Термины рынка микроэлектроники  --  Микроэлектроника

 

Алмаз

считается перспективным для использования в микроэлектронике материалом. 

Арсенид галлия

(см. GaAs)

БиКМОП

технология с биполярными npn-транзисторами (преимущественно используется для аналоговых схем)

БМК 

базовый матричный кристалл, микросхема, содержащая базовые ячейки без нескольких верхних слоев металлизации, добавление которых позволяет соединить ячейки нужным заказчику образом. Своего рода "аналог" (предшественник) ПЛИС. 

вафля

от англ. wafer - то же, что и пластина, изготовленная из поликремния и отполированная. 

вертикальный монтаж

PoP от Package-on-Package ("корпус-на-корпусе") - метод монтажа интегральных схем, когда один или более компонентов монтируют друг на друга. 

висмут

металл, добывается в России, поставляется в США и на другие мировые рынки. Применяется в сегнетоэлектриках, магнитоэлектриках, как легкоплавкий припой для чувствительных к нагреву СВЧ-компонентов. 

галлий

Ga, активно используется в виде арсенида галлия, GaAs, для создания СВЧ полупроводниковых устройств и нитрида галлия, например, в светодиодах. Поставляется Россией в США и на другие рынки. Перспективным считается также использование оксида галлия, Ga2O3. 

двойное легирование в органических полупроводниках

Легирование в органических полупроводниках происходит за счет так называемой окислительно-восстановительной реакции. При таком подходе молекула легирующей примеси заимствует электрон из полупроводника, что повышает его электропроводимость. Чем больше молекул легирующей примеси, тем выше проводимость полупроводника, до определенного предела, конечно. После достижения порогового значения, процесс “разворачивается” - итоговая проводимость полупроводника начинает падать. Профессор Кристиан Мюллер и его группа, а также коллеги из семи других университетов демонстрируют, что можно забирать не один, а два электрона на каждую молекулу легирующей примеси. Соответствующая статья вышла в научном журнале Nature Materials. “Двойное легирование”, как назвали новый подход, позволяет заметно отодвинуть предел электропроводности органического полупроводника, повышая его энергоэффективность. 
2019.01.19 В Швеции обнаружили возможность "двойного легирования". 

Деннародовское масштабирование

Следствие "закона Мура". Удельная мощность на единицу площади чипа остается постоянной. 

Диоксид кремния

Применяется в микроэлектронике в качестве изолирующего слоя при изготовлении полупроводниковых микросхем. Аморфный диоксид кремния из рисовой шелухи (до 85% диоксида кремния содержится в золе, получаемой при сжигании рисовой шелухи) превосходит качеством порошки диоксида кремния, получаемые из силиката натрия или кристаллического диоксида кремния в металлургическом переделе. Мировой рынок аморфного диоксида кремния ежегодно растет примерно на 5% в год и по прогнозу аналитиков к 2020 г. его объемы достигнут 1,5 млрд долларов. 

ДТЛ

диодно-транзисторная логика

И2Л

интегральная инжекционная логика

ИСЛ

истоково-связанная логика (как правило, на полевых транзисторах JFET или MESFET). Быстрая, но очень много потребляет. 

карбид кремния

см. SiC 

карборунд

см. SiC (карбид кремния) 

КДБ

кремний с дырочной проводимостью, легированный бором

Кельвина отвод

отдельный вывод сигнала истока

КМДП

комплиментарный МДП транзистор (МДП - металл диэлектрик проводник)

КМОП

комплиментарный металл-оксидные полупроводники, КМОП-транзисторы (МОП - металл оксид проводник, от англ. CMOS)
В 2019 году более 50% мирового рынка CMOS-сенсоров приходится на  Sony. 

КНИ

кремний на изоляторе - технология изготовления полупроводников.
основное использование - для высоких температур или больших скоростей. 
В конце десятых годов можно отметить, что популярность КНИ быстро растет, лидеры в их использовании европейские фабрики - Global Foudries и STM (процессы FD-SOI)

КНС

кремний на сапфире - технология изготовления полупроводников

КСДИ

кремниевые структуры с диэлектрической изоляцией

КЭФ

кремний с электронной электропроводностью, легированный фосфором

легирование

процесс добавление в полупроводник примесей с целью повышения проводимости полупроводника

маршрут

технологический маршрут кристального производства. Последовательность технологических операций по обработке пластины для получения чипов. 

