Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника

2018

ON Semiconductor
Mitsubishi Electric Corp
Toshiba
STMicroelectronics
Vishay Intertechnology
Renesas Electronics
ROHM Semiconductor
Nexperia
Microsemi
IXYS Corporation
Semikron Inc

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN).

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

Публикации по теме:

25.04. [Новости компаний] Микроэлектроника: Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой / MForum.ru

21.02. [Краткие новости] Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

#327749

18.11.2019 23:38 От: ABloud Зарегистрирован: 23.02.2008
Последний раз был на сайте: 05.12.2025
Сообщений всего: 12789
Сообщений за последний месяц: 0
Благодарностей: 49
Рейтинг: ПРОФИ (4), 1 место

Зарегистрирован: 23.02.2008
Последний раз был на сайте: 05.12.2025
Сообщений всего: 12789
Сообщений за последний месяц: 0
Благодарностей: 49
Рейтинг: ПРОФИ (4), 1 место

Поблагодарить автора за полезное сообщение

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

Ответить · Цитировать · Вставить имя · Редактировать · Ответить лично · Пожаловаться

#330474

07.12.2021 13:39 От: ABloud Зарегистрирован: 23.02.2008
Последний раз был на сайте: 05.12.2025
Сообщений всего: 12789
Сообщений за последний месяц: 0
Благодарностей: 49
Рейтинг: ПРОФИ (4), 1 место

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

Ответить · Цитировать · Вставить имя · Редактировать · Ответить лично · Пожаловаться

Complete in 3 ms, lookup=0 ms, find=3 ms

Последние сообщения в форумах

09.12.2024 04:55 Sizavl Тема: Хабаровский край (04.12.2007)

23 ноября 2024 г. t2 в Хабаровском крае запустил технологию VoLTE (в тестовом режиме)

31.08.2023 10:40 ABloud Тема: Рефарминг частот (30.01.2005)

[Рефарминг частот. 1800 МГц. 2100 МГц. ВымпелКом] билайн ускорит мобильный интернет в 2023 году в 31 регионе страны 31 августа 2023 года, Москва, пресс-релиз ВымпелКом через MForum.ru - билайн ...

30.08.2023 18:26 ABloud Тема: Удмуртская республика (04.12.2007)

[Развитие сетей. Удмуртия. МегаФон] МегаФон улучшил связь в 12 районах Удмуртии 30 августа 2023, пресс-релиз МегаФон через MForum.ru. В 12 районах Удмуртии увеличилось покрытие сети четвертого ...

30.08.2023 16:21 ABloud Тема: Облака, облачные сервисы (06.09.2011) (Страницы: 1 2)

[Облачные сервисы. МТС] CloudMTS запустил сервис для защиты от DDoS-атак на базе Qrator Labs 29 августа 2023 г., Москва, РФ, пресс-релиз МТС через MForum.ru – ПАО «МТС» (MOEX: MTSS), цифровая ...

29.08.2023 13:23 ABloud Тема: Дополнительные услуги операторов сотовой связи (09.08.2014)

[Финтех. Услуги. МТС] МТС разработала услугу для проверки сохранности данных пользователей «ФинЗащита» 28 августа 2023 г., Москва, РФ, пресс-релиз МТС через MForum – ПАО «МТС» (MOEX: MTSS), ...

Все форумы »