сегнетоэлектрики

MForum.ru

сегнетоэлектрики

28.10.2019, MForum.ru


сегнетоэлектрики  --  Перспективные материалы 

Сегнетоэлектрики это материалы, которые одновременно могут обладать характеристиками диэлектриков, но при этом поляризоваться, сохраняя заряды даже при отсутствии внешнего электрического поля. Как правило, спонтанная поляризация проявляется при определенной температуре или за счет приложенного внешнего поля или внешнего напряжения. Среди сегнетоэлектриков могут быть пьезоэлектрики и пироэлектрики, спонтанная поляризация которых не зависит от внешних факторов.  Типичные сегнетоэлектрики, например: сегнетова соль, титанат свинца, двойная соль винной кислоты, титанат бария, необат лития и другие.  

 

 

Новости

2019.11.28 Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора. 
Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной чуть ли не в миллион раз.
Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния толщиной 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.
Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого важно разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.
Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.
У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.
Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей ЗенкевичИсточники: tadviser.ru ; mri-progress.ru

2019.07.10 В Университете Нового Южного Уэльса (Австралия) экспериментируют с дителлуридом вольфрама в кристаллической форме. Этот материал при комнатной температуре обладает, как свойствами металла, так и свойствами сегнетоэлектрика, что сулит перспективы его использования в силовой микроэлектронике. / hi-news.ru  

2018.05.21 Физики из МФТИ доказали, что состояние сегнетоэлектрической памяти зависит от перестройки кристаллической решетки материала из которого она состоит. Вместе с сотрудниками Университета Небраски, США, ученые показали, что в пленке из оксида гафния Hf0.5Zr0.5O2 при воздействии электрического поля часть электронов смещается в сторону, создавая заряженный участок, и этот заряд сохраняется даже после прекращения действия внешнего электрического поля, что свойственно группе материалов под названием сегнетоэлектрики.
Сегнетоэлектрики остаются поляризованными, как ферромагнетики продолжают быть намагниченными. Этот эффект может быть использован для создания микроскопических ячеек для компьютерной памяти.
Исследования подтвердили, что в результате воздействия электрического поля перестраивается кристаллическая решетка оксида гафния. Это прояснило природу сэгнетоэлектрических свойств этого материала. 
Оксид гафния интересен тем, что он уже применяется в микроэлектронной промышленности, например, в процессорах Intel. Конформную (однородную по толщине) пленку оксида гафния толщиной от 5 до 20 нм можно получать методом атомно-слоевого осаждения. Это обеспечивает материалу потенциальную применимость, как в современной микроэлектронике, так и в перспективе, например, в трехмерной микроэлектронике. Подробнее http://polit.ru/article/2018/05/16/ps_mipt/ ; статья в ACS Applied Materials and Interfaces https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.7b17482

  

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике 

подписывайтесь: на Facebook-страницу, посвященную микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

04.03. [Краткие новости]  Термины рынка микроэлектроники / MForum.ru

21.02. [Краткие новости]  Микроэлектроника / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

28.11.2019 16:47 * От: ABloud

Специалисты МИФИ, работая совместно с учеными Германии и США, разработали методику измерения распределения электрического потенциала внутри сегнетоэлектрического конденсатора

Считается, что на основе таких конденсаторов будет создаваться перспективная энергонезависимая память, с быстродействием на порядок более высоким, нежели, чем у современной флэш-памяти. Что не менее важно, ожидается, что ресурс перспективной памяти превзойдет ресурс современной примерно в миллион раз.

Перспективным материалом считается оксид гафния HfO2, аморфный диэлектрик, который при определенных условиях может образовывать стабильные кристаллы с сегнетоэлектрическими свойствами. В основе новой ячейки памяти - тонкий слой оксида гафния, 10нм. С двух сторон к нему примыкают электроды, как и в обычном конденсаторе.

Чтобы такой конденсатор получился эффективным, необходимо добиться от конструкции максимально возможной поляризации. А для этого хорошо бы разобраться, какие в точности процессы идут внутри нанослоя. До сих пор исследователи сегнетоэлектриков оперировали только математическими моделями, теперь, после работы российских и зарубежных ученых, появляется возможность проводить измерения в исследуемых образцах.

Для этого был задействован метод высокоэнергетической рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Подходящая установка есть в Гамбурге (ФРГ), здесь и экспериментировали с конденсаторами.

У нового изделия есть несколько великолепных свойств: существенно более высокое число циклов перезаписи, а также слабая чувствительность к радиационному воздействию.

Темой в МИФИ занимаются: Андрей Глосковский, Юрий Матвеев, Дмитрий Негров, Виталий Михеев и Андрей Зенкевич.

Источник: tadviser.ru ; mri-progress.ru


Новое сообщение:
Complete in 3 ms, lookup=0 ms, find=3 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

04.07. [Новинки] Слухи: Аксессуары для Samsung Galaxy Z Flip 7 показали на рендерах / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Moto G100 Pro с MediaTek Dimensity 7300 и АКБ 6720 мАч представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i с AI-функциями представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Tecno представила 3 смартфона серии Spark 40 / MForurm.ru

02.07. [Новинки] Cлухи: Появились подробности о Google Pixel 10 Pro и Google Pixel 10 Pro XL / MForum.ru

02.07. [Новинки] Анонсы: Nothing Phone (3) с Glyph Matrix представлен официально / MForum.ru

01.07. [Новинки] Слухи: Moto G96 5G может быть представлен 9 июля / MForum.ru

01.07. [Новинки] Слухи: Появились данные о размере батареи Redmi Turbo 5 Pro / Poco F8 / MForum.ru

30.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Watch S4 41 мм и Band 10 представлены официально / MForum.ru

27.06. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Pad 7S Pro 12.5 на чипсете Xring O1 представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Redmi K80 Ultra представлен официально / MForum.ru

26.06. [Новинки] Анонсы: Экологичный смартфон Fairphone 6 представлен официально / MForum.ru

25.06. [Новинки] Анонсы: Poco F7 на чипсете Snapdragon 8s Gen 4 представлен официально / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Galaxy Unpacked 2025 состоится 9 июля / MForum.ru

24.06. [Новинки] Анонсы: Компактный смартфон Vivo X200 FE представлен официально / MForum.ru

23.06. [Новинки] Анонсы: Oppo K13x 5G представлен как «самый надежный смартфон в сегменте» / MForum.ru

23.06. [Новинки] Слухи: Толщина Honor Magic V5 составит 8,8 мм / MForum.ru

20.06. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Redmi K80 Ultra / MForum.ru

20.06. [Новинки] Слухи: Honor Magic V5 может стать самым тонким складным смартфоном в мире / MForum.ru

19.06. [Новинки] Анонсы: Глобальная версия Oppo Reno 14 5G представлена в Японии / MForum.ru