High-NA EUV (числовая апертура 0,55 против 0,33 у обычного EUV) позволяет печатать более компактные узлы, но требует либо уменьшения поля экспозиции, либо перехода на более крупные маски.

Текущие 6-дюймовые маски (150 мм) ограничивают площадь чипа примерно на уровне 858 кв. мм, а при переходе на High-NA EUV это ограничение становится ещё более жёстким за счет сокращения площади экспозиции.

Переход на 12-дюймовые маски (300 мм) решит проблему «сшивки» (stitching) - соединения двух половин изображения на одном чипе. Ожидается, что пропускная способность сканеров High-NA EUV вырастет на 40%, снизятся затраты на производство чипов и упростится их проектирование.

При этом TSMC с 2030 года будет использовать High-NA EUV с существующими 6-дюймовыми масками, а переход на 12-дюймовые маски произойдёт после 2033 года. Intel, как сообщается, уже использует High-NA EUV выборочно в серийном производстве процессоров Panther Lake по технологии 18A.

ASML планирует продемонстрировать пилотную линию с более крупными масками к 2031 году и подготовить новую технологию к крупносерийному производству к 2033 году.||

--

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

--

теги: производственное оборудование размеры масок маски оборудование для производства микросхем

--