MForum.ru
07.11.2025,
Новый метод прямого соединения-разъединения решает одну из ключевых проблем в создании электронных устройств на основе 2D-материалов без ухудшения их свойств при сборке в гетероструктуры
Исследователи из Массачусетского технологического института (MIT), Национального университета Сингапура (NUS) и Тайваньского университета Цинь Хуа разработали метод прямого соединения-разъединения (direct bonding–debonding) для создания стекированных гетероструктур из двумерных полупроводников на уровне целых пластин (wafer-scale). Об этом рассказывает Nature.
Технология обеспечивает точный контроль над двумя критически важными параметрами: количеством слоев и углом их скручивания (twist angle), что позволяет программировать электронные свойства материала.
Ключевое преимущество метода — получение чистых интерфейсов без загрязнений. Процесс проходит в вакууме без использования полимеров, что сохраняет высокую подвижность носителей заряда — свойство, которое обычно деградирует при стандартных методах переноса.
Разработка решает одну из главных проблем коммерциализации 2D-материалов — создание высококачественного затворного стека (gate stack). Метод совместим с современными КМОП-процессами и уже продемонстрировал успешную интеграцию 2D-полупроводников с диэлектриками high-k, такими как оксид гафния (HfO₂).
Хотя процесс чем-то похож на упаковку (packaging), он относится к FEOL (Front-End-of-Line) – передовым процессам формирования структур, он представляет собой синтез и интеграция материалов на уровне пластин (Wafer-Scale Material Synthesis & Integration).
Это исследование знаменует собой важный шаг на пути к созданию энергоэффективных транзисторов следующего поколения, которые могут прийти на смену кремниевым технологиям после 2035 года. Для выхода технологии на уровень пилотного производства, по оценкам экспертов, потребуется от 5 до 7 лет.
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: микроэлектроника горизонты технологий 2D-материалы
--
Публикации по теме:
07.11. [Новинки] Анонсы: Тонкий смартфон Huawei Mate 70 Air представлен официально / MForum.ru
07.11. [Новинки] Это интересно: Realme GT 8 Pro – план по переосмыслению флагманского дизайна / MForum.ru
06.11. [Новинки] Анонсы: Moto G67 Power с Si/C аккумулятором емкостью 7000 мАч представлен официально / MForum.ru
06.11. [Новинки] Слухи: Появилась информация о Redmi Turbo 5 Pro / MForum.ru
05.11. [Новинки] Анонсы: Moto G (2026) и Moto G Play (2026) представлены официально / MForum.ru
05.11. [Новинки]
ПО: Apple выпускает обновление iOS 26.1 / MForum.ru
04.11. [Новинки] Анонсы: Realme C85 Pro и Realme C85 5G представлены официально / MForum.ru
04.11. [Новинки] Анонсы: Vivo Y19s представлен официально / MForum.ru
03.11. [Новинки] Слухи: Lenovo Legion Y700 может стать еще одни планшетом на базе Snapdragon 8 Elite Gen 5 / MForum.ru
31.10. [Новинки] Анонсы: Игровой смартфон iQOO Neo11 на базе Snapdragon 8 Elite представлен официально / MForum.ru
30.10. [Новинки] Слухи: Realme C85 Pro с АКБ 7000 мАч готовится к анонсу / MForum.ru
29.10. [Новинки]
Слухи: Honor Magic 8 Ultra могут представить в начале 2026 года / MForum.ru
28.10. [Новинки] Слухи: Vivo S50 Pro mini и S50 mini готовятся к анонсу / MForum.ru
27.10. [Новинки] Анонсы: Lava Shark 2 – ультрабюджетный смартфон для оффлайн-розницы / MForum.ru
24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 – новый «доступный флагман» представлен в Китае / MForum.ru
24.10. [Новинки] Анонсы: Redmi K90 Pro Max на базе Snapdragon 8 Elite Gen 5 представлен официально / MForum.ru
23.10. [Новинки] Анонсы: Nubia Z80 Ultra с новой 35 мм камерой представлен официально / MForum.ru
22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 представлен официально / MForum.ru
22.10. [Новинки] Анонсы: Realme GT8 Pro – смартфон со сменным обрамлением камер и топовыми характеристиками / MForum.ru
21.10. [Новинки] Анонсы: В Китае представлен планшет iQOO Pad 5e / MForum.ru