Микроэлектроника: Сделан 3D-транзистор размером 3 нм

MForum.ru

Микроэлектроника: Сделан 3D-транзистор размером 3 нм

13.12.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Исследователи MIT и Колорадского университета представили модифицированный метод термического атомно-слоевого травления (thermal ALE). Технология позволяет последовательно удалять с поверхности сформированного на чипе полупроводника слои толщиной 0.02 нм за итерацию. Это дает возможность создавать компоненты с недостижимой до сих пор точностью.

3D-транзистор 3 нм

Исследователи сформировали с использованием нового метода 3D-транзисторы FinFET размером 5 нм и даже 2.5 нм. Испытания продемонстрировали - транзисторы, как и ожидалось, обладают большей энергоэффективностью (примерно на 60%), а также показывают более высокий контраст включенного и выключенного состояния среди всех известных FinFET транзисторов.

Традиционные методы ALE подразумевают использование ионизированной плазмы, которая удаляет с поверхности материала атомы буквально поштучно. Минус этого метода - повреждение поверхности. Метод термического атомно-слоевого травления изобрели в 2016 году. Его ключевая особенность - использование химической реакции, которую называют "обмен лигандами". В этом процессе ион одной смеси, называемый лигандом, поскольку он связан с атомами металла, заменяется лигандом из другой смеси. Удаление химикалий вызывает удаление отдельных атомов с обрабатываемой поверхности.

Первоначально метод работал только с оксидами, но на этот раз исследователи научились обрабатывать полупроводник, используя тот же самый реактор, который применяется для ALD (напыления атомного слоя). В эксперименте использовался легированный полупроводниковый материал - InGaAs (арсенид индия-галлия), известный как более быстрая и энергоэффективная альтернатива кремнию.

Исследователи подвергли этот материал воздействию фтористого водорода, что позволило сформировать атомный слой фторида металла на поверхности. Затем в ход пошло органическое соединение под названием диметиалюминийхлорид (DMAC). Процесс обмена лигандов происходил на слое фторида металла. После удаления DMAC, вместе с ним удаляются и отдельные атомы с поверхности.

Если теперь повторить процесс несколько сотен раз, произойдет необходимое утончение заготовки 3D-транзистора. Процесс напоминает чистку луковицы слой за слоем или химическую шлифовку. Затем в другом реакторе исследователи сформировали "затвор" - металлический элемент, необходимый для управление транзистором.

Поскольку модифицированный метод ALE очень схож с ALD, для него можно использовать тот же реактор, который используется для осаждения металлических пленок. Требуется лишь небольшая модернизация для того, чтобы работать с новыми газами для осаждения сразу же после травления. Возможно это позволит внедрить новый подход в существующие техпроцессы без особых хлопот.

Интересно, доберется ли новый метод до стадии коммерческого производства, кто начнет его использовать, а также сколько времени на это уйдет?

Источник: news.mit.edu

+

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники ALE термическое атомно-слоевое травление технологии

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

13.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Австралия станет альтернативным поставщиком минералов в США / MForum.ru

12.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Рынок полупроводников по итогам октября вырос за год на 12.7% / MForum.ru

11.12. [Краткие новости] Пресс-релизы: Микрон приглашает принять участие в конференции "Разработка доверенных систем связи и управления" / MForum.ru

11.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Ангстрем-Т получил первый серийный контракт после MPW пробы / MForum.ru

07.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Европейская полупроводниковая отрасль - консолидация или потеря позиций / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

20.05. [Новинки] Анонсы: Realme 3 Pro за 200 евро появится в Европе 5 июня / MForum.ru

20.05. [Новинки] Анонсы: Vivo Y3 на Helio P35 получил строенную тыловую камеру / MForum.ru

20.05. [Новинки] Анонсы: Официально представлен Redmi Note 7S с 48 Мп камерой / MForum.ru

20.05. [Новинки] Анонсы: Oppo Reno появился в России / MForum.ru

17.05. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Mi 9 SE добрался до России / MForum.ru

17.05. [Новинки] Анонсы: ASUS Zenfone 6 получил откидную камеру / MForum.ru

16.05. [Новинки] Слухи: Honor 20 Pro получит камеру с апертурой f/1,4 и суперночным режимом / MForum.ru

16.05. [Новинки] Анонcы: Крепыш Blackview BV9700 Pro оценен $499 / MForum.ru

16.05. [Новинки] Слухи: Redmi Note 7S будет представлен 20 мая / MForum.ru

16.05. [Новинки] Анонсы: Motorola One Vision c 48 Мп камерой представлен официально / MForum.ru

16.05. [Новинки] Анонсы: Nokia 4.2 доступен в России / MForum.ru

15.05. [Новинки] Анонсы: Станет ли OnePlus 7 Pro «новым ориентиром»? / MForum.ru

15.05. [Новинки] Анонсы: OnePlus 7 представлен официально / MForum.ru

13.05. [Новинки] Слухи: Имя и дату анонса флагмана Redmi объявят завтра / MForum.ru

13.05. [Новинки] Анонсы: Huawei Y9 Prime 2019 получил выдвижную фронтальную камеру / MForum.ru

08.05. [Новинки] Анонсы: Sharp Aquos R3 представлен официально / MForum.ru

08.05. [Новинки] Слухи: Пресс-фото Motorola One Vision подтвердили 48 Мп камеру / MForum.ru

08.05. [Новинки] Это интересно: Опубликованы данные о распространении версий ОС Android / MForum.ru

08.05. [Новинки] Слухи: Realme X получит 48 Мп сенсор от Sony / MFourm.ru

07.05. [Новинки] Слухи: Все детали о Google Pixel 3a стали известны до анонса / MForum.ru