MForum.ru
28.10.2019,
Сегнетоэлектрики это материалы, которые одновременно могут обладать характеристиками диэлектриков, но при этом поляризоваться, сохраняя заряды даже при отсутствии внешнего электрического поля. Как правило, спонтанная поляризация проявляется при определенной температуре или за счет приложенного внешнего поля или внешнего напряжения. Среди сегнетоэлектриков могут быть пьезоэлектрики и пироэлектрики, спонтанная поляризация которых не зависит от внешних факторов. Типичные сегнетоэлектрики, например: сегнетова соль, титанат свинца, двойная соль винной кислоты, титанат бария, необат лития и другие.
Новости
2019.11.28 Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора.
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной чуть ли не в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния толщиной 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого важно разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич. Источники: tadviser.ru ; mri-progress.ru
2019.07.10 В Университете Нового Южного Уэльса (Австралия) экспериментируют с дителлуридом вольфрама в кристаллической форме. Этот материал при комнатной температуре обладает, как свойствами металла, так и свойствами сегнетоэлектрика, что сулит перспективы его использования в силовой микроэлектронике. / hi-news.ru
2018.05.21 Физики из МФТИ доказали, что состояние сегнетоэлектрической памяти зависит от перестройки кристаллической решетки материала из которого она состоит. Вместе с сотрудниками Университета Небраски, США, ученые показали, что в пленке из оксида гафния Hf0.5Zr0.5O2 при воздействии электрического поля часть электронов смещается в сторону, создавая заряженный участок, и этот заряд сохраняется даже после прекращения действия внешнего электрического поля, что свойственно группе материалов под названием сегнетоэлектрики.
Сегнетоэлектрики остаются поляризованными, как ферромагнетики продолжают быть намагниченными. Этот эффект может быть использован для создания микроскопических ячеек для компьютерной памяти.
Исследования подтвердили, что в результате воздействия электрического поля перестраивается кристаллическая решетка оксида гафния. Это прояснило природу сэгнетоэлектрических свойств этого материала.
Оксид гафния интересен тем, что он уже применяется в микроэлектронной промышленности, например, в процессорах Intel. Конформную (однородную по толщине) пленку оксида гафния толщиной от 5 до 20 нм можно получать методом атомно-слоевого осаждения. Это обеспечивает материалу потенциальную применимость, как в современной микроэлектронике, так и в перспективе, например, в трехмерной микроэлектронике. Подробнее http://polit.ru/article/2018/05/16/ps_mipt/ ; статья в ACS Applied Materials and Interfaces https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.7b17482
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
подписывайтесь: на Facebook-страницу, посвященную микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
04.03. [Краткие новости] Термины рынка микроэлектроники / MForum.ru
21.02. [Краткие новости] Микроэлектроника / MForum.ru
Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память, с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной примерно в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния, 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого хорошо бы разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.
Источник:
21.05. [Новинки] Слухи: Infinix GT 30 Pro замечен на «живых» фото / MForum.ru
21.05. [Новинки] Слухи: Использование Snapdragon 8 Elite 2 в Xiaomi 16 подтверждено официально / MForum.ru
20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei представила Nova 14 Ultra со спутниковой связью и HarmonyOS 5 / MForum.ru
20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei Nova 14 и Nova 14 Pro представлены официально / MForum.ru
19.05. [Новинки] Слухи: 22 мая Xiaomi представит собственный мобильный чипсет Xring 01 / MForum.ru
19.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты дата анонса Infinix XPad GT и его ключевые характеристики / MForum.ru
16.05. [Новинки] Анонсы: Vivo V50 Elite Edition в комплекте с Vivo TWS 3e Buds появился в Индии / MForum.ru
15.05. [Новинки] Компоненты: MediaTek Dimensity 9400e представлен официально / MForum.ru
15.05. [Новинки] Анонсы: Oppo Pad SE официально представлен в Малайзии / MForum.ru
14.05. [Новинки] Анонсы: ZTE Nubia Z70S Ultra выходит на международные рынки / MForum.ru
14.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Huawei Nova 14 Ultra / MForum.ru
13.05. [Новинки] Слухи: Vivo работает над S30 и S30 Pro mini / MForum.ru
13.05. [Новинки] Компоненты: MediaTek представил Helio G200 с немного более быстрым графическим процессором и лучшим HDR для видео / MForum.ru
13.05. [Новинки] Анонсы: Sony Xperia 1 VII с компонентами Walkman представлен официально / MForum.ru
12.05. [Новинки] Анонсы: Подтверждена дата глобального релиза Realme GT 7 / MForum.ru
12.05. [Новинки] Слухи: Infinix Xpad GT может получить чипсет Snapdragon 888 / MForum.ru
12.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности об экрана и чипсете OnePlus 15 / MForum.ru
07.05. [Новинки] Анонсы: Представлен концептуальный смартфон Realme GT с АКБ 10000 мАч / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты спецификации Samsung Galaxy Z Flip 7 / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Vivo X200 FE с экраном 6,31 дюйма / MForum.ru