Микроэлектроника: Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

MForum.ru

Микроэлектроника: Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

18.09.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Аналитики компании Allied Market Research прогнозируют, что мировой рынок полупроводниковых изделий на базе технологии карбида кремния SiC вырастет от текущего объема $302 млн в 2017 году до $1109 млн в 2025 году, что соответствует среднегодовому росту в 18.1% в период с 2018 по 2015 годы. 

Кристалл карбида кремния SiC для изготовления пластин диаметром 100 мм.

 Кристалл карбида кремния SiC для изготовления пластин диаметром 100 мм. Источник фото: soel.ru

 

SiC, карбид кремния, это материал, который научились создавать еще в 1893 году, и пробовали применять в электронике еще в самом начале XX века, например в детекторных приемниках. Но лишь сравнительно недавно начала расти востребованность этого материала в микроэлектронике.

Разработчиков привлекает то, что карборунд хорошо отводит тепло (в три раза лучше, чем кремний, в 10 раз лучше арсенида галлия), уступая по этому показателю разве что арсениду бора. Это обеспечивает возможность получения полупроводниковых приборов, способных работать в условиях высоких температур. Кроме того, материал устойчив к воздействию радиации, что важно для применений в аэрокосмической и военной сфере, в атомной энергетике и медицине.

Сегодня карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и высокотемпературных тиристорах. Популярно использование SiC в качестве подложки для выращивания светодиодов из нитрида галлия, а также в качестве теплораспределителя в мощных светодиодах.

Устройства на базе SiC отличаются большей энергоэффективностью, они способны работать с более высокими напряжениями и температурой, чем традиционные полупроводники.

Росту рынка изделий на базе SiC будет способствовать рост спроса на силовую электронику в телекоме (5G), медицине, военных и аэрокосмических применениях, на транспорте и в других применениях, включая фотовольтаику. Такие страны, как Бразилия, Китай и Индия обеспечат устойчивый рост спроса на силовую электронику.

С другой стороны, есть и причины, сдерживающие рост рынка, в частности, высокая стоимость пластин SiC, это же относится к высокочистому порошку SiC и газу силану SiH4.

Высокочистый порошек SiC в мире выпускает не так уж много компаний, крупнейшими его поставщиками на сегодня являются Bridgestone, США, Washington Mills, США, LGInnotek, Корея и Pallidus, США. Есть также производители в Германии и Японии.

Интересно, что Россия поставляет в США карбид кремния, но, конечно, не полупроводниковый, а лишь абразивный. При этом еще в 1978 году о разработке собственного “метода ЛЭТИ” выращивания кристаллов карбида кремния заявляли в Ленинградском электротехническом институте (ныне СПбГЭТУ).

В 2014 году ОАО “Светлана” анонсировала разработку промышленной технологии производства монокристаллов и подложек карбида кремния 6H диаметром 7.62 см. Но и сегодня пластины карбида кремния по-прежнему закупаются за рубежом.

Невелико и число поставщиков очищенного насыщенного кремневодорода или силана (SiH4) - в основном это крупные мультинациональные химические корпорации.

Небольшая конкуренция поставщиков приводит к тому, что производители пластин и субстратов SiC, такие как Cree (Wolfspeed) и Dow Corning, устанавливают сравнительно высокие цены на свои изделия, что сдерживает развитие сегмента изделий на базе SiC.

Тем не менее рынок таких изделий растет и аналитики уверены, что этот рост в ближайшие годы будет ощутимым. Стоит обратить внимание на то, что основной спрос сохранится не на дискретные элементы, а на комплексные продукты силовой электроники.

Глобальный рынок силовых полупроводников на базе SiC.

Глобальный рынок силовых полупроводников на базе SiC. Источник: alliedmarketsearch.com

 

Ключевые участники рынка изделий на базе SiC:

  • Infineon Technologies AG,
  • Microsemi Corporation,
  • General Electric,
  • Power Integrations,
  • Toshiba Corporation,
  • Fairchild Semiconductor,
  • STMicroelectronics,
  • NXP Semiconductors,
  • Tokyo Electron Limited,
  • Renesas Electronics Corporation,
  • ROHM,
  • Cree, Inc.

Хорошо известная в России X-FAB Silicon Foundries на днях анонсировала планы удвоения своих производственных мощностей по выпуску изделий на базе SiC на пластинах 150 мм. Производство размещено на заводе компании в Lubbock, Техасе, США. Компания планирует до конца 2018 года установить на этом производстве вторую установку для ионного легирования, что и позволит вдвое нарастить производственные мощности по части выпуска изделий на базе SiC.

В России темой силовых полупроводниковых приборов на базе SiC активно занимаются, например, в компании “Протон-Электротекс”, 26 сентября в Екатеринбурге состоится технический семинар "Новые разработки силовых полупроводниковых приборов на Si и SiC". ++

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника SiC карбид кремния прогнозы 

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

06.09. [Краткие новости] Микроэлектроника: Компания "Протон-Электротекс" приглашает на технический семинар "Новые разработки силовых полупроводниковых приборов на Si и SiC" / MForum.ru

17.08. [Краткие новости] IGBT / MForum.ru

19.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм / MForum.ru

13.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Встречи, патенты, новые разработки, награды, новые технологии / MForum.ru

11.07. [Краткие новости] Микроэлектроника: Разработан СВЧ транзистор мощностью 1.8 кВт / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

23.01. [Новинки] Слухи: Oppo Find X2 представят в июне / MForum.ru

23.01. [Новинки] Анонсы: Объявлены российские цены Honor View 20, Honor Band 4 Running и Honor Watch Magic / MForum.ru

22.01. [Новинки] Анонсы: Официально представлен Vivo Y89 / MForum.ru

22.01. [Новинки] Слухи: Redmi Go сертифицирован в Тайланде / MForum.ru

21.01. [Новинки] Слухи: Живые фото Moto G7 Power подтвердили спецификации и цену / MForum.ru

18.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены и дата релиза Samsung Galaxy M10 и M20 / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y91 с вырезом в экране оценен с 10 999 рупий / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Xiaomi Mi 9 замечен на рендерах / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Doogee Y8 — смартфон с вырезом в экране на $69,99 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Homtom C8 с градиентной панелью оценен в $85 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy A90 / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Nokia 6.2 дебютирует в течение месяца / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Huawei P Smart 2019 появился в России / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: Дешевых Xiaomi Mi ждать больше не стоит / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: HMD Global возродит Nokia N9 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S10 представят 20 февраля / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Note 7 с 48 Мп камерой / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Doogee представила модульный смартфон S90 / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: Lenovo представила умный будильник с динамиком и Google Assistant / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: HiSense U30 — смартфон на Snapdragon 675 с круглым вырезом в экране / MForum.ru