МДПТ

металл-диэлектрик полупроводниковый полевой транзистор (то же, что и MISFET)

МИС

Монолитная интегральная схема

МЛЭ

молекулярно-лучевая эпитаксия. В основе выращивания структуры методом МЛЭ лежит испарение сверхчистых исходных материалов из отдельных ячеек на нагретую монокристаллическую подложках в условиях глубокого вакуума. Достигается скорость до одного слоя атомов в секунду и обеспечиваются атомно гладкие границы между слоями гетероструктуры. 

МЭМС

Микроэлектромеханические системы - устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и микромеханические компоненты. Как правило, изготавливаются на кремниевой подложке. Типовые размеры элементов - от 1 мкм до 100 мкм, при этом размеры чипов - от 20 мкм до 1000 мкм. Используются в том числе для изготовления различных микросхем - актуаторов, датчиков (акселерометры, датчики угловых скоростей, гироскопы, магнитометрические, барометрические датчики и т.п.). Выполняются как на основе кремния, так и на основе полимеров. 

олиготиофены

перспективные органические полупроводники, на основе циклических углеводородов, созержащих атом серы, например, дигексил-квартротиофен. Его осаждают на кремниевую подложку, нагревают для перевода в жидкокристаллическую фазу, охлаждают, частично восстанавливая кристалличность. При этом формируется монослой около подложки, позволяющий переносить заряды в плоскости, что может быть использовано в гибкой электроники.  
2019.06.24 Ученые обнаружили в органических полупроводниковых пленках монослой с интересными свойствами. / naked-science.ru 

пеликлы

защитные пластины, закрывающие фотошаблон для фотолитографии от пыли

перовскиты

класс минералов, например, титанат стронция, с высокими диэлектрическими свойствами, что позволяет отказаться от диоксида кремния и в 3-4 раза снизить толщину транзисторов и, соответственно, снизить ток утечки, повысив плотность транзисторов на чипе, с соответствующим уменьшением энергопотребления. Motorola, например, показала КМОП-транзистор на базе этой технологии и нанесение пленки первскитов на поверхность 20 см кремниевой пластины.
Галогенидные перовскиты пробуют использовать в фотовольтаике для создания высокоэффективных солнечных элементов и светодиодов, в перспективе от материала ожидают возможности выпускать на его основе фотодетекторы, светодиоды, лазеры и дисплеи. В России с материалом экспериментируют, например в НИТУ МИСиС и университете ИТМО. 

ПЛИС

программируемые логические интегральные схемы

поликремний

поликристаллический кремний - материал, состоящий из мелких кристаллов кремния. Занимает промежуточное положение между аморфным кремнием и монокристаллическим кремнием. Основной материал, используемый в кристальном производстве, химически чистая форма промышленно производимого полуфабриката кремния. Получается очисткой технического кремния хлоридными и фторидными методами. Принято различать поликремний полупроводникового качества (дорогой и чистый) и солнечного качества - подходит для фотовольтаики (дешевле и содержит примеси). 

ПТШ

полупроводниковый полевой транзистор Шоттки (то же, что и MESFET - металл (ME)). Полупроводниковый транзистор на эффекте Шоттки. В таких транзисторах используется не управляющий pn-переход, а барьер Шоттки (между полупроводником и металлом). В таком изделии ниже падение напряжения и выше скорость его работы. 

пятаки

контактные площадки

радиофотоника

перспективное направление в микроэлектронике. Одно из перспективных направлений эволюции микроэлектроники, наряду, например, со спинтроникой.

сегнетоэлектрики

Сегнетоэлектрики это материалы, которые одновременно могут обладать характеристиками диэлектриков, но при этом поляризоваться, сохраняя заряды даже при отсутствии внешнего электрического поля. Как правило, спонтанная поляризация проявляется при определенной температуре или за счет приложенного внешнего поля или внешнего напряжения. Среди сегнетоэлектриков могут быть пьезоэлектрики и пироэлектрики, спонтанная поляризация которых не зависит от внешних факторов.  Типичные сегнетоэлектрики, например: сегнетова соль, титанат свинца, двойная соль винной кислоты, титанат бария, необат лития и другие.  

система в корпусе

 объединение разнородных чипов не на плате, а в одном корпусе. Открывает дорогу созданию ИМС, где в одном корпусе стоит, например, арсенид-галлиевый чип и кремниевый (радио+IoT), разнообразной оптики, МЭМС, сенсоров и т.п. с КМОП.  

