Да, речь о повышении числа слоев в микросхемах памяти в 4 раза. Об этом рассказывает tomshardware.com.

Японская компания Kioxia планирует массово производить чипы 3D NAND с более, чем 1000 слоев к 2031 году, об этом заявил технический директор компании. Сейчас наращивание числа слоев - основной применяемый в промышленности способ для наращивания емкости микросхем флэш-памяти. Кроме того, производители NAND каждые 1.5-2 года стремятся переходить на новые техпроцессы, чтобы повысить плотность размещения и уменьшить размеры ячеек памяти. То есть идет сжатие по горизонтали и наращивание толщины "сэндвича" по вертикали. Этот процесс требует от производителей в том числе проб новых материалов.

На сегодня лучшее устройство 3D NAND от Kioxia - это память BiCS 3D NAND 8-го поколения с 238 активными слоями и интерфейсом 3.2 Гбит/с. Чипы были представлены в марте 2023 года. В этом поколении чипов начала применяться новая архитектура CBA (Cell-to-Array Bonding) в которой каждый слой ячеек памяти непосредственно соединяется с управляющей матрицей. Это позволяет улучшить производительность за счет минимальных задержек, увеличивает скорость чтения и записи данных. Выше и надежность памяти, т.к. нет дополнительных промежуточных слоев и соединений. Пластины с ячейками памяти и пластины ввода вывода при таком походе изготавливают отдельно. Подробностей об этой архитектуре Kioxia и ее партнер Western Digital не раскрывают, в частности, неизвестно, включают ли слой КМОП ввода-вывода дополнительные периферийные схемы, в частности буферы страниц, усилители считывания, зарядовые "насосы" (charge pumps). Переходя к изготовлению отдельно пластин массива ячеек 3D NAND и слоя ввода-вывода, производители могут выбирать наиболее эффективные технологические процессы для каждого компонента и их соединений, что обещает возможность получить новые преимущества при внедрении в отрасли новых методов, например, string stacking (дословно - укладка строк), которые наверняка будут использованы при переходе к 1000-слойной 3D NAND.

Samsung также рассчитывает достичь показателя в 1000 слоев при выпуске своих чипов 3D NAND, причем к 2030 году. Об этом компания заявляла в 2022 году. 

--

За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro.

теги: микроэлектроника память 3D NAND Kioxia тренды зарубежные новости 

--