Samsung Electronics

MForum.ru

Samsung Electronics

28.10.2019, MForum.ru


Samsung Electronics   --   Зарубежные участники рынка микроэлектроники  --  Микроэлектроника

Разработка, производство и продажи полупроводников. В 2018 году занимал первое место в мире по объему производства полупроводников, потеснив Intel. Отличается внедрением самых передовых технологий, наряду с TSMC.  

На февраль 2020 года Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. 

Производства Samsung

Южная Корея

P1, Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Здесь производят NAND память. Ожидается, что линию перепрофилируют на NAND V8 (238 слоев) и она будет выпускать до 30 тыс пластин в месяц.   /tg 
P3. Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. Мощность новой линии достигнет 100 тысяч пластин в месяц, в работу она будет запущена во второй половине 2023 года. Ожидается, что на ней будут выпускаться чипы памяти по процессу 12нм.   /tg 

США

Остин, Техас, США - производство Samsung ..2022.. 

Тейлор, Техас, США - строится производство Samsung ..2023.01.. 

2022

В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук. /tg  

 

Передовые техпроцессы

2024.04 2нм. Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. 
3нм Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. Samsung планирует запустить процесс SF1.4 (1,4 нм) к концу 2027 года. Если компании удастся, как планируется, увеличить число нанолистов узла с 3 до 4, это может дать заметный выигрыш в производительности и энергопотреблении.  

 

Новости

2024.04.05 Samsung Electronics заявила о планах увеличить свои инвестиции в Техасе (республиканском штате) примерно до $44 млрд. Здесь появится еще одна корейская фабрика по производству чипов и современный центр по упаковке / корпусированию микросхем. Вашингтон обещает корейцам более $6 млрд господдержки. Как и другие иностранные проекты в области микроэлектроники в США, стройка в Тейлоре задерживается. Если ранее корейцы надеялись в 2024 году начать массовое производство, сейчас ясно, что этот срок оказался совершенно нереалистичным. Более того, теперь в Samsung отказываются называть новый планируемый срок запуска. 

2023.01.16 Строительство фабрики Samsung в США идет по плану. Об этом говорит гендиректор компании: "Сооружение фабрики завершится в 2023 году, а с 2024 года начнется массовое производство".
Завод строится в Тейлоре, Техас. В ноябре 2021 года Samsung заявлял о планах строительства производственного предприятия в Техасе с инвестициями в размере $17 млрд. Фабрика предположительно будет выпускать логические чипы по технологии 3нм. У Samsung уже есть производство в Техасе, в Остине, примерно в 25 км от Тейлора. / business-standard.com

2022. Samsung Electronics намерен расширить производственные мощности фаба P3 в Пхёнтхэке, Южная Корея, крупнейшей из фабрик Samsung Electronics по производству чипов. Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук.    /tg 

2020.02.20 Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой производственной линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с применением технологии EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и еще более тонким техпроцессам. Линия была основана в феврале 2018 года, тестовое производство на ней началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020. На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм. Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм. 
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года. С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://news.samsung.com/ru/samsung-electronics-pristupaet-k-seriynomy-proizvodstvy-chipov-na-novoy-euv-linii

 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

Подпишитесь на Facebook-страницу RUSmicro

----

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%

15.03. Китайская Lisuan выпустила 6-нм игровой GPU - конкурент RTX 4060 с полностью самостоятельной архитектурой

15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

13.03. В ГК Элемент сменится руководство

13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году

13.03. Третий по величине китайский производитель микросхем Nexchip повысит цены на 10% с июня, вслед за SMIC и Hua Hong

13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли

11.03. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

27.05. MWS Cloud и Ситикард заключили соглашение о сотрудничестве

27.05. Билайн запустил VoLTE в роуминге в США и Вьетнаме

27.05. С 27 мая в России ограничен параллельный импорт компьютерной техники и комплектующих ряда производителей, включая Acer, Asus, HP, Samsung, Intel, Toshiba и ряда других брендов

26.05. Билайн отчитался за первый квартал 2026 года

26.05. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром

26.05. Еврокомиссия предложила на время смягчить санкции в отношении китайской компании, чтобы спасти свой автопром

25.05. Китайская Huawei обещает повысить плотность размещения транзисторов на кристалле до «эквивалента 1.4 нм»

25.05. MWS Cloud и АО РДС заключили соглашение о стратегическом сотрудничестве

25.05. МегаФон в Якутии - голосовая связь запущена на месторождении Вертикальное

25.05. T2 обеспечила покрытие в алмазном карьере вплоть до глубин в 350 метров

25.05. StarLink обеспечит Центральную Азию быстрым интернетом из космоса – для всех желающих

25.05. Билайн в Мордовии нарастил покрытие 4G новыми БС и рефармингом 900 МГц

25.05. От ИИ ожидают кардинальных улучшений работы российской микроэлектроники

24.05. ИКС Холдинг прирос компанией Crosstech Solutions Group

24.05. Миландр обеспечил импортзамещение ряда изделий, необходимых для отечественных БС 5G

Все статьи >>


Новости

27.05. Lava Shark 2 – 6000 мАч, 120 Гц и «ни одного лишнего приложения» за 11 999 рупий

27.05. Раскрыты полные спецификации Samsung Galaxy A27

26.05. Huawei nova 16 представят 1 июня, а Ultra получит АКБ 7000 мАч

26.05. Vivo Y600 Turbo – 9020 мАч, AMOLED 5000 нит и IP69 за 340 долларов

26.05. Oppo A6c добрался до Индии: 7000 мАч, 120 Гц и Unisoc T7250 от $146

25.05. Honor X7e 4G раскрыт ритейлером

25.05. Глобальные цены Xiaomi 17T и 17T Pro утекли в сеть за несколько дней до анонса

25.05. Xiaomi готовит Smart Band 11? Новое устройство прошло сертификацию

22.05. Poco Pad C1 – доступный планшет с экраном 2K 120 Гц и батареей 7600 мАч

22.05. Утечка раскрыла параметры HMD Thunder Pro – 50 МП с OIS, OLED 90 Гц и 6000 мАч

22.05. HMD Vibe 2 5G – 6000 мАч, 120 Гц и Android 16 от $115

21.05. iQOO 15T – Dimensity 9500 Monster, 8000 мАч, 200 МП и 144 Гц от $558

21.05. Itel A100 Pro дизайн в стиле iPhone 17 Pro за $95 и с Android Go

21.05. Infinix Hot 70 – получит термохромный дизайн и RGB-подсветка

20.05. Moto G37 и G37 Power – Dimensity 6400, 7000 мАч и Android 16 от 145 долларов

20.05. Motorola Edge (2026) получит плоский дизайн вместо изогнутого

20.05. Дизайн Samsung Galaxy A27 показался на рендерах производителей чехлов

19.05. RedMagic 11S Pro и Pro+ получили разогнанный чип, 8000 мАч, вентилятор и IPX8

19.05. Realme 16T с 8000 мАч, IP69 представят 22 мая

19.05. OnePlus Ace 7 – экран 240 Гц, батарея 9000 мАч и охлаждение с вентилятором?