Samsung Electronics

MForum.ru

Samsung Electronics

28.10.2019, MForum.ru


Samsung Electronics   --   Зарубежные участники рынка микроэлектроники  --  Микроэлектроника

Разработка, производство и продажи полупроводников. В 2018 году занимал первое место в мире по объему производства полупроводников, потеснив Intel. Отличается внедрением самых передовых технологий, наряду с TSMC.  

На февраль 2020 года Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. 

Производства Samsung

Южная Корея

P1, Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Здесь производят NAND память. Ожидается, что линию перепрофилируют на NAND V8 (238 слоев) и она будет выпускать до 30 тыс пластин в месяц.   /tg 
P3. Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. Мощность новой линии достигнет 100 тысяч пластин в месяц, в работу она будет запущена во второй половине 2023 года. Ожидается, что на ней будут выпускаться чипы памяти по процессу 12нм.   /tg 

США

Остин, Техас, США - производство Samsung ..2022.. 

Тейлор, Техас, США - строится производство Samsung ..2023.01.. 

2022

В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук. /tg  

 

Передовые техпроцессы

2024.04 2нм. Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. 
3нм Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. Samsung планирует запустить процесс SF1.4 (1,4 нм) к концу 2027 года. Если компании удастся, как планируется, увеличить число нанолистов узла с 3 до 4, это может дать заметный выигрыш в производительности и энергопотреблении.  

 

Новости

2024.04.05 Samsung Electronics заявила о планах увеличить свои инвестиции в Техасе (республиканском штате) примерно до $44 млрд. Здесь появится еще одна корейская фабрика по производству чипов и современный центр по упаковке / корпусированию микросхем. Вашингтон обещает корейцам более $6 млрд господдержки. Как и другие иностранные проекты в области микроэлектроники в США, стройка в Тейлоре задерживается. Если ранее корейцы надеялись в 2024 году начать массовое производство, сейчас ясно, что этот срок оказался совершенно нереалистичным. Более того, теперь в Samsung отказываются называть новый планируемый срок запуска. 

2023.01.16 Строительство фабрики Samsung в США идет по плану. Об этом говорит гендиректор компании: "Сооружение фабрики завершится в 2023 году, а с 2024 года начнется массовое производство".
Завод строится в Тейлоре, Техас. В ноябре 2021 года Samsung заявлял о планах строительства производственного предприятия в Техасе с инвестициями в размере $17 млрд. Фабрика предположительно будет выпускать логические чипы по технологии 3нм. У Samsung уже есть производство в Техасе, в Остине, примерно в 25 км от Тейлора. / business-standard.com

2022. Samsung Electronics намерен расширить производственные мощности фаба P3 в Пхёнтхэке, Южная Корея, крупнейшей из фабрик Samsung Electronics по производству чипов. Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук.    /tg 

2020.02.20 Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой производственной линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с применением технологии EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и еще более тонким техпроцессам. Линия была основана в феврале 2018 года, тестовое производство на ней началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020. На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм. Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм. 
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года. С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://news.samsung.com/ru/samsung-electronics-pristupaet-k-seriynomy-proizvodstvy-chipov-na-novoy-euv-linii

 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

Подпишитесь на Facebook-страницу RUSmicro

----

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%

15.03. Китайская Lisuan выпустила 6-нм игровой GPU - конкурент RTX 4060 с полностью самостоятельной архитектурой

15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

13.03. В ГК Элемент сменится руководство

13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году

13.03. Третий по величине китайский производитель микросхем Nexchip повысит цены на 10% с июня, вслед за SMIC и Hua Hong

13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли

11.03. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

18.04. Узбекистан и ZTE укрепляют стратегическое партнерство для ускорения цифровой трансформации

17.04. Прибыль Ericsson упала на 79% - компания предупреждает о росте затрат на чипы

17.04. Yadro запускает приём заявок на оплачиваемую летнюю стажировку «Импульс 2026»

17.04. Tesla ищет инженеров для Terafab на Тайване

17.04. TSMC: CoWoS остается основой для крупнейших ИИ-чипов, и CoPoS все ближе

17.04. МегаФон в Республике Коми - покрытие 4G расширено новой базовой станцией на въезде в Усинск

17.04. МТС в Магаданской области запустил сеть LTE в поселке Эвенск

17.04. OpenAI заключила с Cerebras многомиллиардное соглашение

17.04. В России выпустили первую партию микросхем SPD

17.04. Билайн представил итоги развития в 2025 году в пейзаже «особого пути» российского телекома. Часть 1

16.04. Минцифры представило проект приказа с требованиями к БС O-RAN

16.04. МегаФон в Сахалинской области - связь улучшена рефармингом в Холмске, Корсакове, Горнозаводске и Соловьевке

16.04. МТС в Новосибирской области - связь улучшена в Ленинском районе

15.04. Билайн увеличил пропускную способность для российских видеосервисов

15.04. Rubetek расширяет производственные мощности в Орле

Все статьи >>


Новости

17.04. OnePlus Nord CE 6 Lite – Dimensity 7400, 7000 мАч, а AMOLED заменили на LCD

17.04. Oppo Reno16 Pro получит камеру 200 МП, перископ, Dimensity 9500s и батарея 7000+ мАч

16.04. Vivo T5 Pro – 9020 мАч, 90 Вт, IP69 и Snapdragon 7s Gen 4 от 29 999 рупий

16.04. Oppo F33 и F33 Pro – ребрендинг с AMOLED, 7000 мАч и IP69K

16.04. Poco C81 Pro получи 6.9" дислеей 120 Гц, АКБ 6000 мАч и Unisoc T7250

15.04. Motorola Razr 70 Ultra получит Snapdragon 8 Elite и батарею на 6% больше

15.04. Tecno Spark 50 4G – Helio G81, 7000 мАч и связь без сети за 1.5 км

15.04. T1 Phone от Trump Mobile – $499 за AMOLED 120 Гц и Snapdragon 7

14.04. Redmi A7 Pro 5G – HyperOS 3, Unisoc T8300 и 6300 мАч за 11 499 рупий

14.04. Oppo Pad Mini с 8.8-дюймовым OLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 8 Gen 5 представят 21 апреля

14.04. Rollme G9 – умные часы с офлайн-картами, двухдиапазонным GNSS и весом 32 грамма

13.04. Realme Narzo 100 Lite 5G – 7000 мАч "Titan Battery", 144 Гц и Dimensity 6300 за 13 000 рупий

13.04. CMF Phone 3 Pro получит Snapdragon 7s Gen 4 и металлическую рамку

13.04. Анонс Huawei Pura 90 Pro ожидается 20 апреля

10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара

10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии

10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300

09.04. Moto Pad 2026 – 2.5K-экран, 5G и четыре динамика за 250 долларов

09.04. Motorola Moto G Stylus (2026) – стилус с наклоном, защита IP69 и AMOLED за 500 долларов

08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов