Samsung Electronics

MForum.ru

Samsung Electronics

28.10.2019, MForum.ru


Samsung Electronics   --   Зарубежные участники рынка микроэлектроники  --  Микроэлектроника

Разработка, производство и продажи полупроводников. В 2018 году занимал первое место в мире по объему производства полупроводников, потеснив Intel. Отличается внедрением самых передовых технологий, наряду с TSMC.  

На февраль 2020 года Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. 

Производства Samsung

Южная Корея

P1, Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Здесь производят NAND память. Ожидается, что линию перепрофилируют на NAND V8 (238 слоев) и она будет выпускать до 30 тыс пластин в месяц.   /tg 
P3. Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. Мощность новой линии достигнет 100 тысяч пластин в месяц, в работу она будет запущена во второй половине 2023 года. Ожидается, что на ней будут выпускаться чипы памяти по процессу 12нм.   /tg 

США

Остин, Техас, США - производство Samsung ..2022.. 

Тейлор, Техас, США - строится производство Samsung ..2023.01.. 

2022

В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук. /tg  

 

Передовые техпроцессы

2024.04 2нм. Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. 
3нм Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. Samsung планирует запустить процесс SF1.4 (1,4 нм) к концу 2027 года. Если компании удастся, как планируется, увеличить число нанолистов узла с 3 до 4, это может дать заметный выигрыш в производительности и энергопотреблении.  

 

Новости

2024.04.05 Samsung Electronics заявила о планах увеличить свои инвестиции в Техасе (республиканском штате) примерно до $44 млрд. Здесь появится еще одна корейская фабрика по производству чипов и современный центр по упаковке / корпусированию микросхем. Вашингтон обещает корейцам более $6 млрд господдержки. Как и другие иностранные проекты в области микроэлектроники в США, стройка в Тейлоре задерживается. Если ранее корейцы надеялись в 2024 году начать массовое производство, сейчас ясно, что этот срок оказался совершенно нереалистичным. Более того, теперь в Samsung отказываются называть новый планируемый срок запуска. 

2023.01.16 Строительство фабрики Samsung в США идет по плану. Об этом говорит гендиректор компании: "Сооружение фабрики завершится в 2023 году, а с 2024 года начнется массовое производство".
Завод строится в Тейлоре, Техас. В ноябре 2021 года Samsung заявлял о планах строительства производственного предприятия в Техасе с инвестициями в размере $17 млрд. Фабрика предположительно будет выпускать логические чипы по технологии 3нм. У Samsung уже есть производство в Техасе, в Остине, примерно в 25 км от Тейлора. / business-standard.com

2022. Samsung Electronics намерен расширить производственные мощности фаба P3 в Пхёнтхэке, Южная Корея, крупнейшей из фабрик Samsung Electronics по производству чипов. Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук.    /tg 

2020.02.20 Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой производственной линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с применением технологии EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и еще более тонким техпроцессам. Линия была основана в феврале 2018 года, тестовое производство на ней началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020. На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм. Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм. 
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года. С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://news.samsung.com/ru/samsung-electronics-pristupaet-k-seriynomy-proizvodstvy-chipov-na-novoy-euv-linii

 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

Подпишитесь на Facebook-страницу RUSmicro

----

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%

15.03. Китайская Lisuan выпустила 6-нм игровой GPU - конкурент RTX 4060 с полностью самостоятельной архитектурой

15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

13.03. В ГК Элемент сменится руководство

13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году

13.03. Третий по величине китайский производитель микросхем Nexchip повысит цены на 10% с июня, вслед за SMIC и Hua Hong

13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли

11.03. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

25.03. SK Hynix разместила у ASML крупнейший публичный заказ на EUV-оборудование на $8 млрд

25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах

25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг

24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL

24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей

24.03. Кризис расползается по цепочке поставок

24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%

24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile

24.03. Практика российских бигтехов – только 7-10% пилотных ИИ-проектов 2025 года дошли до полноценного внедрения

24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440

23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03. Samsung Electronics вложит рекордные 110 трлн вон

23.03. МТС разместила биржевые облигации серии 002P-17 на 10 млрд

23.03. Билайн в Нижегородской области - покрытие 4G расширено в столице и в сельских населенных пунктах

Все статьи >>


Новости

27.03. Представлены iQOO Z11 и Z11x – 9050 мАч, 165 Гц и IP69 за 290 долларов

27.03. iPad (2026) получит чисет A18, 8 ГБ RAM и тот же дизайн

26.03. Vivo X300s – 200 МП, перископ, батарея 7100 мАч и защита IP69

26.03. Представлены Samsung Galaxy A57 и A37 с IP68, Exynos 1680 и прежними камерами

25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц

25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч

25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки

24.03. Huawei Enjoy 90 Plus и Enjoy 90 – Kirin 8000, батареи 6620 мАч и доступные цены

24.03. Huawei Enjoy 90 Pro Max – Kirin 8000, батарея 8500 мАч и экран 120 Гц за 250 долларов

23.03. Redmi 15A 5G – 6300 мАч и 120 Гц за «реальные деньги»

23.03. Xiaomi 17T и 17T Pro засветились в IMDA

20.03. Lenovo представила компактный Y700 с двумя USB-C и большие Xiaoxin Pro

20.03. iQOO Z11 с батареей 9020 мАч и экраном 165 Гц представят 26 марта

19.03. Ulefone RugKing 5 Pro – 20 000 мАч, 1202 светодиода и ночное видение за 270 долларов

19.03. Oppo A6s 5G – 80-ваттная зарядка и IP69 за 18 999 рупий

19.03. FOSSiBOT F116 Pro – компактный защищенный смартфон с креплением для экшн-камеры

18.03. Samsung Galaxy M17e 5G – ребрендинг A07 с батареей 6000 мАч за 140 долларов

18.03. Oppo Watch X3 – титан, сапфир и мониторинг глюкозы

18.03. Oppo Find N6 появился на глобальном рынке

17.03. Представлен Vivo Y51 Pro 5G с батареей 7200 мАч и защитой IP69