Следующим этапом, на котором сфокусируется компания Samsung, станет переход на нормы 8 нм технологического процесса Low Power Plus. Для выпуска 7 нм чипов, при травление электронной схемы на кремниевой основе, будет использоваться Extreme Ultra Violet Lithography. 6 нм LPP-процесс Samsung будет использовать новое решение Smart Scaling, позволяющая получить преимущества сверхнизкой мощности, прежде чем перейти к его 5-нм LPP-процессу. После перехода к технологическому процессу 4 нм на смену архитектуре FinFET придут Multi Bridge Channel FET / Samsung All Gate FET, позволяющая преодолеть пределы физического масштабирования FinFET. Конечно, 4 нм технологический процесс это дело будущего, причем вовсе не близкого. Однако движение по раскрытой Samsung дорожной карте в любом случае приведет к тому, что смартфоны станут производительнее и будут потреблять меньше энергии.