Многие эксперты, в том числе и Гордон Мур, автор знаменитого одноименного закона, считают, что внедрение диэлектрика на основе гафния с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости и металлического затвора является самым значительным инновационным изменением в технологии производства транзисторов, осуществленным за последние 40 лет. Некоторые источники идут дальше, утверждая, что внедрение новых материалов, предложенное корпорацией Intel при переходе к 45-нм техпроцессу, - это, пожалуй, единственное фундаментальное изменение с момента появления «классических» планарных полупроводниковых транзисторов с поликремниевым затвором. Использование гафния позволяет более, чем в 10 раз снизить токи утечки в транзисторах и, тем самым, значительно снизить тепловыделение микросхем, один из основных ограничивающих факторов в микроэлектронике. По состоянию на ноябрь 2007 года к производству готовятся процессоры с использованием гафния, изготовленные по 45-нм техпроцессу, а с 2009 года ожидается массовое производство процессоров по 32-нм техпроцессу.

Более подробно - в статье Гафний: новое слово Intel в мироэлектронике в "Энциклопедии MForum"