Компоненты: Samsung анонсировала планы по переходу на 4 нм техпроцесс

01.06.2017, MForum.ru

В этом году флагманские чипсеты Samsung и Qualcomm построены с использованием норм 10 нм технологического процесса. Впрочем, компания Samsung уже обнародовала дорожную карту с планами перехода на технологические процессы вплоть 4 нм. Заявление было сделано в рамках Samsung Foundry Forum.

Следующим этапом, на котором сфокусируется компания Samsung, станет переход на нормы 8 нм технологического процесса Low Power Plus. Для выпуска 7 нм чипов, при травление электронной схемы на кремниевой основе, будет использоваться Extreme Ultra Violet Lithography. 6 нм LPP-процесс Samsung будет использовать новое решение Smart Scaling, позволяющая получить преимущества сверхнизкой мощности, прежде чем перейти к его 5-нм LPP-процессу. После перехода к технологическому процессу 4 нм на смену архитектуре FinFET придут Multi Bridge Channel FET / Samsung All Gate FET, позволяющая преодолеть пределы физического масштабирования FinFET. Конечно, 4 нм технологический процесс это дело будущего, причем вовсе не близкого. Однако движение по раскрытой Samsung дорожной карте в любом случае приведет к тому, что смартфоны станут производительнее и будут потреблять меньше энергии.

Публикации по теме:

05.01. [Новинки] Слухи: Realme Neo 8 получит дизайн в стиле «киберпанк» и флагманскую платформу при цене $360 / MForum.ru

04.01. [Новости компаний] Силовая электроника: Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года / MForum.ru

02.01. [Новости компаний] Производство электроники: Египет наращивает производство смартфонов / MForum.ru

26.12. [Новости компаний] Электронные компоненты: В НовГУ экспериментируют с гираторами, чтобы заменить ими катушки индуктивности / MForum.ru

21.12. [Новости компаний] Отечественное оборудование: Гульнара Хасьянова, Микрон, - не стоит ориентироваться на ценовое преимущество / MForum.ru