innotron Memory (ранее Hefel ChangXin) по расширению производства могут привести к кризису перепроизводства чипов памяти уже в 2019 году, считают некоторые представители отрасли.

Такие компании, как Samsung Electronics и SK Hynix будут вынуждены менять свои стратегии, которые в настоящее время ориентированы на максимизацию прибыли, поскольку бум, который царил на рынке памяти в последние 2-3 года, похоже заверишится к концу 2018 года.

Хотя и Samsung и SK Hynix продолжают наращивать свои производственные мощности, задействованные под выпуск микросхем памяти, можно говорить о том, что на фоне гиперактивности перечисленных выше конкурентов, бизнес крупнейших производителей памяти стагнирует. С момента, когда в 3q2016 в Samsung достигли доли мирового рынка производства памяти в 50.2%, компания только теряет вес в сегменте, на фоне того, что конкуренты, начиная с Micron, наращивают свои доли рынка и доходы от реализации.

В частности, в Micron добились повышения операционной маржи до 50% в 1q2018, что существенно больше, чем 20% на конец 2016 года. По итогам 1q2018 доля рынкa Samsung сократилась до 44.4%, тогда как доля Micron выросла до 23,1% по оценкам IHS Markit.

Мировой рынок DRAM, как ожидается, достигнет своего пика в $104 млрд в 2018 году, а затем начнет сжиматься - на 1.8% в 2019 году и на 2.6% в 2020 году. Различные приложения для транспортных средств постепенно будут замещать в структуре доходов поступления от индустрии производства смартфонов. Возможно производители транспортных средств постепенно станут крупнейшими потребителями микросхем памяти.

В Micron готовятся расширить производство DRAM-чипов по технологии 10 нм на фабриках в Тайване в период 2018-2019.

В частности, фаб Micron в Taoyuan, в северной части Тайваня, планирует приступить к производству чипов 1X нм во второй половине 2018 года, а затем перейдет на процесс 1Y нм ближе к концу году, как ранее сообщал Digitimes.

Кроме того фаб Micron в Taichung, в центральной части Тайваня, начал подготовку к переходу на новый процесс 1Z нм, который должен быть готов к 2019 году. К тому времени фабрика будет массово производить также продукты 1X нм.

В Китае завод Jin Hua, работающий с пластинами 300 мм, намеревается начать пробное производство чипов DRAM по технологии 20 нм или 30 нм в сентябре 2018 года. Недавний запрет Китая на продажи в стране продукции Micron, может оказать заметное влияние на развитие отрасли.

Innotron уже представил инженерные сэмплы памяти DDR4 8 Гб, выполненные по процессу 19 нм. Массовое производство этих чипов может начаться в первой половине 2019 года.

Отвечая на действия конкурентов, в Samsung планируют запуск массового производства чипов LPDDR 5 по процессу 10 нм на фабрике в Pyeongtaek в 2019 году, а также откроют заказное производство пластин с чипами по процессу 3 нм в 2020 году.

Разработка LPDDR 5 от SK Hynix будет готова в начале 2019 года.

По материалам источника: digitimes.com.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный телекому и ИТ

теги: пятое поколения

+ +