ситалл

стеклокерамический материал на стеклянной основе, получаемый путем термообработки стекла (объемной кристаллизацией стекла), высоко стоек к кислотам, не порист, дает малую объемную усадку, газонепроницаем, при высоких температурах имеет малую газоотдачу. От традиционного стекла ситаллы отличаются кристаллической структурой – как у керамики, но с более мелкими кристаллами и более плотной упаковкой кристаллов, за счет чего полностью исключается пористость материала. 
Впервые новый класс стеклокристаллических материалов, получивших название ситаллы, был разработан в СССР научным коллективом под руководством профессора Исаака Китайгородского.
В России налажено производство ситалловых подложек в "РТ-Химкомозит". 

скандий

редкоземельный металл. Добывается в России и поставляется в США и на другие мировые рынки. Имел важную роль в виде оксида скандия в производстве суперЭВМ с памятью на ферритах. 

СнК

Система на кристалле (SoC). 

топология интегральной микросхемы

пространственно-геометрическое расположение совокупности элементов интегральной микросхемы и связей между ними

ТТЛ

транзисторно-транзисторная логика

ТТЛШ

транзисторно-транзисторная логика с диодами Шотки

чип

от англ. chip - то же, что и кристалл

чистая комната

производственное помещение с низким числом частиц пыли на единицу объема 

фаблесс

От англ. fabless - без производства, компании, занимающиеся разработкой, использующие для выпуска чипов не свои производственные мощности, которых у них нет, а размещающие заказы на контрактных (foundry) производствах.

фаундри

изготовление ИМС на заказ, контрактное производство полупроводников

фотолитография

вытравливание элементов на кристалле, покрытом диэлектрической пленкой, с помощью воздействия света. 

ЭСЛ

эмиттерно-связанная логика, отличалась большим быстродействием при работе на большие емкостные нагрузки, нежели чем сборки на КМОП или ТТЛ. 

ЭСС

эпитаксиальные структуры кремния со скрытыми слоями

1C

Малая интегральная схема 

A2B6

Класс соединений. Среди них ожидают обнаружить ряд перспективных материалов для использования в микроэлектроники будущего.

A3B5

Материалы с высокой подвижностью электронов. Их пробуют применять в каналах n-типа (p-тип из германия с его высокой подвижностью дырок).  

ALD (Atomic Layer Deposition)

метод атомно-слоевого осаждения

BCD

Bipolar - CMOS - DMOS. Технология позволяющая собрать на одном кристалле биполярную аналоговую часть, КМОП для цифровой части, а также высоковольтные ключи на том же кристалле. Так можно на одном чипе собрать все, что нужно для управления электромоторами или DC/DC преобразователь. 

BCD SOI

То же, что и BCD, но  с полной диэлектрической изоляцией элементов. 

BGA

ball grid array - массив сетки шариковых выводов. Тип корпуса микросхемы с "шариковыми" выводами без "ножек". 

Bipolar Transistor

биполярный транзистор - транзистор, в котором для работы нужны оба типа носителей заряда, и электроны, и дырки. Такой транзистор управляется током базы. Обычно выполняется на базе pn-переходов или гетеропереходов (HBT).  

BiHEMT

биполярно-канальная структура с высокой подвижностью электронов. 

BJT

Bipolar Junction Transistor - биполярный транзистор, см. Bipolar Transistor 

CCZ

метод получения монокристаллов с использованием печи Чохральского, обеспечивающий их вытягивание вверх и сплавление. За один рабочий цикл печь позволяет вытягивать 8-10 стержней. По сравнению с методом RCZ, CCZ дает кристаллические стержни повышенного качества и с более стабильной резистивностью. 
Технология CCZ 5-го поколения - метод кристаллизации кремневодорода в псевдоожиженном слое (FBR). 

CVD

осаждение диэлектрических или металлических пленок из газовой фазы

design kit

блочные элементы конструкции ИМС

DHBT

double HBT - двухпереходные гетеро-биполярные транзисторы, гетеро-биполярные транзисторы с эмиттерным и коллекторным переходами. Как правило, от однопереходных SHBT отличаются повышенным напряжением пробоя, но не столь высокими, как у SHBT граничными частотами. 

