Мемристоры

MForum.ru

Мемристоры

22.05.2022, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Мемристоры

Полупроводниковый компонент, который может хранить не только крайние состояния 0 или 1, но также и промежуточные. Сопротивление мемристора меняется в зависимости от количества заряда, который прошел через него. Закрывается мемристор при смене полярности, а высокое напряжение его открывает. 

На основе мемристоров можно создавать память. В отличие от флэш памяти, она переключается в 1000 раз быстрее, то есть близка по данному показателю к оперативной. Кроме того, она энергонезависима. 

Ведутся поиски материалов для создания мемристорной памяти. Один из вариантов - на гибкую пленку наносят фторированный графен, обрабатывают его ионами ксенона, формируя квантовые точки. В перспективе это может позволить создавать гибкую электронику.   

 

Новости

2022.06 Облучив фторированный графен на гибкой подложке ионами ксенона, ученые создали проводящие квантовые точки в матрице изолятора. Такие структуры можно использовать для создания мемристоров - элементов памяти, которые можно применять, например, для создания гибких датчиков для носимой электроники, включая медицинские применения./ VK

 

-- 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике 

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

01.07.2022 16:32 От: ABloud

[Микроэлектроника. Мемристоры и нейроморфные компьютеры]

Исследование ученых ЛЭТИ позволит повысить эффективность проектирования нейроморфных компьютеров

2022.07.01 пресс-релиз ЛЭТИ через MForum.ru. В ЛЭТИ модифицировали модель одной из наиболее распространенных в мире серийных версий мемристора – элемента компонентной базы для вычислительных устройств, действующих на новых физических принципах.

Сегодня нейросетевые алгоритмы практически достигли предела по эффективности в возможностях обучения вычислительных устройств выполнять самостоятельные действия. Поэтому исследовательские группы по всему миру ведут исследования и разработки новых типов систем искусственного интеллекта.

В этой сфере в последние годы наиболее перспективным направлением являются нейроморфные вычисления, которые используют архитектуры нейронных сетей: по аналогии с биологическими нервными клетками мозга — нейронами. Они способны обмениваться информацией с тысячами других нейронов, а также одновременно и хранить, и обрабатывать информацию.

В теории применение таких технологий позволит создать новый класс вычислительных устройств, обладающих высоким быстродействием и низкими энергозатратами. На деле же, для создания подобных компьютеров требуется разработка эффективной методологии проектирования устройств, соответствующей компонентной базы, математических моделей и программного обеспечения.

«Мы уточнили по ряду параметров математическую модель для серийно производящегося мемристора - это наноразмерный электрический элемент, который используется при создании нейроморфных систем. Уже существующая модель описывала поведение устройства только в общих чертах, что сказывалось на точности проектирования, а значит в дальнейшем это могло повлиять на адекватность работы действующего на основе мемристоров устройства», – рассказывает ассистент кафедры САПР СПбГЭТУ «ЛЭТИ», младший научный сотрудник Молодежного НИИ Валерий Островский.

Для проведения исследований ученые в лаборатории перспективной электроники и сенсорики произвели более сотни измерений различных характеристик (вольт-амперные характеристики, эффект квантования проводимости и проч.) мемристора. На основании собранных данных в исходную модель было предложено добавить хаотический генератор для воспроизведения межциклической вариативности резистивных переключений, связанной с реорганизацией проводящего канала внутри исследуемого устройства. Вторая модификация заключалась в точной настройке модели в соответствии со структурными и частотными характеристиками порогов переключения мемристора при малых токах, нацеленной на долговечное и энергоэффективное применение элемента.

Используемый в экспериментах электрический элемент серийно производится в США. Устройство представляет собой многослойную гетероструктуру на основе халькогенидного стекла с примесью вольфрама в активном слое: (<W/Ge2Se3/Ag/Ge2Se3/SnSe/Ge2Se3/Ge2Se3+W/Ge2Se3/W>).

«Ключевая задача нашего исследования состоит в том, чтобы связать воедино физические образцы мемристоров, моделей и созданных на их основе прототипов вычислительных устройств, причем так, чтобы все они работали. И математические модели в данном случае выступают “мостиком” на пути к созданию нейроморфных компьютеров будущего. Потому что гораздо проще и дешевле отработать все необходимые аспекты функционирования таких систем с помощью моделей, чем создавать множество физических прототипов, не все из которых гарантированно будут работоспособны», – поясняет Валерий Островский.

Результаты исследования опубликованы в научном журнале Nanomaterials.


Новое сообщение:
Complete in 7 ms, lookup=0 ms, find=7 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

12.08. [Новинки] Анонсы: Xiaomi Mix Fold 2 – тонкий складной смартфон / MForum.ru

12.08. [Новинки] Анонсы: Moto S30 Pro – мощное железо по умеренной цене / MForum.ru

12.08. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Motorola Razr 2022 получил Snapdragon 8+ Gen / MForum.ru

12.08. [Новинки] Анонсы: Moto X30 Pro - первый в мире смартфон с камерой 200 Мп / MForum.ru

11.08. [Новинки] Анонсы: На российском рынке появился смартфон Infinix Note 12 NFC G88 / MForum.ru

11.08. [Новинки] Анонсы: Blackview Tab 13 – планшет с режимом ПК / MForum.ru

11.08. [Новинки] Анонсы: Realme 9 (4G) появился в России / MForum.ru

11.08. [Новинки] Анонсы: Смарт-часы OPPO Band 2 представлены официально / MForum.ru

10.08. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Samsung Galaxy A04s / MForum.ru

10.08. [Новинки] Анонсы: OnePlus Ace Pro представлен официально / MForum.ru

09.08. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy Z Flip 4 замечен на рендерах / MForum.,ru

09.08. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Xiaoxin Pad Pro 2022 / MForum.ru

08.08. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy A23 5G представлен официально / MForum.ru

08.08. [Новинки] Анонсы: Планшетный компьютер LG Ultra Tab представлен официально / MForum.ru

05.08. [Новинки] Анонсы: Infinix Smart 6 HD с 6,6-дюймовым HD+ IPS-дисплеем появился в Индии / MForum.ru

05.08. [Новинки] Слухи: Стали известны ключевые спецификации Samsung Galaxy A23 5G / MForum.ru

04.08. [Новинки] Анонсы: Самый дешевый смартфон OnePlus – Nord 20 SE – доступен на AliExpress / MForum.ru

04.08. [Новинки] Анонсы: Представлен OnePlus 10T на Snapdragon 8+ Gen 1 и с 150 Вт зарядкой / MForum.ru

03.08. [Новинки] Анонсы: Бюджетный смартфон Infinix Hot 12 Pro получил экран 90 Гц и 8 Гб ОЗУ / MForum.ru

03.08. [Новинки] Анонсы: Очень доступный смартфон Oukitel C31 представлен официально / MForum.ru