MForum.ru
26.11.2019,
Предприятие в Новосибирске. Входит в РАТМ-Холдинг.
В 2019 году налажено производство пластин на основе GaAs. В феврале 2020 года сообщает о начале производства пластин на базе GaN. В планах - производство ЭКБ силовой электроники на основе GaN и GaaS.
Выпускает электронно-оптические преобразователи для приборов ночного видения.
Экспортирует изделия более, чем в 50 стран, на 2020 год ставится задача расширения географии продаж. Также стоит задача повышения доли на российском рынке пластин GaAs, где сейчас доминируют иностранные поставщики.
Андрей Гугучкин, ген.директор АО "Экран-оптические системы" ..2019.12..
Новости
2020.02.06 Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин. Для этого ранее была приобретена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) у компании Riber, Франция. Отработкой технологических процессов первоначально занимались в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова. Установка позволяет создавать пластины с полупроводниковыми гетероструктурами на основе арсенида галлия, GaAs, и нитрида галлия, GaN. Эти материалы, особенно GaN, считаются перспективными при изготовлении СВЧ-полупроводников, например, для оборудования 5G. Стоимость проекта оценивается в 30 млн евро. / futurerussia.gov.ru
2019.12.26 Создано промышленное производство полупроводниковых гетероструктур соединений A3B5: введена в эксплуатацию установка электронно-лучевой эпитакции фирмы RIBER. Выпускаются подложки на основе GaAs. На втором этапе планируется наладить изготовление пластин GaN, что позволит выпускать приборы с мощностью не 1-2 Вт, как на базе GaAs, а 20-25 Вт. На третьем этапе планируется изготовление ЭКБ на основе GaN и GaAs для силовой электроники.
Совокупный объем инвестиций - примерно 3 млрд рублей. / infopro54.ru
2019.08.29 На АО Экран-оптические системы готовится производство гетероструктур на основе арсенида галлия. Компания закупила установку молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) 4-го поколения фирмы Riber, Франция.
Отработкой технологического процесса для МЛЭ занимаются в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова. Как ожидается, производительность установки будет составлять до 10 тысяч структур в год на подложках диаметром 100-150 мм.
Сейчас МЛЭ находится в режиме технического запуска. Технологический запуск намечен на 2020 год. Объем работы установки будет зависеть от заказов.
В РФ 4 установки МЛЭ (1 - в режиме наладки, 1 не запущена, 1 работает). Новосибирская установка - единственная за Уралом.
В рамках проекта планируется закупка оборудования для паспортизации и характеристики исследования выращенных структур.
Ожидаемые инвестиции: 2.8 млрд руб, из них 344 млн руб. на первом этапе. Источник: infopro54.ru
2018.04.29 В Новосибирске на заводе “Экран-оптические системы” намерены запустить производство эпитаксиальных пластин на основе гетероструктур арсенида галлия, а позднее - нитрида галлия. Для этого закупается промышленная установка во Франции, которая будет размещена на территории Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Позднее будет приобретена и запущена вторая установка, которая станет работать с нитридом галлия. / sbras.info
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
Публикации по теме:
05.01. [Краткие новости] Рынок изготовителей подложек / MForum.ru
23.10. [Краткие новости] Рынок оборудования для производства микроэлектроники / MForum.ru
11.08. [Новости компаний] Избранные новости отечественной микроэлектроники / MForum.ru
11.05. [Новости компаний] Дайджесты: Микроэлектроника в России и в мире 04.05-11.05 / MForum.ru
06.05. [Краткие новости] Микроэлектроника: В Новосибирске наладят выпуск пластин из арсенида галлия и нитрида галлия / MForum.ru
Новосибирский завод "Экран-оптические системы" приступил к производству нитридгаллиевых, GaN, пластин. Для этого ранее была приобретена установка молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) у компании Riber, Франция. Отработкой технологических процессов первоначально занимались в лаборатории МЛЭ ИФП СО РАН им. А.В.Ржанова. Установка позволяет создавать пластины с полупроводниковыми гетероструктурами на основе арсенида галлия, GaAs, и нитрида галлия, GaN. Эти материалы, особенно GaN, считаются перспективными при изготовлении СВЧ-полупроводников, например, для оборудования 5G. Стоимость проекта оценивается в 30 млн евро. /
21.05. [Новинки] Слухи: Infinix GT 30 Pro замечен на «живых» фото / MForum.ru
21.05. [Новинки] Слухи: Использование Snapdragon 8 Elite 2 в Xiaomi 16 подтверждено официально / MForum.ru
20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei представила Nova 14 Ultra со спутниковой связью и HarmonyOS 5 / MForum.ru
20.05. [Новинки] Анонсы: Huawei Nova 14 и Nova 14 Pro представлены официально / MForum.ru
19.05. [Новинки] Слухи: 22 мая Xiaomi представит собственный мобильный чипсет Xring 01 / MForum.ru
19.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты дата анонса Infinix XPad GT и его ключевые характеристики / MForum.ru
16.05. [Новинки] Анонсы: Vivo V50 Elite Edition в комплекте с Vivo TWS 3e Buds появился в Индии / MForum.ru
15.05. [Новинки] Компоненты: MediaTek Dimensity 9400e представлен официально / MForum.ru
15.05. [Новинки] Анонсы: Oppo Pad SE официально представлен в Малайзии / MForum.ru
14.05. [Новинки] Анонсы: ZTE Nubia Z70S Ultra выходит на международные рынки / MForum.ru
14.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Huawei Nova 14 Ultra / MForum.ru
13.05. [Новинки] Слухи: Vivo работает над S30 и S30 Pro mini / MForum.ru
13.05. [Новинки] Компоненты: MediaTek представил Helio G200 с немного более быстрым графическим процессором и лучшим HDR для видео / MForum.ru
13.05. [Новинки] Анонсы: Sony Xperia 1 VII с компонентами Walkman представлен официально / MForum.ru
12.05. [Новинки] Анонсы: Подтверждена дата глобального релиза Realme GT 7 / MForum.ru
12.05. [Новинки] Слухи: Infinix Xpad GT может получить чипсет Snapdragon 888 / MForum.ru
12.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности об экрана и чипсете OnePlus 15 / MForum.ru
07.05. [Новинки] Анонсы: Представлен концептуальный смартфон Realme GT с АКБ 10000 мАч / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Раскрыты спецификации Samsung Galaxy Z Flip 7 / MForum.ru
07.05. [Новинки] Слухи: Появились подробности о Vivo X200 FE с экраном 6,31 дюйма / MForum.ru