Микроэлектроника: Сделан 3D-транзистор размером 3 нм

MForum.ru

Микроэлектроника: Сделан 3D-транзистор размером 3 нм

13.12.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Исследователи MIT и Колорадского университета представили модифицированный метод термического атомно-слоевого травления (thermal ALE). Технология позволяет последовательно удалять с поверхности сформированного на чипе полупроводника слои толщиной 0.02 нм за итерацию. Это дает возможность создавать компоненты с недостижимой до сих пор точностью.

3D-транзистор 3 нм

Исследователи сформировали с использованием нового метода 3D-транзисторы FinFET размером 5 нм и даже 2.5 нм. Испытания продемонстрировали - транзисторы, как и ожидалось, обладают большей энергоэффективностью (примерно на 60%), а также показывают более высокий контраст включенного и выключенного состояния среди всех известных FinFET транзисторов.

Традиционные методы ALE подразумевают использование ионизированной плазмы, которая удаляет с поверхности материала атомы буквально поштучно. Минус этого метода - повреждение поверхности. Метод термического атомно-слоевого травления изобрели в 2016 году. Его ключевая особенность - использование химической реакции, которую называют "обмен лигандами". В этом процессе ион одной смеси, называемый лигандом, поскольку он связан с атомами металла, заменяется лигандом из другой смеси. Удаление химикалий вызывает удаление отдельных атомов с обрабатываемой поверхности.

Первоначально метод работал только с оксидами, но на этот раз исследователи научились обрабатывать полупроводник, используя тот же самый реактор, который применяется для ALD (напыления атомного слоя). В эксперименте использовался легированный полупроводниковый материал - InGaAs (арсенид индия-галлия), известный как более быстрая и энергоэффективная альтернатива кремнию.

Исследователи подвергли этот материал воздействию фтористого водорода, что позволило сформировать атомный слой фторида металла на поверхности. Затем в ход пошло органическое соединение под названием диметиалюминийхлорид (DMAC). Процесс обмена лигандов происходил на слое фторида металла. После удаления DMAC, вместе с ним удаляются и отдельные атомы с поверхности.

Если теперь повторить процесс несколько сотен раз, произойдет необходимое утончение заготовки 3D-транзистора. Процесс напоминает чистку луковицы слой за слоем или химическую шлифовку. Затем в другом реакторе исследователи сформировали "затвор" - металлический элемент, необходимый для управление транзистором.

Поскольку модифицированный метод ALE очень схож с ALD, для него можно использовать тот же реактор, который используется для осаждения металлических пленок. Требуется лишь небольшая модернизация для того, чтобы работать с новыми газами для осаждения сразу же после травления. Возможно это позволит внедрить новый подход в существующие техпроцессы без особых хлопот.

Интересно, доберется ли новый метод до стадии коммерческого производства, кто начнет его использовать, а также сколько времени на это уйдет?

Источник: news.mit.edu

+

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники ALE термическое атомно-слоевое травление технологии

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

13.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Австралия станет альтернативным поставщиком минералов в США / MForum.ru

12.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Рынок полупроводников по итогам октября вырос за год на 12.7% / MForum.ru

11.12. [Краткие новости] Пресс-релизы: Микрон приглашает принять участие в конференции "Разработка доверенных систем связи и управления" / MForum.ru

11.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Ангстрем-Т получил первый серийный контракт после MPW пробы / MForum.ru

07.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Европейская полупроводниковая отрасль - консолидация или потеря позиций / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

26.11. [Новинки] Слухи: Появились подробности о спецификациях раскладного смартфона Galaxy Z Flip 3 / MForum.ru

26.11. [Новинки] Слухи: Oppo A53 5G получит Dimensity 720 и ценник $245 / MForum.ru

25.11. [Новинки] Анонсы: Poco M3 представлен официально / MForum.ru

24.11. [Новинки] Слухи: Появились подробности о смартфоне Samsung Galaxy A12 / MForum.ru

23.11. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S21 представят 14 января / MForum.ru

20.11. [Новинки] Анонсы: ASUS Zenfone 7 и 7 Pro появились в России / MForum.ru

20.11. [Новинки] Анонсы: ZTE Blade V2020 Smart доступен в России / MForum.ru

19.11. [Новинки] Это интересно: Сервисы Google могут вернуться в смартфоны Honor / MForum.ru

19.11. [Новинки] Слухи: Moto G Play (2021) замечен в Geekbench / MForum.ru

19.11. [Новинки] Анонсы: Gionee M12 получил 48 Мп камеру и АКБ 5100 мАч / MForum.ru

18.11. [Новинки] Анонсы: Смарт-часы Zepp Z представлены официально / MForum.ru

18.11. [Новинки] Слухи: Появились подробности о камере и дисплее Xiaomi Mi 11 Pro / MForum.ru

18.11. [Новинки] Слухи: LG Q63 (или Q83) замечен на рендерах / MForum.ru

17.11. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A42 5G с 8 Гб ОЗУ анонсирован на Тайване / MForum.ru

16.11. [Новинки] Анонсы: 5G-смартфон Oukitel WP10 получит Dimensity 800 и АКБ 8000 мАч / MForum.ru

16.11. [Новинки] Анонсы: Sharp Aquos Sense 4 Plus доступен на Тайване / MForum.ru

16.11. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A42 5G получит Snapdragon 750G / MForum.ru

13.11. [Новинки] Анонсы: Honor Band 6 смарт-браслет большим дисплеем и датчиком уровня кислорода / MForum.ru

13.11. [Новинки] Анонсы: Nokia 6300 4G и Nokia 8000 представлены официально / MForum.ru

13.11. [Новинки] Это интересно: Oppo предложила оригинальное решение для ночной зарядки / MForum.ru