Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

MForum.ru

Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

02.11.2018, MForum.ru


Международное разделение труда в действии. Зеленоградский завод Ангстрем договорился о лицензировании японской технологии SiC и наладит производство кристаллов транзисторов по этой технологии. Собирать транзисторы в корпуса станет китайская компания. 

Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

Подписание соглашения, фото пресс-службы компании Ангстрем

До сих пор на Ангстрем не работали с перспективной технологией SiC (карбид кремния). Между тем этот материал более устойчив к воздействию радиации, нежели чем традиционные полупроводники, изделия из него терпят более высокие рабочие температуры, что позволяет использовать SiC, например, в n-МОП транзисторах и высокотепературных тиристорах.

Применение SiC для изготовления транзисторов обычно сдерживается тем, что такие транзисторы обычно получаются более дорогими, нежели традиционные, кремниевые, что и влияет на спрос негативно. Новая патентованная технология обещает возможность производить на Ангстрем транзисторы с кристаллом меньшего размера и значительно сократить стоимость транзистора в корпусе, что повысит конкурентоспособность изделий на мировом рынке.

Ангстрем получит технологию от японской компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting. В Зеленограде будут делать пластины с кристаллами транзисторов, а упаковкой их в корпуса займется китайская компания Taizhou Beyond Technology. Соглашение о стратегическом партнерстве между тремя компаниями заключено на 5 лет с возможностью пролонгации.

Первые образцы транзисторов по технологии SiC компания Ангстрем обещает показать на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. Если получится найти заказы, объемы производства можно будет нарастить вплоть до нескольких миллионов кристаллов в год.

Ангстрем демонстрирует великолепный пример того, как следует строить сотрудничество в области микроэлектроники, - используя существующие мощности и персонал, получать доступ к новым технологиям и новым мировым рынкам! Жаль, что это выглядит, как исключение из неписанного правила, согласно которому российские производители полупроводников дружно ориентируются в основном на госзаказ, на небольшой внутренний рынок, формируемый в основном военным производством.

Грамотно выбрано и направление, согласно прогнозам аналитиков Allied Market Research, мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. Чего бы не поучаствовать в разделе этого "пирожка"?

Конечно, здесь есть и подводные камни. В частности, жесткая международная конкуренция. На рынке SiC действуют такие игроки, как Infineon, General Electric, NXP Semiconductors и STMicroelectronics и многие другие. Известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

Кроме того, материалы для производства также придется покупать за рубежом. Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии. Все это приводит к тому, что пластины SiC сравнительно дороги. То же касается и газа силана SiH4 (насыщенного кремневодорода), используемого в производстве.

Несмотря на то, что в 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см, пластины для производства изделий из SiC в России по-прежнему закупаются за рубежом. Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия.

Что же, в современной микроэлектронике выживают сильнейшие. Посмотрим, приживется ли новая технология на Ангстрем.

Следить за новостями микроэлектроники удобно в телеграм-канале RUSmicro.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный телекому.  

теги: микроэлектроника полупроводники Ангстрем SiC карбид кремния

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=1 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 – новый «доступный флагман» представлен в Китае / MForum.ru

24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 Pro Max на базе Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

23.10. [Новинки] Анонсы: Nubia Z80 Ultra с новой 35 мм камерой представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 Pro – смартфон со сменным обрамлением камер и топовыми характеристиками / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: В Китае представлен планшет iQOO Pad 5e / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: Флагманский смартфон iQOO 15 с Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Oppo Pad 5 и смарт-часы Watch S представлены официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Представлены Oppo Find X9 и X9 Pro на базе чипсета Dimensity 9500 / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Huawei Nova Flip S представлен официально / MForum.ru

17.10. [Новинки] Анонсы: Роскошный смартфон Vertu Agent Q можно будет купить только в одном магазине / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor официально представила Magic 8 и Magic 8 Pro / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor Watch 5 Pro представлены официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor MagicPad3 Pro 13.3 представлен официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: «Новый» Moto G100 с аккумулятором 7000 мАч представлен официально / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo TWS 5 – флагманские наушники с 11 мм динамиками и Hi-Fi версией / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo Watch GT 2 с ярким дисплеем и eSIM представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Vivo Pad 5e представлен официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Vivo X300 и X300 Pro с 200 Мп камерами представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки]  Анонсы: Характеристики Honor Magic 8 Pro раскрыты до анонса / MForum.ru