Микроэлектроника: GloFo и Marvell расширили многолетнее соглашение о сотрудничестве

MForum.ru

Микроэлектроника: GloFo и Marvell расширили многолетнее соглашение о сотрудничестве

17.09.2026, MForum.ru

В условиях растущего дефицита полупроводников безфабричные производители чипов сейчас все чаще стараются "забить" на будущее побольше производственных мощностей.


17 сентября 2026 года американские компании GlobalFoundries и Marvell Technology объявили о расширении многолетнего соглашения, направленного на увеличение производственных мощностей для полупроводников, используемых в высокоскоростных оптических соединениях в ЦОД.

Соглашение предусматривает расширение выпуска продуктов по технологии кремний-германий (SiGe) на заводе GlobalFoundries в Берлингтоне, штат Вермонт (США).

🎓 SiGe - это гетероструктурный полупроводниковый материал, позволяющий создавать устройства, более энергоэффективные и скоростные, чем на основе обычного кремния.

Эта технология критически важна для оптических сетей: она лежит в основе высокоскоростных фотодетекторов и обеспечивает возможность совместной интеграции с кремниевой фотоникой, что особенно важно для перспективных архитектур с совместной упаковкой оптики (CPO). Текущая технология GF поддерживает скорость 200 Гбит/с на канал, а дорожная карта рассчитана на более высокие скорости по мере роста требований AI и облачных ЦОД к пропускной способности.

Расширение сотрудничества, базирующееся на более чем десятилетнем партнёрстве компаний, позволит Marvell удовлетворить растущий спрос на передовые оптические сетевые продукты: сменные оптические трансиверы, оптику с близкой упаковкой (NPO) и оптику с совместной упаковкой (CPO).

Шанкаран Джанардханан, старший вице-президент GF по фотоникам и RF-бизнесу, подчеркнул, что SiGe - это область, где многолетний опыт GF в высокочастотных и аналоговых решениях напрямую трансформируется в прорывные оптические характеристики.

💎 По мере масштабирования AI-кластеров узким местом становятся не только вычислительные ускорители, но и интерконнект для передачи данных между ними. Переход от медных соединений к оптическим при скоростях 1,6 Тбит/с и выше превращает SiGe из вспомогательной технологии в критически важный элемент цепочки поставок, а расширение мощностей GF на территории США отвечает как рыночному спросу, так и стратегическим попыткам локализации производства полупроводников.

--

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

--

теги: микроэлектроника США SiGe оптический интерконнект длинные контракты партнерства сотрудничество

--

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

02.06.2026. Минпромторг выделит еще 2 млрд на импортзамещение оборудования для эпитаксии

28.01.2026. Чем лучше материалы, тем эффективнее и надежнее микросхемы

08.12.2025. В Зеленограде открылся Московский центр фотоники

08.03.2022. GlobalFoundries анонсирует кремниевые решения следующего поколения для фотоники

15.02.2022. Intel приобретет израильскую Tower Semiconductor за $5,4 млрд

01.10.2019.  Перспективные материалы и технологии

19.07.2018. Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

04.03.2018.  Термины рынка микроэлектроники

21.02.2018.  Участники рынка микроэлектроники России



Поиск по сайту:


Колонка редактора

23.10. США направляют еще $389 млн на финансирование НИОКР в области полупроводников

23.10. Тульский ФК «Арсенал» запустил MVNO на инфраструктуре Билайн

23.10. Решение FCC обостряет конкуренцию Amazon и Starlink

23.10. МТС расширила покрытие вдоль железной дороги Новосибирск-Омск

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

Все статьи >>


Новости

23.10. Huawei Pura 90 Plus получит 1-дюймовую камеру с переменной диафрагмой

23.10. Nubia A76 4G – новый смартфон со старым именем

23.10. Xiaomi представили Redmi Book 2027 – батарея 72 Вт•ч и новый дизайн

23.10. Realme раскрыла стратегию на 2027 год

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство