Микроэлектроника: GaN on Si - на стыке миров

MForum.ru

Микроэлектроника: GaN on Si - на стыке миров

16.11.2021, MForum.ru


Несмотря на глобальный дефицит чипов, IC Insights прогнозирует, что после значительного роста цены на DRAM по итогам 4q2021 снизятся.

 

 

Радиочастотные усилители мощности (PA) необходимы для различных применений, но одним из массовых вариантов их использования будут, как ожидается, устройства 5G. И поскольку речь идет о массовом применении, должны выполняться противоречивые требования - высокая производительность и низкая цена.

В настоящее время в основе RF PA, как правило, лежат устройства, создаваемые по технологии LDMOS. Конкурентом являются устройства на базе менее распространенной на сегодня технологии GaN, которые обеспечивают более интересные RF параметры, потребляя меньше энергии.

К сожалению, GaN on SiC пока что куда более дорогая технология. Это привлекает интерес к компромиссной комбинации GaN on Si, которая может быть реализована с использованием распространенного технологического оборудования и при этом также обеспечивает весьма привлекательные параметры. В частности, она вполне подходит для выпуска приборов для устройств 5G.

От таких приборов требуется способность работать на частотах до 7 ГГц (если мы говорим о среднем диапазоне частот), поддерживать работу с полосой вплоть до 400 МГц, модуляции высоких порядков, множество каналов и режим MIMO. При этом нужно, чтобы и вес и потребление энергии были бы минимальными. Технология GaN on Si всем этим требованиям удовлетворяет. В частности, у транзистора, выполненного по этой технологии, показатель плотности мощности может достигать в разы более высоких значений, чем у транзистора LDMOS.

Компания Infineon разработала техпроцесс GaN on Si, позволяющий выпускать RF-приборы на стандартных пластинах 8", позволяющие раскрыть потенциал технологии. Благодаря этому мы приблизились к тому, чтобы GaN on Si стал мейнстримовой технологией.

Слабым местом GaN on Si в сравнении с GaN on SiC является термосопротивление. Карбид кремния в этом плане более привлекателен, но за счет утонения кремниевой пластины, правильного расположения элементов прибора и других ухищрений, удается сблизить параметры. И если не требуется способности работать на пределе допустимых напряжений, можно добиваться сравнимой надежности приборов, выпускаемых по этим технологиям.

Таким образом, можно говорить о достижении технологией GaN on Si начального уровня зрелости.

За подробностями рекомендую заглянуть в ноябрьский выпуск Microwave Journal, с.22-37.

--

теги: микроэлектроника тренды перспективные материалы GaN on Si GaN on SiC

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: В Китае впервые выделили рубидий из хлорида калия / MForum.ru

14.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: AMD заявляет, что ее новые чипы ИИ могут превзойти чипы Nvidia / MForum.ru

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд / MForum.ru

05.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Чипы Nvidia демонстрируют успехи в обучении крупнейших AI / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 – новый «доступный флагман» представлен в Китае / MForum.ru

24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 Pro Max на базе Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

23.10. [Новинки] Анонсы: Nubia Z80 Ultra с новой 35 мм камерой представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 Pro – смартфон со сменным обрамлением камер и топовыми характеристиками / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: В Китае представлен планшет iQOO Pad 5e / MForum.ru

21.10. [Новинки] Анонсы: Флагманский смартфон iQOO 15 с Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Oppo Pad 5 и смарт-часы Watch S представлены официально / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Представлены Oppo Find X9 и X9 Pro на базе чипсета Dimensity 9500 / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Huawei Nova Flip S представлен официально / MForum.ru

17.10. [Новинки] Анонсы: Роскошный смартфон Vertu Agent Q можно будет купить только в одном магазине / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor официально представила Magic 8 и Magic 8 Pro / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor Watch 5 Pro представлены официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Honor MagicPad3 Pro 13.3 представлен официально / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: «Новый» Moto G100 с аккумулятором 7000 мАч представлен официально / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo TWS 5 – флагманские наушники с 11 мм динамиками и Hi-Fi версией / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Vivo Watch GT 2 с ярким дисплеем и eSIM представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Планшет Vivo Pad 5e представлен официально / MForum.ru

14.10. [Новинки] Анонсы: Vivo X300 и X300 Pro с 200 Мп камерами представлены официально / MForum.ru

14.10. [Новинки]  Анонсы: Характеристики Honor Magic 8 Pro раскрыты до анонса / MForum.ru