MForum.ru
18.09.2018,
Аналитики компании Allied Market Research прогнозируют, что мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния SiC вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы.
Кристалл карбида кремния SiC для изготовления пластин диаметром 100 мм. Источник фото: soel.ru
SiC, карбид кремния, это материал, который научились создавать еще в 1893 году, и пробовали применять в электронике еще в самом начале XX века, например в детекторных приемниках. Но лишь сравнительно недавно начала расти востребованность этого материала в микроэлектронике.
Разработчиков привлекает то, что карборунд хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая по этому показателю разве что арсениду бора. Это обеспечивает возможность получения полупроводниковых приборов, способных работать в условиях высоких температур. Кроме того, материал устойчив к воздействию радиации, что важно для применений в аэрокосмической и военной сфере, в атомной энергетике и медицине.
Сегодня карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах.
Устройства на базе SiC отличаются большей энергоэффективностью, они способны работать с более высокими напряжениями и температурой, чем традиционные полупроводники.
Росту рынка изделий на базе SiC будет способствовать рост спроса на силовую электронику в телекоме (5G), медицине, военных и аэрокосмических применениях, на транспорте и в других применениях, включая фотовольтаику. Такие страны, как Бразилия, Китай и Индия обеспечат устойчивый рост спроса на силовую электронику.
С другой стороны, есть и причины, сдерживающие рост рынка, в частности, высокая стоимость пластин SiC, это же относится к высокочистому порошку SiC и газу силану SiH4.
Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии.
Интересно, что Россия поставляет в США карбид кремния, но, конечно, не полупроводниковый, а лишь абразивный. При этом еще в 1978 году о разработке собственного “метода ЛЭТИ” выращивания кристаллов карбида кремния заявляли в Ленинградском электротехническом институте (ныне СПбГЭТУ).
В 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см. Но и сегодня пластины карбида кремния по-прежнему закупаются за рубежом.
Невелико и число поставщиков очищенного насыщенного кремневодорода или силана (SiH4) - в основном это крупные мультинациональные химические корпорации.
Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия, что сдерживает развитие сегмента изделий на базе SiC.
Тем не менее рынок таких изделий растет и аналитики уверены, что этот рост в ближайшие годы будет ощутимым. Стоит обратить внимание на то, что основной спрос сохранится не на дискретные элементы, а на комплексные продукты силовой электроники.
Глобальный рынок силовых полупроводников на базе SiC. Источник: alliedmarketsearch.com
Ключевые участники рынка изделий на базе SiC:
Хорошо известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.
В России темой силовых полупроводниковых приборов на базе SiC активно занимаются, например, в компании “Протон-Электротекс”, 26 сентября в Екатеринбурге состоится технический семинар "Новые разработки силовых полупроводниковых приборов на Si и SiC". ++
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
теги: микроэлектроника SiC карбид кремния прогнозы
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
05.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В / MForum.ru
05.12. [Новости компаний] Onsemi / MForum.ru
01.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: STM и Soitec углубляют сотрудничество в области SiC / MForum.ru
30.11. [Новости компаний] Ga2O3 / MForum.ru
15.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников / MForum.ru
19.04. [Новинки] Анонсы: Tecno Camon 30 Premier 5G представлен официально / MForum.ru
18.04. [Новинки] Анонсы: Pura 70 и Pura 70 Pro представлены официально / MForum.ru
18.04. [Новинки] Анонсы: Huawei Pura 70 Ultra и Pura 70 Pro+ представлены официально / MForum.ru
18.04. [Новинки] Слухи: Moto E14 готовится к релизу / MForum.ru
17.04. [Новинки] Анонсы: Motorola Edge 50 Fusion – основная камера 50 Мп и аккумулятор емкостью 5000 мАч / MForum.ru
17.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Moto Edge 50 Ultra со SD 8s Gen 3 и деревянной задней панелью / MForum.ru
16.04. [Новинки] Слухи: Стали известные подробности о Oppo K12 / MForum.ru
16.04. [Новинки] Анонсы: Смартфоны Realme P1 и P1 Pro представлены официально / MForum.ru
16.04. [Новинки] Анонсы: Moto G64 5G с Dimensity 7025 и АКБ 6000 мАч представлен официально / MForum.ru
15.04. [Новинки] Слухи: iQOO Z9, Z9x, Z9 Turbo анонсируют 24 апреля / MForum.ru
12.04. [Новинки] Анонсы: Nokia 6310, 5310 и 230 в версиях 2024 года представлены официально / MForum.ru
12.04. [Новинки] Анонсы: Leica представила Leitz Phone 3 с 1-дюймовым сенсором и Snapdragon 8 Gen 2 SoC / MForum.ru
11.04. [Новинки] Анонсы: Redmi Turbo 3 на Snapdragon 8s Gen 3 представлен официально / MForum.ru
11.04. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Pad Pro с 12.1” IPS-дисплеем и SD 7s Gen / MForum.ru
11.04. [Новинки] Слухи: Vivo Y38 5G получит Snapdragon 4 Gen 2 и 8 Гб ОЗУ / MForum.ru
10.04. [Новинки] Слухи: Появился тизер нового смартфона Motorola, возможно речь о Moto G64 / MForum.ru
09.04. [Новинки] Слухи: Realme C63 – бюджетный смартфон с 50 Мп камерой и отделкой искусственной кожей / MForum.ru
09.04. [Новинки] Слухи: iQOO Z9 Turbo получит Snapdragon 8s Gen 3 и АКБ 6000 мАч / MForum.ru
09.04. [Новинки] Анонсы: P=POWER, анонсирована новая серия смартфонов Realme / MForum.ru
08.04. [Новинки] Слухи: Redmi Turbo 3 и Redmi Pad Pro представят 10 апреля / MForum.ru