MForum.ru
02.11.2018,
Международное разделение труда в действии. Зеленоградский завод Ангстрем договорился о лицензировании японской технологии SiC и наладит производство кристаллов транзисторов по этой технологии. Собирать транзисторы в корпуса станет китайская компания.
Подписание соглашения, фото пресс-службы компании Ангстрем
До сих пор на Ангстрем не работали с перспективной технологией SiC (карбид кремния). Между тем этот материал более устойчив к воздействию радиации, нежели чем традиционные полупроводники, изделия из него терпят более высокие рабочие температуры, что позволяет использовать SiC, например, в n-МОП транзисторах и высокотепературных тиристорах.
Применение SiC для изготовления транзисторов обычно сдерживается тем, что такие транзисторы обычно получаются более дорогими, нежели традиционные, кремниевые, что и влияет на спрос негативно. Новая патентованная технология обещает возможность производить на Ангстрем транзисторы с кристаллом меньшего размера и значительно сократить стоимость транзистора в корпусе, что повысит конкурентоспособность изделий на мировом рынке.
Ангстрем получит технологию от японской компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting. В Зеленограде будут делать пластины с кристаллами транзисторов, а упаковкой их в корпуса займется китайская компания Taizhou Beyond Technology. Соглашение о стратегическом партнерстве между тремя компаниями заключено на 5 лет с возможностью пролонгации.
Первые образцы транзисторов по технологии SiC компания Ангстрем обещает показать на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. Если получится найти заказы, объемы производства можно будет нарастить вплоть до нескольких миллионов кристаллов в год.
Ангстрем демонстрирует великолепный пример того, как следует строить сотрудничество в области микроэлектроники, - используя существующие мощности и персонал, получать доступ к новым технологиям и новым мировым рынкам! Жаль, что это выглядит, как исключение из неписанного правила, согласно которому российские производители полупроводников дружно ориентируются в основном на госзаказ, на небольшой внутренний рынок, формируемый в основном военным производством.
Грамотно выбрано и направление, согласно прогнозам аналитиков Allied Market Research, мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. Чего бы не поучаствовать в разделе этого "пирожка"?
Конечно, здесь есть и подводные камни. В частности, жесткая международная конкуренция. На рынке SiC действуют такие игроки, как Infineon, General Electric, NXP Semiconductors и STMicroelectronics и многие другие. Известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.
Кроме того, материалы для производства также придется покупать за рубежом. Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии. Все это приводит к тому, что пластины SiC сравнительно дороги. То же касается и газа силана SiH4 (насыщенного кремневодорода), используемого в производстве.
Несмотря на то, что в 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см, пластины для производства изделий из SiC в России по-прежнему закупаются за рубежом. Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия.
Что же, в современной микроэлектронике выживают сильнейшие. Посмотрим, приживется ли новая технология на Ангстрем.
Следить за новостями микроэлектроники удобно в телеграм-канале RUSmicro.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный телекому.
теги: микроэлектроника полупроводники Ангстрем SiC карбид кремния
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru
14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru
09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru
05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru
05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru
22.08. [Новинки] Анонсы:Redmi Note 15 Pro и Note 15 Pro+ представлены официально / MForum.ru
22.08. [Новинки] Анонсы: Redmi Note 15 со Snapdragon 6 Gen 3 и АКБ 5800 мАч представлен официально / MForum.ru
21.08. [Новинки] Слухи: Honor работает над смартфоном с АКБ емкостью 10 000 мАч / MForum.ru
21.08. [Новинки] Анонсы: Lava Play Ultra – первый игровой смартфон от Lava / MForum.ru
20.08. [Новинки] Слухи: iPhone 17e могут представить в следующем году / MForum.ru
20.08. [Новинки] Анонсы: Honor X7c 5G представлен официально / MForum.ru
19.08. [Новинки] Слухи: Meizu 22 сертифицирован по стандарту 3C, раскрыты основные характеристики / MForum.ru
19.08. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены Xiaomi 15T и 15T Pro / MForum.ru
18.08. [Новинки] Слухи: Бюджетный крепыш Doogee Fire 3 готовится к анонсу / MForum.ru
18.08. [Новинки] Слухи: Doogee S200 Ultra с двумя дисплеями готовится к анонсу / MForum.ru
18.08. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Vivo G3 появился в Китае / MForum.ru
15.08. [Новинки] Анонсы: Представлен Tecno Spark Go 5G c камерой на 50 МП и АКБ 6000 мАч / MForum.ru
15.08. [Новинки] Анонсы: Умные очки HTC Vive Eagle AI представлены официально / MForum.ru
14.08. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S26 Edge на базе Snapdragon 8 Elite 2 замечен в базе Geekbench / MForum.ru
13.08. [Новинки] Слухи: Появились новые данные о чипсете iPhone 17 Air / MForum.ru
13.08. [Новинки] Анонсы: Poco M7 Plus 5G официально представлен в Индии / MForum.ru
13.08. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i 5G появится в Индии с 16 августа / MForum.ru
12.08. [Новинки] Слухи: Tecno MegaPad с 12-дюймовым экраном и AI-кнопкой готовится к анонсу / MForum.ru
12.08. [Новинки] Слухи: Появились новые подробности об iPhone 17 Pro / MForum.ru
11.08. [Новинки] Анонсы: HTC Wildfire E4 Plus представлен официально / MForum.ru