Die-on-Die

Метод, когда полупроводниковые микросхемы склеиваются друг с другом

DIP

dual in-line package - ИМС в корпусах с выводами в два ряда

DMOS

Технология, используемая в основном для создания высоковольтных транзисторов. 

E-D JFET

Е - технология JFET с нормально закрытыми транзисторами (обычно GaAs), E - enchancemtent; активные транзисторы
D - технология JFET с нормально открытыми транзисторами (обычно GaAs), D - depleted, обычно в нагрузках

ELTV

от англ. Extremely Low Threshold Voltage (ELTV) - экстремально низкое питание на уровне порогового напряжения 

EUV

технология использования жесткого ультрафиолетового излучения для фотолитографии. По состоянию на начало 2018 года, у технологии есть проблемы - не готовы защитные покрытия, защищающие пластины от разрушительного действия жесткого УФ излучения. Прозрачность покрытий должна достигать 90%, а пока что она не выше 83%. Качество фоторезиста не позволяет снизить толщину его слоя. Мощность сканеров EUV в среднем в районе 145 Вт, новые сканеры выдают до 250 Вт, но желательно еще более поднять мощность. 

Fabless

Дословно с англ. - без производства. Компании, занимающиеся разработкой микросхем, но не их производством, поскольку не имеют собственных фабрик по производству микросхем. Такие предприятия размещают заказы на контрактных производствах (фаундри).  

FBR

высококачественный гранулированный кремний - сырье для CCZ. 

FD-SOI

Fully-Depleted Silicon-On-Insulator - полностью обедненный кремний на изоляторе. Эта технология позволяет повысить рабочие частоты транзисторов за счет снижения токов утечек по сравнению с пластинами из монолитного кремния.

FD-SOI MOSFET транзисторы удобно использовать для IoT и других задач с питанием от батарей, поскольку они позволяют обеспечить малое энергопотребление и контроль соотношения потребления и скорости.  

FET

Field-Effect Transistor - транзистор, действие которого основано на полевом эффекте, такое изделие требует только одного типа носителей заряда. У полевого транзистра есть канал, управляемый приложенным к затвору напряжением. Существует немало разновидностей полевых транзисторов. 
Основные плюсы - нулевой входной ток, низкое выходное сопротивление, отличные способности к переключениям. 
Недостатки - низкий коэффициент усилиения, шум, могут повреждаться электростатическими разрядами.  

FinFET

технология транзисторов с монолитными затворами-ребрами (вместо них ожидаются транзисторы с составными затворами) - ранее применялась плоская форма канала.
Cтруктура в виде FinFET транзисторов полностью перестанет работать после технологических норм 3,5 нм, ей на смену, как ожидается придет технология Gate-All-Around. 

FRD

быстровосстанавливающийся диод

FPGA

программируемая вентильная матрица

FRAM

ИМС сегнетоэлектрической памяти 

GAA (Gate-All-Around)

кольцевые затворы, технология, которая должна прийти на смену технологии FinFET по мере того, как техпроцессы переходят на нормы 3-4 нм и меньше.  

GAAFET (Gat-All-Around FET) 

технология изготовления транзисторов с кольцевыми затворами. Ее разрабатывают такие компании, как IBM, Globalfoundries, Samsung. Каналы транзисторов GAAFET это своего рода нанопровода, сформированные из кремниевых "нанолистов" (у FinFET канал транзистора представлял собой монолитную вертикальную конструкцию). В январе 2020 году Samsung сообщал о первых успехах в разработке GAAFET по техпроцессу 3нм. 
Будет использоваться LGAA (lateral GAAFET - горизонтальная GAAFET) в 2D-структурах и вертикальные VGAAFET в 3D-структурах. 

GaAs

арсенид галлия. Один из первых сложных полупроводников.
Обладает повышенной подвижностью электронов по-сравнению с германием и кремнием, а также широкой запрещенной зоной (возможность работы в условиях высоких темперетур). Это открыло дорогу к частотам в сотни МГц и единицы ГГц. 
Среди недостатков - высокая подвижность электронов, но не дырок. 

GaN

Нитрид галлия.
Перспективный материал, используемый в полупроводниках, прежде всего, для создания СВЧ-приборов. Позволяет обеспечить высокие пробивные напряжения и значительную выходную мощность. 

