MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
20.04. В ГИСП появился новый отечественный малопотребляющий микроконтроллер К1890КП018
20.04. США заблокировали китайско-европейскую сделку в области полупроводников
20.04. New Glenn 3 не вывезла… спутник BlueBird 7 потерян
20.04. Китайские лидары научили различать цвета
20.04. Ростов-на-Дону может остаться совсем без мобильной связи?
20.04. Встречи. "Телеком будущего". Часть 1
20.04. И вновь об IMEI
20.04. MWS Cloud запустила Managed Kafka в промышленную эксплуатацию
19.04. 6G - Samsung и Orange высказывают обоснованный скепсис в отношении нового "жэ"
18.04. Узбекистан и ZTE укрепляют стратегическое партнерство для ускорения цифровой трансформации
17.04. Прибыль Ericsson упала на 79% - компания предупреждает о росте затрат на чипы
17.04. Yadro запускает приём заявок на оплачиваемую летнюю стажировку «Импульс 2026»
20.04. Sony Xperia 1 VIII получит квадратную камеру вместо вертикальной полоски
20.04. OnePlus Buds Ace 3 обеспечат 55 дБ шумоподавления и 54 часа работы
20.04. OnePlus Pad 4 получил Snapdragon 8 Elite Gen 5, 13.2" 3.4K 144 Гц и батарею 13 380 мАч
17.04. OnePlus Nord CE 6 Lite – Dimensity 7400, 7000 мАч, а AMOLED заменили на LCD
17.04. Oppo Reno16 Pro получит камеру 200 МП, перископ, Dimensity 9500s и батарея 7000+ мАч
16.04. Vivo T5 Pro – 9020 мАч, 90 Вт, IP69 и Snapdragon 7s Gen 4 от 29 999 рупий
16.04. Oppo F33 и F33 Pro – ребрендинг с AMOLED, 7000 мАч и IP69K
16.04. Poco C81 Pro получи 6.9" дислеей 120 Гц, АКБ 6000 мАч и Unisoc T7250
15.04. Motorola Razr 70 Ultra получит Snapdragon 8 Elite и батарею на 6% больше
15.04. Tecno Spark 50 4G – Helio G81, 7000 мАч и связь без сети за 1.5 км
15.04. T1 Phone от Trump Mobile – $499 за AMOLED 120 Гц и Snapdragon 7
14.04. Redmi A7 Pro 5G – HyperOS 3, Unisoc T8300 и 6300 мАч за 11 499 рупий
14.04. Oppo Pad Mini с 8.8-дюймовым OLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 8 Gen 5 представят 21 апреля
14.04. Rollme G9 – умные часы с офлайн-картами, двухдиапазонным GNSS и весом 32 грамма
13.04. Realme Narzo 100 Lite 5G – 7000 мАч "Titan Battery", 144 Гц и Dimensity 6300 за 13 000 рупий
13.04. CMF Phone 3 Pro получит Snapdragon 7s Gen 4 и металлическую рамку
13.04. Анонс Huawei Pura 90 Pro ожидается 20 апреля
10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара
10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии
10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300
