MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров
16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
16.03. Билайн в Курганской области - сеть 4G укреплена в жилых и промышленных районах
16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости
16.03. Компания Yadro собрала участников ИТ-рынка на первую в 2026 году встречу TAB
16.03. МегаФон в Татарстане – назначен новый директор
16.03. МТС в Воронежской области – домашний интернет ускорен в пять раз
16.03. В Подмосковье тоже готовы отключать мобильную связь и мобильный доступ к интернету
16.03. В Смоленской области ограничили работу мобильного интернета
15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов
15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%
15.03. МегаФон в Вологодской области - сеть LTE запущена в селе Устье
15.03. МТС в Тамбовской области - домашний интернет запущен еще для пяти тысяч жителей
15.03. Ericsson и партнеры разрабатывают промышленные решения на базе 6G
16.03. Представлен Lava Bold 2 5G с плоским экраном, чистым Android и демократичной ценой
16.03. Раскрыты характеристики Oppo Pad 5 Pro – мощный планшет с батареей 13 000 мАч
16.03. Nubia набирает тестировщиков OpenClaw AI на Z80 Ultra
13.03. Представлен Motorola Edge 70 Fusion+ с улучшенной камерой
13.03. Energizer P30K Apex, смартфон с батареей 30 000 мАч, ожидается в июне
12.03. Honor 600 Lite – металл, AMOLED и батарея на 6520 мАч за €300
12.03. В Китае стартовали продажи Honor Magic V6 с рекордной батареей
12.03. OPPO K14x 5G – новая базовая версия за 12 999 рупий
11.03. Vivo V70 FE – 200 мегапикселей и 7000 мАч
11.03. Realme Note 80 – ультрабюджетник с батареей на 6300 мАч
11.03. Poco C85x - емкая батарея за 120 долларов
10.03. Представлен Vivo Y37+ с батареей на 6000 мАч
10.03. Realme C83 5G – крепкий бюджетник с батареей на 7000 мАч
09.03. Oppo представит новый складной смартфон OPPO Find N6 с "невидимой складкой" экрана
09.03. Honor MagicPad 4 – самый тонкий в мире планшет добрался до Европы
09.03. itel Zeno 100 – смартфон за 70 долларов с военным стандартом MIL-STD-810H
09.03. TCL показала первый AMOLED NxtPaper
06.03. Realme Narzo Power – гигантская батарея под новым именем
06.03. Nothing Headphone (a) обеспечат до 135 часов работы
05.03. Nothing Phone (4a) и (4a) Pro получил новые огни, старый чип и перископ