Gate-All-Around (GAA)

кольцевые затворы, технология, которая должна прийти на смену технологии FinFET по мере того, как техпроцессы переходят на нормы 3-4 нм и меньше. 
Позволяет ставить транзисторы в несколько слоев. 

HBT

Heterojunction Bipolar Transistor, гетеро-биполярные транзисторы, транзисторы на гетеропереходах (переходы между различными материалами, например, арсенидом галлия и алюмонитридом галлия).
Недостатки таких транзисторов, во-много связаны с использованием для их изготовления арсенида галлия, который не имеет устойчивого собственного окисла, размещается на хрупких подложках. Для него характерны глубокие ловушки на границе раздела активный слой - полуизолирующая подложка, низкая теплопроводность, технологические сложности при изготовления, и как правило высокая стоимость изделия. Выход видится в построении гетеропереходных транзисторов на базе кремния. Особенностью таких транзисторов являются высокие плотности коллекторного тока, что приводит к саморазогреву транзисторов, сниженные величины пробивных напряжений - в общем, здесь также не получается освободиться от всех недостатков. 
Делятся на SHBT (один гетеропереход, более высокие граничные частоты) и DHBT (два гетероперехода - более высокое напряжение пробоя, но сниженные граничные частоты). 

HEMT

от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов, аналог JFET и MESFET. 
Находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. В частности, pHEMT, mHEMT, biHHEMT. Популярны в сложных полупроводниках. 
Как правило, высокая подвижность в изделиях HEMT достигается добавлением в систему материалов с высокой подвижностью электронов, как GaAs, InAs, GaN. Требуют использования так называемых буферных слоев, позволяющих растить бездефектные слои материалов с различными размерами кристаллических ячеек.  
GaAs - это хороший компромисс между стоимостью и характеристиками, InP - используется там, где требуются высокие рабочие частоты (до сотен ГГц) и низкий коффициент шума, GaN - позволяет обеспечить высокие пробивные напряжения и значительную выходную мощность.

HVPE

гибридная эпитаксия из газовой фазы - обеспечивает высокую скорость роста, для толстых слоев

HVM

high-volume manufactoring - крупномасштабное массовое производство

IDM

Аббревиатура от Integrated Device Manufacturer. Относится к фабрикам, производящим микросхемы, которые располагают собственными отделами разработки микросхем. В отличие от Pure Play, которые только производят заказные микросхемы и от fabless, которые только разрабатывают микросхемы. На рынке в 2018 году соревнуются подходы Fabless-PurePlay и IDM.  

IGBT

кристаллы с биполярными транзисторами с изолированным затвором

III-V

тип полупроводника, выращиваемого эпитаксиальным методом, например, GaN

InP

фосфид индия, бинарное соединение, полупроводник группы A3B5 

Integrated Device Manufacturer (IDM)

Относится к фабрикам, производящим микросхемы, которые располагают собственными отделами разработки микросхем. В отличие от Pure Play, которые только производят заказные микросхемы и от fabless, которые только разрабатывают микросхемы. На рынке в 2018 году соревнуются подходы Fabless-PurePlay и IDM.  

IP-блоки

от англ. Intellectual Property - дословно "интеллектуальная собственность". В мироэлектронике под IP понимается законченная часть дизайна, которые разработчики продают (лицензируют) другим разработчикам. Из IP-блоков создаются библиотеки для проектирования микросхем. Используются для ускорения проектирования микросхем. Компании, разрабатывающие микросхемы, могут закупать готовые типовые блоки, самостоятельно разрабатывая только ту часть микросхемы, которая составляет ноу-хау. Это позволяет существенно сократить время от идеи до вывода на рынок готового продукта (TTM - time to market). Рынок разработчиков IP блоков нередко считают частью рынка САПР. Один из крупнейших участников рынка IP-блоков - британская ARM, другие крупнейшие разработчики: IP-подразделения производителей САПР Synopsys и Cadence.

IPD

интегральные пассивные устройства 

IPM

Интеллектуальный силовой модуль. Часто встречается интегральный интеллектуальный силовой модуль.

JFET

транзистор с управляющим pn-переходом. Для запирания канала используется поле, создаваемое за счет напряжения, приложенного к управляющему pn-переходу. 
Канал убран в толщу полупроводника. У него маленький входной ток (в сранении с биполярным транзистором), хорошие шумовые характериситики, почему их нередко берут для входного каскада операционного усилителя. Они хорошо совместимы с биполрной технологией. 

