MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах
25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг
24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением
24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL
24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей
24.03. Кризис расползается по цепочке поставок
24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%
24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile
24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440
23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году
23.03. Samsung Electronics вложит рекордные 110 трлн вон
23.03. МТС разместила биржевые облигации серии 002P-17 на 10 млрд
23.03. Билайн в Нижегородской области - покрытие 4G расширено в столице и в сельских населенных пунктах
23.03. Бельгийская imec получила в свое распоряжение ASML High NA EUV
25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц
25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч
25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки
24.03. Huawei Enjoy 90 Plus и Enjoy 90 – Kirin 8000, батареи 6620 мАч и доступные цены
24.03. Huawei Enjoy 90 Pro Max – Kirin 8000, батарея 8500 мАч и экран 120 Гц за 250 долларов
23.03. Redmi 15A 5G – 6300 мАч и 120 Гц за «реальные деньги»
23.03. Xiaomi 17T и 17T Pro засветились в IMDA
20.03. Lenovo представила компактный Y700 с двумя USB-C и большие Xiaoxin Pro
20.03. iQOO Z11 с батареей 9020 мАч и экраном 165 Гц представят 26 марта
19.03. Ulefone RugKing 5 Pro – 20 000 мАч, 1202 светодиода и ночное видение за 270 долларов
19.03. Oppo A6s 5G – 80-ваттная зарядка и IP69 за 18 999 рупий
19.03. FOSSiBOT F116 Pro – компактный защищенный смартфон с креплением для экшн-камеры
18.03. Samsung Galaxy M17e 5G – ребрендинг A07 с батареей 6000 мАч за 140 долларов
18.03. Oppo Watch X3 – титан, сапфир и мониторинг глюкозы
18.03. Oppo Find N6 появился на глобальном рынке
17.03. Представлен Vivo Y51 Pro 5G с батареей 7200 мАч и защитой IP69
17.03. iQOO Z11x 5G – батарея 7200 мАч и мощный чип за 205 долларов
17.03. Realme C100 5G с экраном 144 Гц и АКБ 7000 мАч засветился у европейского ритейлера
16.03. Представлен Lava Bold 2 5G с плоским экраном, чистым Android и демократичной ценой
16.03. Раскрыты характеристики Oppo Pad 5 Pro – мощный планшет с батареей 13 000 мАч
