MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
20.03. Региональные операторы столкнулись с демонтажом своего оборудования с опор, принадлежащих Россетям
19.03. Олег Хазов заменит Илью Иванцова на позиции главы ПАО Элемент
19.03. Сети 5G в России должны будут уметь использовать отечественный алгоритм шифрования
19.03. Билайн Big Data & AI открыл демодоступ к новым ИИ-агентам для аналитики и маркетинга
19.03. В России освоили производство активных лазерных элементов
19.03. В Ростехе запаздывают с серийным выпуском базовых станций сотовой связи
19.03. Рынок ПК в России упал и вряд ли вырастет в ближайшее время
19.03. МТС в Забайкальском крае - мобильный интернет ускорен в посёлке Ясногорск
18.03. KDDI внедряет многофункциональную систему оптимизации сети на основе искусственного интеллекта
18.03. В Японии додумались до аварийного роуминга
18.03. Samsung смог продать свои микросхемы HBM4 компании AMD
18.03. Nvidia надеется, что все же сможет поставить чипы H200 клиентам в Китае
18.03. МегаФон в Оренбургской области - покрытие 4G улучшено у Сорочинского водохранилища
18.03. Билайн сообщает о расширении покрытия и умощнении сети в ряде городов и районов региона
20.03. Lenovo представила компактный Y700 с двумя USB-C и большие Xiaoxin Pro
20.03. iQOO Z11 с батареей 9020 мАч и экраном 165 Гц представят 26 марта
19.03. Ulefone RugKing 5 Pro – 20 000 мАч, 1202 светодиода и ночное видение за 270 долларов
19.03. Oppo A6s 5G – 80-ваттная зарядка и IP69 за 18 999 рупий
19.03. FOSSiBOT F116 Pro – компактный защищенный смартфон с креплением для экшн-камеры
18.03. Samsung Galaxy M17e 5G – ребрендинг A07 с батареей 6000 мАч за 140 долларов
18.03. Oppo Watch X3 – титан, сапфир и мониторинг глюкозы
18.03. Oppo Find N6 появился на глобальном рынке
17.03. Представлен Vivo Y51 Pro 5G с батареей 7200 мАч и защитой IP69
17.03. iQOO Z11x 5G – батарея 7200 мАч и мощный чип за 205 долларов
17.03. Realme C100 5G с экраном 144 Гц и АКБ 7000 мАч засветился у европейского ритейлера
16.03. Представлен Lava Bold 2 5G с плоским экраном, чистым Android и демократичной ценой
16.03. Раскрыты характеристики Oppo Pad 5 Pro – мощный планшет с батареей 13 000 мАч
16.03. Nubia набирает тестировщиков OpenClaw AI на Z80 Ultra
13.03. Представлен Motorola Edge 70 Fusion+ с улучшенной камерой
13.03. Energizer P30K Apex, смартфон с батареей 30 000 мАч, ожидается в июне
12.03. Honor 600 Lite – металл, AMOLED и батарея на 6520 мАч за €300
12.03. В Китае стартовали продажи Honor Magic V6 с рекордной батареей
