Микроэлектроника: GaN on Si - на стыке миров

MForum.ru

Микроэлектроника: GaN on Si - на стыке миров

16.11.2021, MForum.ru


Несмотря на глобальный дефицит чипов, IC Insights прогнозирует, что после значительного роста цены на DRAM по итогам 4q2021 снизятся.

 

 

Радиочастотные усилители мощности (PA) необходимы для различных применений, но одним из массовых вариантов их использования будут, как ожидается, устройства 5G. И поскольку речь идет о массовом применении, должны выполняться противоречивые требования - высокая производительность и низкая цена.

В настоящее время в основе RF PA, как правило, лежат устройства, создаваемые по технологии LDMOS. Конкурентом являются устройства на базе менее распространенной на сегодня технологии GaN, которые обеспечивают более интересные RF параметры, потребляя меньше энергии.

К сожалению, GaN on SiC пока что куда более дорогая технология. Это привлекает интерес к компромиссной комбинации GaN on Si, которая может быть реализована с использованием распространенного технологического оборудования и при этом также обеспечивает весьма привлекательные параметры. В частности, она вполне подходит для выпуска приборов для устройств 5G.

От таких приборов требуется способность работать на частотах до 7 ГГц (если мы говорим о среднем диапазоне частот), поддерживать работу с полосой вплоть до 400 МГц, модуляции высоких порядков, множество каналов и режим MIMO. При этом нужно, чтобы и вес и потребление энергии были бы минимальными. Технология GaN on Si всем этим требованиям удовлетворяет. В частности, у транзистора, выполненного по этой технологии, показатель плотности мощности может достигать в разы более высоких значений, чем у транзистора LDMOS.

Компания Infineon разработала техпроцесс GaN on Si, позволяющий выпускать RF-приборы на стандартных пластинах 8", позволяющие раскрыть потенциал технологии. Благодаря этому мы приблизились к тому, чтобы GaN on Si стал мейнстримовой технологией.

Слабым местом GaN on Si в сравнении с GaN on SiC является термосопротивление. Карбид кремния в этом плане более привлекателен, но за счет утонения кремниевой пластины, правильного расположения элементов прибора и других ухищрений, удается сблизить параметры. И если не требуется способности работать на пределе допустимых напряжений, можно добиваться сравнимой надежности приборов, выпускаемых по этим технологиям.

Таким образом, можно говорить о достижении технологией GaN on Si начального уровня зрелости.

За подробностями рекомендую заглянуть в ноябрьский выпуск Microwave Journal, с.22-37.

--

теги: микроэлектроника тренды перспективные материалы GaN on Si GaN on SiC

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

03.10. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Honor Magic 8, Magic 8 Pro и MagicPad 3 Pro / MForum.ru

02.10. [Новинки] Анонсы: Huawei Nova 14i представлен официально / MForum.ru

02.10. [Новинки] Анонсы: Realme 15x с защитой "IP69 Pro" представлен официально / MForum.ru

01.10. [Новинки] Анонсы: Представлен Vivo V60 Lite 4G с аккумулятором емкостью 6500 мАч и быстрой зарядкой мощностью 90 Вт / MForum.ru

01.10. [Новинки] Анонсы: Realme P3 Lite 4G появился в ЕС / MForum.ru

30.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60e появится в Индии / MForum.ru

29.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 15T и 15T Pro представлены официально / MForum.ru

26.09. [Новинки] Анонсы: Xiaomi 17 со Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

25.09. [Новинки] Анонсы: Vivo V60 Lite 5G представлен официально / MForum.ru

25.09. [Новинки] Анонсы: Qualcomm официально представила Snapdragon 8 Elite Gen 5 / MForum.ru

24.09. [Новинки] Слухи: Использование инновационного экрана в iQOO 15 подтверждено официально / MForum.ru

23.09. [Новинки] Анонсы: MediaTek официально представила флагманский чипсет Dimensity 9500 / MForum.ru

23.09. [Новинки] Анонсы: Realme GT 8 и GT 8 Pro представят в следующем месяце / MForum.ru

22.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y50i представлен официально

19.09. [Новинки] Анонсы: Redmi 15C 5G появился в некоторых странах ЕС / MForum.ru

19.09. [Новинки] Слухи: Xiaomi Pad 8 может получить чипсет Snapdragon 8 Elite / MForum.ru

19.09. [Новинки] Слухи: Vivo V60 Lite 4G готовится к анонсу / MForum.ru

18.09. [Новинки] Слухи: Смартфон Xiaomi 17 Pro замечен в Geekbench / MForum.ru

17.09. [Новинки] Анонсы: Компания BOE представила дисплей ADS Pro / MForum.ru

16.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y31 5G и Y31 Pro 5G официально представлены в Индии / MForum.ru