Микроэлектроника: Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

MForum.ru

Микроэлектроника: Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

18.09.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Аналитики компании Allied Market Research прогнозируют, что мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния SiC вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. 

Кристалл карбида кремния SiC для изготовления пластин диаметром 100 мм.

 Кристалл карбида кремния SiC для изготовления пластин диаметром 100 мм. Источник фото: soel.ru

 

SiC, карбид кремния, это материал, который научились создавать еще в 1893 году, и пробовали применять в электронике еще в самом начале XX века, например в детекторных приемниках. Но лишь сравнительно недавно начала расти востребованность этого материала в микроэлектронике.

Разработчиков привлекает то, что карборунд хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая по этому показателю разве что арсениду бора. Это обеспечивает возможность получения полупроводниковых приборов, способных работать в условиях высоких температур. Кроме того, материал устойчив к воздействию радиации, что важно для применений в аэрокосмической и военной сфере, в атомной энергетике и медицине.

Сегодня карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах.

Устройства на базе SiC отличаются большей энергоэффективностью, они способны работать с более высокими напряжениями и температурой, чем традиционные полупроводники.

Росту рынка изделий на базе SiC будет способствовать рост спроса на силовую электронику в телекоме (5G), медицине, военных и аэрокосмических применениях, на транспорте и в других применениях, включая фотовольтаику. Такие страны, как Бразилия, Китай и Индия обеспечат устойчивый рост спроса на силовую электронику.

С другой стороны, есть и причины, сдерживающие рост рынка, в частности, высокая стоимость пластин SiC, это же относится к высокочистому порошку SiC и газу силану SiH4.

Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии.

Интересно, что Россия поставляет в США карбид кремния, но, конечно, не полупроводниковый, а лишь абразивный. При этом еще в 1978 году о разработке собственного “метода ЛЭТИ” выращивания кристаллов карбида кремния заявляли в Ленинградском электротехническом институте (ныне СПбГЭТУ).

В 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см. Но и сегодня пластины карбида кремния по-прежнему закупаются за рубежом.

Невелико и число поставщиков очищенного насыщенного кремневодорода или силана (SiH4) - в основном это крупные мультинациональные химические корпорации.

Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия, что сдерживает развитие сегмента изделий на базе SiC.

Тем не менее рынок таких изделий растет и аналитики уверены, что этот рост в ближайшие годы будет ощутимым. Стоит обратить внимание на то, что основной спрос сохранится не на дискретные элементы, а на комплексные продукты силовой электроники.

Глобальный рынок силовых полупроводников на базе SiC.

Глобальный рынок силовых полупроводников на базе SiC. Источник: alliedmarketsearch.com

 

Ключевые участники рынка изделий на базе SiC:

  • Infineon Technologies AG,
  • Microsemi Corporation,
  • General Electric,
  • Power Integrations,
  • Toshiba Corporation,
  • Fairchild Semiconductor,
  • STMicroelectronics,
  • NXP Semiconductors,
  • Tokyo Electron Limited,
  • Renesas Electronics Corporation,
  • ROHM,
  • Cree, Inc.

Хорошо известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

В России темой силовых полупроводниковых приборов на базе SiC активно занимаются, например, в компании “Протон-Электротекс”, 26 сентября в Екатеринбурге состоится технический семинар "Новые разработки силовых полупроводниковых приборов на Si и SiC". ++

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника SiC карбид кремния прогнозы 

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

06.09. [Краткие новости] Микроэлектроника: Компания "Протон-Электротекс" приглашает на технический семинар "Новые разработки силовых полупроводниковых приборов на Si и SiC" / MForum.ru

17.08. [Краткие новости] IGBT / MForum.ru

19.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм / MForum.ru

13.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Встречи, патенты, новые разработки, награды, новые технологии / MForum.ru

11.07. [Краткие новости] Микроэлектроника: Разработан СВЧ транзистор мощностью 1.8 кВт / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 4 ms, lookup=0 ms, find=4 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

22.10. [Новинки] Анонсы: Honor 20 Lite (Youth Edition) представлен официально / MForum.ru

22.10. [Новинки] Слухи: Раскрыты ключевые спецификации Samsung Galaxy A51 / MForum.ru

22.10. [Новинки] Компоненты: В 2020 MediaTek планирует представить 5G-чипсет для смартфонов среднего класса / MForum.ru

20.10. [Новинки] Анонсы: HTC выпускает еще один блокчейн-телефон - Exodus 1s / MForum.ru

20.10. [ПО] Анонсы: Объявлен список моделей Xiaomi, которые получат MIUI 11 / MForum.ru

18.10. [Новинки] Анонсы: В России появится смартфон TCL PLEX / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Oppo Reno 2 Z оценен в 29 990 рублей / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Объявлены российские цены Oppo Reno 2 / MForum.ru

16.10. [Новинки] Анонсы: Google Pixel 4 представлен официально / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: Ulefone Armor X5 – бюджетный защищенный смартфон с 4G / MForum.ru

15.10. [Новинки] Анонсы: BQ 5731L Magic S с поддержкой NFC представлен официально / MForum.ru

15.10. [Новинки] Слухи: Samsung работает над Galaxy A5? / MForum.ru

11.10. [Новинки] Анонсы: Motorola One Macro с макро-камерой представлен официально / MForum.ru

10.10. [Новинки] Анонсы: Redmi Note 8 Pro представлен в России / MForum.ru

10.10. [Новинки] Анонсы: Redmi 8 оснастили 12 Мп камерой и АКБ 5000 мАч / MForum.ru

08.10. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A20s оснастили тройной камерой / MForum.ru

08.10. [Новинки] Анонсы: Официально представлен Sony Xperia 8 / MForum.ru

06.10. [Новинки] Анонсы: Oppo A9 (2020) и A5 (2020) – бюджетные смартфоны с АКБ 5000 мАч / MForum.ru

06.10. [Новинки] Анонсы: Vsmart Bee, Vsmart Star, Vsmart Joy 2+ – вьетнамские смартфоны для российского рынка / MForum.ru

04.10. [Новинки] Анонсы: LG G Pad 5 10.1 FHD – планшет на Qualcomm Snapdragon 821 / MForum.ru