Микроэлектроника: Оксид галлия - полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной

MForum.ru

Микроэлектроника: Оксид галлия - полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной

07.01.2019, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Исследователи оксида галлия прочат материалу высокую востребованность в современной микроэлектронике.

В микроэлектронных устройствах так называемая запрещенная зона это основной фактор, который определяет электрическую проводимость материала. Новые классы полупроводников с ультраширокой запрещенной зоной (UWB) способны работать при гораздо более высоких температурах и мощностях, нежели чем обычные микросхемы, выполненные на основе материалов на основе кремния, материала с малыми запрещенными зонами. Исследователи из США и Кореи предоставили описание свойств, возможностей, существующих ограничениях и направлениях будущего развития для одного из наиболее перспективных UWB-компаундов - оксида галлия.

Вещества с большими запрещенными зонами, как правило, являются изоляторами, плохо проводящими электричество. Вещества с более узкими зонами - полупроводниками. Современный класс полупроводников со сверхширокими запрещенными зонами способен работать при намного больших высоких скоростях, нежели чем обычные микросхемы с малыми зонами на основе кремния, или чипы на основе карбида силикона (SiC) и нитрида галлия (GaN).

В Журнале прикладной физики (AIP Publishing) исследователи из Университета Флориды, Военно-морской исследовательской лаборатории США и Корейского университета подробно рассказывают о свойствах, возможностях, текущих ограничениях и будущих разработках для одного из наиболее перспективных UWB-соединений, оксида галлия ( Ga2O3).

Оксид галлия отличает чрезвычайно широкая запрещенная зона в 4.8 эВ, что больше чем у кремния с его 1.1 эВ и 3.3 эВ у SiC и GaN. Это различие обеспечивает возможность для чипов на основе Ga2O3 выдерживать более высокую напряженность электрического поля, нежели чем традиционные и другие современные полупроводниковые материалы. Кроме того, Ga2O3 способен при равной толщине слоя выдерживать без пробоя более высокое напряжение. Эти два свойства могут сделать его незаменимым материалов для производства миниатюрных и эффективных силовых транзисторов.

Оксид галлия - это великолепный материал для создания подложек при производстве полупроводниковых чипов. Соединение может найти использование в системах распределения мощности, которые используются в станциях для заряда аккумуляторов электромобилей или в конверторах, которые обеспечивают преобразование электроэнергии, поступающей в энергосеть от альтернативных источников энергии, таких как ветроэлектрогенераторы.

Исследователи также рассматривают оксид галлия в качестве материала для производства полевых транзисторов по технологии металл-оксид-полупроводник, известной как MOSFET. Традиционно для их создания использовался кремний, но для более мощных устройств, например, зарядных станций для электромобилей, требуются полевые МОП-транзисторы, способные работать с большими мощностями, - для этого не получается использовать кремний, но подойдет новый материал.

Чтобы научиться делать усовершенствованные MOSFET, требуется улучшить диэлектрические свойства элементов затвора, а также системы управления температурой с тем, чтобы можно было более эффективно отводить тепло от устройств. По-мнению руководителя исследовательской группы, оксид галлия не сможет заменить SiC или GaN в качестве основного полупроводникового материала, который придет на смену кремнию, но новый материал сможет сыграть свою роль в расширении диапазона доступной мощности и напряжения различных системах, для которых принципиально важна широкая запрещенная зона материала.

Среди наиболее перспективных областей применения материала исследователи выделяют его использование при создании высоковольтных выпрямителей, систем кондиционирования и распределения электроэнергии, таких как зарядные системы электромобилей, фотоэлектрические солнечные преобразователи, ветроэлектрогенераторы и так далее.

Источник: publishing.aip.org.

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники полупроводниковые материалы оксид галлия Ga2O3 силовая электроника

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

07.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Полупроводниковые бизнесы Sharp cтанут самостоятельными / MForum.ru

07.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: 2019 год будет сложным для производителей полупроводников / MForum.ru

02.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Новости российской микроэлектроники в декабре 2018 года / MForum.ru

27.12. [Краткие новости] Микроэлектроника. Пресс-релизы: Микрон выпустил микроконтроллер защиты данных для интернета вещей / MForum.ru

25.12. [Краткие новости] Микроэлектроника. Пресс-релизы: Компьютер для железнодорожной автоматики / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

21.01. [Новинки] Слухи: Живые фото Moto G7 Power подтвердили спецификации и цену / MForum.ru

18.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены и дата релиза Samsung Galaxy M10 и M20 / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y91 с вырезом в экране оценен с 10 999 рупий / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Xiaomi Mi 9 замечен на рендерах / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Doogee Y8 — смартфон с вырезом в экране на $69,99 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Homtom C8 с градиентной панелью оценен в $85 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy A90 / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Nokia 6.2 дебютирует в течение месяца / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Huawei P Smart 2019 появился в России / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: Дешевых Xiaomi Mi ждать больше не стоит / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: HMD Global возродит Nokia N9 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S10 представят 20 февраля / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Note 7 с 48 Мп камерой / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Doogee представила модульный смартфон S90 / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: Lenovo представила умный будильник с динамиком и Google Assistant / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: HiSense U30 — смартфон на Snapdragon 675 с круглым вырезом в экране / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Blackview BV5500 – «крепыш» за $90 / MForum.ru

08.01. [Новинки] CES 2019: Официально представлены Alcatel 1X (2019) и Alcatel 1C (2019) / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Honor 8A представлен официально / MForum.ru

08.01. [Новинки] Это интересно: Hibom HB01 – смартфон для стримминга / MForum.ru