MRAM – одно из направлений, которое считается потенциально перспективным в плане создания замены для традиционных решений RAM. В пользу MRAM – высокая скорость работы, высокая емкость, повышенная долговечность и энергонезависимое хранение данных.

В RAM для хранения данных требуется постоянное энергопитание, обновляющее заряд в конденсаторах. В MRAM магнитные состояния стабильны и не требуют постоянной регенерации. С другой стороны, для переключения вектора намагниченности в разработках на основе управления электрическим током, требуется сравнительно большой ток, что не устраивает индустрию.

В Университете Осаки за основу MRAM нового типа взяли «мультиферроидную гетероструктуру», которую можно переключать электрическим полем. Об эффективности этой структуры позволяет судить обратный магнитоэлектрический коэффициент связи (CME). Первоначально ученые добились коэффициента CME более 10^-5 с/м на основе гетероструктуры Co2FeSi. Далее, чтобы повысить стабильность конфигурации, между пьезоэлектрическим и ферромагнитными слоями ввели тонкий слой ванадия (V). Это позволило сохранить высокий CME, еще более его увеличив, (что хорошо, так речь идет о более высоком магнитном отклике), и, основное – энергонезависимое двоичное состояние, не требующее приложения электрического поля для сохранности данных.

В теории, это создает основу для создания практических устройств ME-MRAM.

Темой MRAM заняты не только в Японии, но также практически о всех странах, обладающих «продвинутой» наукой в области микроэлектроники – США, Китае, России. В разработке MRAM VCM ученые из Northwestern Engineering, США, также отказались от использования тока, добившись в 2022 году возможности переключения состояний при приложении напряжений менее 1В.

По материалам Research at Osaka University 

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника Япония MRAM

--