Kelvin source pin

отвод Кльвина, отдельный вывод сигнала истока

LED

Light Emitting Diods - твердотельные светодиоды

LEPECVD

химическое осаждение из газовой фазы, активированной низкотемпературной плазмой, когда низкотемпературная плазма находится в прямом контакте с поверхностью подложки. 

LSI

Large Scale Integration, БИС - большая интегральная схема, число элементов 10^3 - 10^4.

MBE 

молекулярно-лучевая эпитаксия

MESFET

"классические" полевые транзисторы с однородным легированием канала, ME - металл. В таких транзисторах используется не управляющий pn-переход, а барьер Шоттки (между полупроводником и металлом). В таком изделии ниже падение напряжения и выше скорость его работы. 

MEMS

Микроэлектромеханические системы (МЭМС) - устройства, объединяющие в себе микроэлектронные и микромеханические компоненты. Их часто изготавливают на кремниевой подложке, используя технологии микросборки. Типичные размеры микромеханических элементов - от 1 мкм до 100 мкм. Размеры чипа - от 20 мкм до 1000 мкм. Устройства МЭМС получают за счет осаждения слоев материала, их структурирования с помощью фотолитографии и травления для создания требуемой формы. Есть также активные попытки производить МЭМС устройства из полимеров, что позволяет использовать литьевое формование, штамповку или стереолитографию.  

mHEMT

Метаморфные HEMT (от англ. High Electron Mobility Transistor) - гетероструктуры

MISFET

металл-диэлектрик (изолятор) полупроводниковый полевой транзистор 

MOCVD

Металлоорганическое химическое осаждение из газовой фазы - при этом способе металлические реагенты используют совместно с другими химически активными газами, содержащими анионы, такими, как аммиак, используемый при выращивании кристаллов нитридов. Недостатки: необходимость применения дорогостоящих газообразных исходных материалов и низкая скорость роста, а также в ряде случаев необходимость выражщивания буферного слоя. 

MOSFET

Metal-oxide-semiconductor field-effect - МОПТ, полевой транзистор с изолированным от канала затвором. В качестве изолирующего диэлектрика обычно используется оксид, т.е. получается структура Металл-оксид-полупроводник. (Если используется не оксид, то транзистор называют МДПТ (металл-диэлектрик полупроводниковый полевой транзистор) или MISFET (металл-изолятор полупроводниковый полевой транзистор)

MOVPE

Металлоорганическое химическое осаждение из газовой фазы. См. также MOCVD. 

MPW (Multi-Project Wafer)

Мульти-проектная пластина. Услуга, позволяющая объединить в одной кремниевой пластине микросхемы, произведенные в интересах нескольких разработчиков, что позволяет снизить стомиость производства для каждого заказчика. 

MSI

Средняя интегральная схема (число элементов от 10 до 10^3)

Package-on-Package 

PoP или "корпус-на-корпусе") - метод монтажа интегральных схем, когда один или более компонентов монтируют друг на друга (так называемый вертикальный монтаж). 

pHEMT

Псевдоморфные транзисторы с высокой подвижностью электронов с размерами затвора 0.1-0.25 мкм. 

PoP

PoP от Package-on-Package ("корпус-на-корпусе") - метод монтажа интегральных схем, когда один или более компонентов монтируют друг на друга (так называемый вертикальный монтаж). 

Pure-play foundry 

Производство, которое сосредоточено на выпуске микросхем под заказ, не имеющее собственного отдела разработки интегральных схем. Такие фабрики предоставляют мощности для производства фаблесс-разработчикам, таким, как компании Qualcomm, Broadcom, Xilinx, Nvidia и так далее. Примеры таких производств - это TSMC, Global foundries. Производства, имеющие собственную разработку - это IDM. 

PVD 

напыление на пластины металлов, различных проводящих металлических пленок

QFN

quad flat no-leads - плоские выводы по четырем сторонам без ножек. Тип корпуса микросхемы. 

Qg

Заряд затвора

Qgd

Заряд затвора относительно стока

RDS(on)

сопротивление открытого канала

SHBT

Single HBT (Heterojunction Bipolar Transistor, HBT) - биполярные транзисторы с одним гетеропереходом. От транзиcторов DHBT как правило отличаются более высокими граничными частотами, но невысоким напряжением пробоя. 

