Силовая электроника

MForum.ru

Силовая электроника

11.09.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


 

 

Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников  --  Микроэлектроника 

2018

  • ON Semiconductor
  • Mitsubishi Electric Corp
  • Toshiba
  • STMicroelectronics
  • Vishay Intertechnology
  • Renesas Electronics
  • ROHM Semiconductor
  • Nexperia
  • Microsemi
  • IXYS Corporation
  • Semikron Inc

 

Новости

2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.

2020.02.22 TSMC подписала договор с STMicroelectronics на производство силовой электроники на основе нитрида галлия (GaN)

 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

18.11.2019 23:38 От: ABloud

Силовая электроника

Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.

Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.

Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

technosphera.ru - можно читать бесплатно, или chitai-gorod.ru - заказать.

07.12.2021 13:39 От: ABloud

[Силовая электроника. Практикум]

В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.

В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.

Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.

В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.


Новое сообщение:
Complete in 4 ms, lookup=0 ms, find=4 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

24.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy F23 5G / MForum.ru

24.01. [Новинки] Слухи: Vivo Y75 5G получит SoC Dimensity 700 и 50 Мп камеру / MForum.ru

21.01. [Новинки] Анонсы: Готовится релиз Doogee V20 / MForum.ru

21.01. [Новинки] Слухи: Honor X30i и Play 30 Plus появятся в России / MForum.ru

20.01. [Новинки] Слухи: Портфолио Vivo может пополнить планшет на Snapdragon 870 / MForum.ru

20.01. [Новинки] Слухи: Nokia G21 готовится к анонсу в Индии / MForum.ru

19.01. [Новинки] Слухи: Рендеры Samsung Galaxy S22 Ultra появились в сети / MForum.ru

19.01. [Новинки] Слухи: TCL 30 и TCL 30+ замечены на рендерах / MForum.ru

18.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Vivo Y55 5G c Dimensity 700 и АКБ 5000 мАч / MForum.ru

18.01. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A53 5G замечен у регуляторов / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y21e представлен официально / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Складной смартфон Google Pixel Notepad будет дешевле аналогов / MForum.ru

14.01. [Новинки] Слухи: Realme C35 (RMX3511) с чипсетом UNISOC и 4 Гб ОЗУ замечен в Geekbench / MForum.ru

14.01. [Новинки] Анонсы: Планшет Motorola Tab G70 стал доступен в Бразилии / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Oppo A36 представлен официально / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Meizu Blue Charm 10 – бюджетная новинка с корпусом из стекла / MForum.ru

12.01. [Новинки] Анонсы: OnePlus 10 Pro представлен официально / MForum.ru

12.01. [Новинки] Слухи: Motorola Razr 3 будет основан на Snapdragon 8 Gen 1 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: 4G-смартфон Realme 9i представлен официально / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Honor Magic V представлен официально / MForum.ru