MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
08.04. Авария одного спутника оставила без ТВ полмиллиона россиян - перспективы?
08.04. И Пакистан туда же, $17 млн на подготовку инженеров в области полупроводниковой индустрии
08.04. Мировой рынок оборудования для чипов взлетел до $135 млрд!
08.04. Операторы башенной инфраструктуры хотят, чтобы регулирование учитывало и их интересы
08.04. МТС в Хакасии запустил проект дистанционного мониторинга электрических сетей в Абакане
08.04. МегаФон в республике Бурятия - связь улучшена новой базовой станцией в селе Покровка
08.04. Intel присоединяется к проекту «фабрике мечты» Маска
08.04. Четверть российских компаний переходят к системному внедрению ИИ
08.04. МегаФон в Якутии – покрытие 4G обеспечено еще в пяти сёлах
07.04. Билайн в Челябинской области - надежность связи 4G повышена в микрорайонах Челябинска
06.04. Виртуальный оператор Альфа-Мобайл - охват растет, но точных цифр мало
06.04. Yadro представила ИИ-инструмент для анализа качества мобильной связи
06.04. МТС в Амурской области запустил новую базовую станцию на севере Свободного
08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов
08.04. Tecno наконец раскрыла график обновления до Android 16 — с опозданием на поколение
08.04. Представлен Realme C100 5G с АКБ 7000 мАч, 144 Гц экраном и Dimensity 6300 за 215 долларов
07.04. Oppo F33 Pro 5G – IP69K, 50 МП фронталка и батарея 7000 мАч за 35 000 рупий
07.04. Redmi A7 Pro 5G с батареей 6300 мАч и Circle to Search выходит в Индии
06.04. Vivo T5 Pro с АКб 9020 мАч – "ультимативная мощь" или маркетинг?
06.04. Oppo A6c выходит на глобальный рынок
03.04. Honor Play 80 Pro – 7000 мАч и IP65, но экран 60 Гц и Android 15
03.04. Первые тизеры раскрывают ультратонкий дизайн Honor 600 Series
03.04. Honor X80i – первый смартфон на Dimensity 6500 и АКБ 7000 мАч
02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч
02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране
02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5
01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2
01.04. Утечка раскрывает характеристики HMD Crest 2 Pro
31.03. Vivo X300 Ultra – 200 МП телевик с гиростабилизацией и почти дюймовый 35-мм модуль
31.03. Vivo X300s – 200 МП основная камера, АКБ 7100 мАч и цена от 720 долларов
31.03. Бюджетный Realme Narzo 100 Lite получит 3 конфигурации памяти
30.03. Все iPhone 18 получат уменьшенный Dynamic Island, но рамки останутся прежними
30.03. OnePlus Nord CE6 Lite получит Dimensity 6300, батарея 7000 мАч и цену до 23 000 рупий
