MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
15.05. Специалисты по ИБ без опыта работы не нужны почти никому
15.05. Ericsson предупреждает операторов - они упускают возможности, связанные с 5G и ИИ
15.05. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды
15.05. Прогноз развития телекоммуникационной отрасли России дадут на ЦИПР-2026
15.05. В NASA тестируют процессор нового поколения для использования в условиях космоса
15.05. МТС обеспечила покрытием LTE станцию «Спортивная» в метро Новосибирска
15.05. Билайн в Пермском крае - 4G улучшен в 13 населенных пунктах к дачному сезону
14.05. Монокристалл - в шаге от банкротства?
14.05. Услуги D2D - консолидация вместо конкуренции? В США
14.05. Мировой рынок RAN в 1q2026 остался стабильным пятый квартал подряд
14.05. Ускорители ИИ Nvidia в рамках конфликта США и Китая
14.05. В России работают над проектом рентгеновского фотолитографа
14.05. Виктория Морозова назначена директором по маркетингу МТС Web Services
16.05. Xiaomi 17 Max – 8000 мАч, 200 МП Leica, 6.9" Super Pixel — анонсируют 21 мая
15.05. Представлен Moto Tag 2 с 600 днями работы, UWB и Google Find Hub
15.05. Xiaomi тизерит Band 10 Pro и наушники-клипсы
14.05. Oppo может получить улучшенную квадратную фронталку разрешением 100 МП
14.05. Vivo Y60 – бюджетник с экраном 120 Гц и АКБ 6500 мАч
13.05. Nubia GT Buds – прозрачный дизайн, RGB-подсветка и ANC за $39
13.05. Samsung запускает One UI 9 Beta на базе Android 17, ещё до анонса ОС от Google
13.05. Honor Pad 20 с дисплеем 12.1" 3K, Snapdragon 7 Gen 3 и АКБ 10 100 мАч показали на тизерах
11.05. Huawei Watch Fit 5 и Watch Fit 5 Pro выходят на глобальный рынок
11.05. Acer Iconia iM11 5G – Dimensity 7050, 5G и 7400 мАч за $249
08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально
08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально
07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320
07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90
06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249
06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?
06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка
05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы
05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500
05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5
