Samsung Electronics

MForum.ru

Samsung Electronics

28.10.2019, MForum.ru


Samsung Electronics   --   Зарубежные участники рынка микроэлектроники  --  Микроэлектроника

Разработка, производство и продажи полупроводников. В 2018 году занимал первое место в мире по объему производства полупроводников, потеснив Intel. Отличается внедрением самых передовых технологий, наряду с TSMC.  

На февраль 2020 года Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. 

Производства Samsung

Южная Корея

P1, Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Здесь производят NAND память. Ожидается, что линию перепрофилируют на NAND V8 (238 слоев) и она будет выпускать до 30 тыс пластин в месяц.   /tg 
P3. Пхёнтхэк, Кёнгидо, Южная Корея. 2022.12 Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. Мощность новой линии достигнет 100 тысяч пластин в месяц, в работу она будет запущена во второй половине 2023 года. Ожидается, что на ней будут выпускаться чипы памяти по процессу 12нм.   /tg 

США

Остин, Техас, США - производство Samsung ..2022.. 

Тейлор, Техас, США - строится производство Samsung ..2023.01.. 

2022

В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук. /tg  

 

Передовые техпроцессы

2024.04 2нм. Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. 
3нм Samsung собирается начать массовое производство чипов 2нм для мобильных гаджетов с 2025 года, с 2026 года - продукты HPC (высокопроизводительных вычислений), а к 2027 году - и чипов для автопрома. Samsung планирует запустить процесс SF1.4 (1,4 нм) к концу 2027 года. Если компании удастся, как планируется, увеличить число нанолистов узла с 3 до 4, это может дать заметный выигрыш в производительности и энергопотреблении.  

 

Новости

2024.04.05 Samsung Electronics заявила о планах увеличить свои инвестиции в Техасе (республиканском штате) примерно до $44 млрд. Здесь появится еще одна корейская фабрика по производству чипов и современный центр по упаковке / корпусированию микросхем. Вашингтон обещает корейцам более $6 млрд господдержки. Как и другие иностранные проекты в области микроэлектроники в США, стройка в Тейлоре задерживается. Если ранее корейцы надеялись в 2024 году начать массовое производство, сейчас ясно, что этот срок оказался совершенно нереалистичным. Более того, теперь в Samsung отказываются называть новый планируемый срок запуска. 

2023.01.16 Строительство фабрики Samsung в США идет по плану. Об этом говорит гендиректор компании: "Сооружение фабрики завершится в 2023 году, а с 2024 года начнется массовое производство".
Завод строится в Тейлоре, Техас. В ноябре 2021 года Samsung заявлял о планах строительства производственного предприятия в Техасе с инвестициями в размере $17 млрд. Фабрика предположительно будет выпускать логические чипы по технологии 3нм. У Samsung уже есть производство в Техасе, в Остине, примерно в 25 км от Тейлора. / business-standard.com

2022. Samsung Electronics намерен расширить производственные мощности фаба P3 в Пхёнтхэке, Южная Корея, крупнейшей из фабрик Samsung Electronics по производству чипов. Планы касаются наращивания мощностей производства чипов на пластинах 300 мм. В целом мощности Samsung по выпуску DRAM по итогам 3q2022 составляют 665 тысяч пластин в месяц.  Суммарные мощности контрактного производства Samsung Electronics составляли 476 тысяч пластин в месяц по итогам 3q2022, планируется расширить их еще на 30 тысяч пластин в месяц или более. Также Samsung в 2023 году планирует развернуть еще более 10 EUV литографов. Сейчас их количество у Samsung составляет около 40 штук.    /tg 

2020.02.20 Samsung Electronics объявил о запуске массового производства на новой производственной линии V1 в Хвасоне, Корея. Это первая линия предприятия, выпускающая изделия исключительно с применением технологии EUV. Здесь производятся чипы с использованием функциональных узлов, выполненных по 7нм и еще более тонким техпроцессам. Линия была основана в феврале 2018 года, тестовое производство на ней началось в 2H2019. Первые партии продукции пойдут заказчикам в 1q2020. На февраль 2020 года производятся чипы по техпроцессам 7нм и 6нм. Компания планирует уменьшать техпроцесс до 3нм. 
Совокупные инвестиции в V1 к концу 2020 года достигнут $6 млрд. Как ожидается, это позволит нарастить объемы производства продукции по 7нм процессу и ниже в 3 раза от уровня 2019 года. С учетом линии V1 Samsung Electronics располагает шестью полупроводниковыми производствами в Южной Корее и в США. Это 5 линий с 12" подложками и 1 линия с 8" подложками. Источник: https://news.samsung.com/ru/samsung-electronics-pristupaet-k-seriynomy-proizvodstvy-chipov-na-novoy-euv-linii

 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

Подпишитесь на Facebook-страницу RUSmicro

----

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване

17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС

16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров

16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов

16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости

15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов

15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%

15.03. Китайская Lisuan выпустила 6-нм игровой GPU - конкурент RTX 4060 с полностью самостоятельной архитектурой

15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти

13.03. В ГК Элемент сменится руководство

13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году

13.03. Третий по величине китайский производитель микросхем Nexchip повысит цены на 10% с июня, вслед за SMIC и Hua Hong

13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели

12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм

11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?

11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли

11.03. Applied Materials объединяет усилия с Micron и SK Hynix для разработки DRAM, HBM и NAND следующего поколения

10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

06.05. Мировой рынок полупроводников в 2025 году вырос на 26% до $796 млрд

06.05. T2 импортзаместила решение PCRF разработкой Bercut

06.05. МТС в Магаданской области - indoor-покрытие LTE развернуто в аэропорту Магадана

05.05. Спутниковая связь с низкой орбиты - дайджест

05.05. SEMI сообщает о росте мировых поставок кремниевых пластин на 13% в годовом исчислении в 1q2026

05.05. Cerebras планирует привлечь $3.5 млрд в ходе IPO

05.05. МегаФон в Ставропольском крае - связь улучшена на маршруте Минеральные Воды - Кисловодск

05.05. Минцифры сочло маркировку решений на основе открытого кода преждевременной

05.05. Билайн назвал лидеров рейтинга ИИ в России

05.05. Selectel займется ИИ еще более активно

05.05. С 5 по 9 мая мобильный интернет в столице могут ограничивать не только в центре

05.05. О сбоях в работе мобильного интернета сообщают из Санкт-Петербурга

05.05. МТС в Нижегородской области - сеть LTE расширена новым оборудованием в 25 населённых пунктах округа Шахунья

04.05. FCC обновляет правила использования спутниковой связи - в SpaceX открывают шампанское

04.05. Ловушка "вайбкодинга" и чего ждать в плане цен на доступ к ИИ

Все статьи >>


Новости

06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249

06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?

06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка

05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы

05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500

05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5

04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED

04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H

04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?

30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2

30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86

29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99

29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч

28.04. Geekbench раскрыл детали о Xiaomi 17T – Dimensity 8500, 12 ГБ RAM и Android 16

28.04. Vivo Y500s – 7200 мАч, IP68/IP69 и 50 МП камера за 265 долларов

27.04. Poco C81 и C81x – два бюджетных 4G-смартфона с 120 Гц, большими батареями и ценой от 105 долларов

27.04. Infinix GT 50 Pro – игровые триггеры, Dimensity 8400 Ultimate и жидкостное охлаждение за 406 долларов