Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

MForum.ru

Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

02.11.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Международное разделение труда в действии. Зеленоградский завод Ангстрем договорился о лицензировании японской технологии SiC и наладит производство кристаллов транзисторов по этой технологии. Собирать транзисторы в корпуса станет китайская компания. 

Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

Подписание соглашения, фото пресс-службы компании Ангстрем

До сих пор на Ангстрем не работали с перспективной технологией SiC (карбид кремния). Между тем этот материал более устойчив к воздействию радиации, нежели чем традиционные полупроводники, изделия из него терпят более высокие рабочие температуры, что позволяет использовать SiC, например, в n-МОП транзисторах и высокотепературных тиристорах.

Применение SiC для изготовления транзисторов обычно сдерживается тем, что такие транзисторы обычно получаются более дорогими, нежели традиционные, кремниевые, что и влияет на спрос негативно. Новая патентованная технология обещает возможность производить на Ангстрем транзисторы с кристаллом меньшего размера и значительно сократить стоимость транзистора в корпусе, что повысит конкурентоспособность изделий на мировом рынке.

Ангстрем получит технологию от японской компании Japan Semiconductor Engineering & Consulting. В Зеленограде будут делать пластины с кристаллами транзисторов, а упаковкой их в корпуса займется китайская компания Taizhou Beyond Technology. Соглашение о стратегическом партнерстве между тремя компаниями заключено на 5 лет с возможностью пролонгации.

Первые образцы транзисторов по технологии SiC компания Ангстрем обещает показать на выставке Appliance & Electronics World Expo 2019 в Шанхае. Если получится найти заказы, объемы производства можно будет нарастить вплоть до нескольких миллионов кристаллов в год.

Ангстрем демонстрирует великолепный пример того, как следует строить сотрудничество в области микроэлектроники, - используя существующие мощности и персонал, получать доступ к новым технологиям и новым мировым рынкам! Жаль, что это выглядит, как исключение из неписанного правила, согласно которому российские производители полупроводников дружно ориентируются в основном на госзаказ, на небольшой внутренний рынок, формируемый в основном военным производством.

Грамотно выбрано и направление, согласно прогнозам аналитиков Allied Market Research, мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. Чего бы не поучаствовать в разделе этого "пирожка"?

Конечно, здесь есть и подводные камни. В частности, жесткая международная конкуренция. На рынке SiC действуют такие игроки, как Infineon, General Electric, NXP Semiconductors и STMicroelectronics и многие другие. Известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

Кроме того, материалы для производства также придется покупать за рубежом. Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии. Все это приводит к тому, что пластины SiC сравнительно дороги. То же касается и газа силана SiH4 (насыщенного кремневодорода), используемого в производстве.

Несмотря на то, что в 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см, пластины для производства изделий из SiC в России по-прежнему закупаются за рубежом. Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия.

Что же, в современной микроэлектронике выживают сильнейшие. Посмотрим, приживется ли новая технология на Ангстрем.

Следить за новостями микроэлектроники удобно в телеграм-канале RUSmicro.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный телекому.  

теги: микроэлектроника полупроводники Ангстрем SiC карбид кремния

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

26.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: Infineon начинает строительство новой фабрики / MForum.ru

21.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: ChipExpo2018. Фото с выставки. Часть 3 / MForum.ru

21.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: Участники выставки ChipExpo2018 / MForum.ru

20.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Samsung Electronics взяли барьер 7 нм / MForum.ru

20.10. [Новости компаний] Микроэлектроника: ChipExpo2018. Фото с выставки. Часть 2 / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

16.01. [Новинки] Анонсы: Doogee Y8 — смартфон с вырезом в экране на $69,99 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Homtom C8 с градиентной панелью оценен в $85 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy A90 / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Nokia 6.2 дебютирует в течение месяца / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Huawei P Smart 2019 появился в России / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: Дешевых Xiaomi Mi ждать больше не стоит / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: HMD Global возродит Nokia N9 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S10 представят 20 февраля / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Note 7 с 48 Мп камерой / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Doogee представила модульный смартфон S90 / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: Lenovo представила умный будильник с динамиком и Google Assistant / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: HiSense U30 — смартфон на Snapdragon 675 с круглым вырезом в экране / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Blackview BV5500 – «крепыш» за $90 / MForum.ru

08.01. [Новинки] CES 2019: Официально представлены Alcatel 1X (2019) и Alcatel 1C (2019) / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Honor 8A представлен официально / MForum.ru

08.01. [Новинки] Это интересно: Hibom HB01 – смартфон для стримминга / MForum.ru

04.01. [Новинки] Анонсы: Huawei представил Y5 Lite с Android Oreo (Go Edition) на борту / MForum.ru

04.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты спецификации Samsung Galaxy M30 / MForum.ru

03.01. [Новинки] Слухи: Honor 8A представят 8 января / MForum.ru

03.01. [Новинки] Слухи: Motorola P40 оснастят чипсетом Snapdragon 675 / MForum.ru