SiC

карбид кремния. Материал, используемый в микроэлектронике. Обладает низким сопротивлением в открытом состоянии. Хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая разве что арсениду бора. Высокие допустимые рабочие температуры. Устойчив к воздействию радиации. Используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах. Россия поставляет карбид кремния в США.  

В конце "десятых" годов. МОП-транзисторы на основе SiC начали постепенно вытеснять кремниевые МОП-транзисторы, IGBT и приборы на основе GaAs там, где важны мощность и высокое напряжение. 

2018.11.02 Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии 

2018.09.18 Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

SiGe

использование для подложек соединения кремния и германия.

SMIF-контейнер

пластиковый контейнер для пластин с чипами с ультравысокой чистотой среды - 0.00 частиц на кубометр

SMT 

surface-mount technology - технология поверхностного монтажа

Sn-Ag-Cu

олово - серебро - медь. Не содержащий свинца припой. 

SOI

silicon-on-insulator (кремний на изоляторе) - технология, позволяющая поднять скорость при одновременном снижении энергопотребления за счет снижения емкости

SoC

system on the chip (система на чипе), русскоязычный вариант - СнК (система на кристалле)

SON

small outline no-lead - без ножек с плоскими выводами на небольших накладках. Тип корпуса микросхемы.

tapeout

выпуск на фабрику

through-silicon via

TSV - вертикальные электрические соединения - метод вывода контактов из "бутерброда", полученного, например, склеиванием микросхем. 

TMDC

TMDC - transition metal dichalcogenides - тонкие кристаллические пленки дихалькогенидов переходных металлов. 
Тонкие - это мало сказано, речь идет о слоях атомарной толщины, что позволяет говорить о  практически двумерной структуре материала. Такие пленки обладают рядом интересных свойств, что заставляет ученых в разных странах заниматься их изучением.
Темой TMDC интересуются сейчас многие, в частности, идут активные исследования этих материалов в США - в Университете штата Джорджиа, в Берклиевской национальной лаборатории, в Китае - в Китайской академии наук и в Японии. Ученых привлекает возможность создания двумерных материалов и слоистых кристаллических структур на их основе. Среди свойств TMDC - стабильность, возможность получения тонких пленок, нетоксичность и механическая прочность. Еще одна особенность - выявленный в TMDC эффект топологического резонанса.
В основе TMDC лежат переходные металлы, например, молибден или вольфрам и халькогены (элементы группы 16), например, сера или селен (а также кислород, теллур и радиоактивный элемент полоний). Заменяя в такой паре один металл на другой, можно получать проводники, полупроводники и даже сверхпроводники. Объединяя домены с разными свойствами в единую гетероструктуру, можно по сути формировать атомно-тонкую электронику со свойствами, превосходящими свойства современных систем на базе традиционной кремниевой электроники.
Такие материалы можно будет задействовать в вычислительных системах, где вместо электронов используются фотоны (что обещает ускорение работы процессоров в разы), а также создавать запоминающие устройства с низким энергопотреблением, более энергоэффективные светодиоды, лазеры и ячейки для фотовольтаики.

2019.07.02 В Японии научились формировать прямолинейные интерфейсы TMDC доменов

TMG

триметил галлий

TSV

от англ. through-silicon via - вертикальные электрические соединения - метод вывода контактов из "бутерброда", полученного, например, склеиванием микросхем. 

TTM

от англ. time to market - время вывода товара на рынок (с момента начала разработки). 

ULSI

Ultra Large Scale Integration, УБИС, ультрабольшая интегральная схема, число элементов - от 10^7

VDSS

Напряжение сток-исток

VLSI

Very Large Scale Integration  - СБИС, сверхбольшая интегральная схема, число элементов от 10^4 до 10^7

V-NAND

вид флэш-памяти 

Wafer-on-Wafer Technology

Технология, позволяющая непосредственно соединить две кремниевые пластины, так что будут соединены расположенные на них чипы. Недочеты технологии - она годится только для маломощных микросхем, так как из "пирожка" трудно удалить тепловую энергию. Кроме того, снижается выход годных чипов, поскольку склеиваются не уже проверенные микросхемы, как в методе Die-on-Die, а непосредственно пластины. Для вывода контактов применяется технология вертикальных электрических соединений TSV. 
Плюсы: возможность удвоить число транзисторов в микропроцессоре, минимизировать задержки при обмене информацией между чипами. 

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +