MForum.ru
27.11.2019,
Samsung обещает начать продажи 128-слойных чипов V-NAND и модулей SSD на их базе в 2020 году
В Samsung планируют в 2020 году начать продажу SSD TLC на базе чипов V-nand 512Гб с плотностью хранения данных 3бит/ячейку, выполненных по 128-слойной технологии. Разработчики компании тем временем работают над созданием памяти с использованием 500 и более слоев. (Выход этих чипов ожидался еще до конца 2019 года.)
Модули на 256/512 смогут обеспечит скорость ввода-вывода до 1200 Мбит/c.
SSD, предназначенные для использования в облачных решениях, будут включать PM1733 SSD с интерфейсами PCI Express Gen4 (PCIe Gen4), поддерживающими последовательное чтение на скорости до 6400 МБ/с и запись на скорости до 3800 МБ/с. Компания уже показала модель емкостью 30,72ТБ, снабженную двумя контроллерами для повышения надежности.
Кроме того, готовится серия PM1735, которая будет доступна в форм-факторах U.2 и HHHL. PM1735 U.2 обеспечит скорости 6400/3800 МБ/c при последовательном считывании/записи при емкости в 25.6 ТБ. Его родной брат HHHL будет выпускаться с емкостью 12,8 ТБ и поддерживать скорости чтения до 8000 МБ/с.
Samsung рекомендует использовать решения Z-SSD там, где предъявляются жесткие требования к уровню задержек. В результате оптимизации компания добилась уровня задержки менее 100 мкс в системе хранения данных, что примерно в 5.5 раз меньше, чем при использовании SSD TLC и 4КБ со случайным обращением и в 100 раз меньшую, чем при использовании смешанного чтения со случайным доступом.
В Samsung также продолжат работать над SAS SSD, которые будут поддерживать возможность горячей замены, а также повышенную надежность за счет использования двухпортовой схемы. В частности, PM1653 (SAS4) 24ГБ SSD, которая поддерживает до 4000 МБ/c / 3800 МБ/с при последовательном чтении и записи, соответственно.
Перспективные разработки SSD включают тренд на создание SmartSSD, способных частично разгрузить ЦП. Эти NVM SSD снабжены ПЛИС-акселератором. Для более быстрого и простого подключения к облаку Samsung работает с EthernetSSD, который обладает таким преимуществом, как NVM over Fabric.
Для сегмента B2C-памяти, в Samsung разработали UFC 3.x память, предназначенную для использования в смартфонах. Этот подвид флэш-памяти обещает стабильные высокие скорости (500 МБ/с при последовательной записи), отличающуюся отсутствием деградации производительности при записи. Также эта технология обеспечивает защиту от потери данных за счет технологии восстановления ошибок и функциональностям автоматической повторной передачи.
Продукты уже доступны на рынке Южной Кореи, а в США они появятся в 2020 году и будут совместимы со слотами UFS, которые можно встретить в ноутбуках компании Samsung.
Samsung также работает над разработкой компактных решений NVM SSD. Размером примерно с монету (M.2 22x30) они обладают емкостью до 1ТБ и весят около 1 грамма.
Источник: cdrinfo.com
Можно вспомнить, что в августе в Samsung приступили к массовому производству твердотельных накопителей SATA емкостью 250 ГБ на базе модулей V-NAND емкостью 256 гбит, выполненных на базе трехбитных ячеек.
----
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко.
теги: микроэлектроника Samsung флэш-память V-NAND SSD разработки
Публикации по теме:
17.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Производители NAND flash собираются повышать цены / MForum.ru
12.02. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A06 5G готовится к анонсу / MForum.ru
23.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S25 и S25+ оснащены Snapdragon 8 Elite и 12 Гб ОЗУ для всех рынков / MForum.ru
16.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: SK hynix поставит образцы HBM4 компании Nvidia в июне 2025 года / MForum.ru
23.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Китай сокращает разрыв с Кореей и Тайванем в производстве памяти и других микросхем / MForum.ru
04.07. [Новинки] Слухи: Аксессуары для Samsung Galaxy Z Flip 7 показали на рендерах / MForum.ru
03.07. [Новинки] Анонсы: Moto G100 Pro с MediaTek Dimensity 7300 и АКБ 6720 мАч представлен официально / MForum.ru
03.07. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i с AI-функциями представлен официально / MForum.ru
03.07. [Новинки] Анонсы: Tecno представила 3 смартфона серии Spark 40 / MForurm.ru
02.07. [Новинки] Cлухи: Появились подробности о Google Pixel 10 Pro и Google Pixel 10 Pro XL / MForum.ru
02.07. [Новинки] Анонсы: Nothing Phone (3) с Glyph Matrix представлен официально / MForum.ru
01.07. [Новинки] Слухи: Moto G96 5G может быть представлен 9 июля / MForum.ru
01.07. [Новинки] Слухи: Появились данные о размере батареи Redmi Turbo 5 Pro / Poco F8 / MForum.ru
30.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Watch S4 41 мм и Band 10 представлены официально / MForum.ru
27.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Pad 7S Pro 12.5 на чипсете Xring O1 представлен официально / MForum.ru
26.06. [Новинки] Анонсы: Redmi K80 Ultra представлен официально / MForum.ru
26.06. [Новинки] Анонсы: Экологичный смартфон Fairphone 6 представлен официально / MForum.ru
25.06. [Новинки] Анонсы: Poco F7 на чипсете Snapdragon 8s Gen 4 представлен официально / MForum.ru
24.06. [Новинки] Анонсы: Galaxy Unpacked 2025 состоится 9 июля / MForum.ru
24.06. [Новинки] Анонсы: Компактный смартфон Vivo X200 FE представлен официально / MForum.ru
23.06. [Новинки] Анонсы: Oppo K13x 5G представлен как «самый надежный смартфон в сегменте» / MForum.ru
23.06. [Новинки] Слухи: Толщина Honor Magic V5 составит 8,8 мм / MForum.ru
20.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi K80 Ultra / MForum.ru
20.06. [Новинки] Слухи: Honor Magic V5 может стать самым тонким складным смартфоном в мире / MForum.ru
19.06. [Новинки] Анонсы: Глобальная версия Oppo Reno 14 5G представлена в Японии / MForum.ru