MForum.ru
20.02.2022,
Вопросы энергоэффективности электроники и вычислительной техники становятся все более актуальными, давит и "зеленая повестка" и рост цен на электроэнергию. Разработчик полупроводников Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) обещает, что переход с традиционных кремниевых приборов на приборы на основе GaN в блоках питаниях серверов поможет повысить энергоэффективность центров обработки данных.
Проект компании под названием ICeData призван сделать коммерчески целесообразным и массовым использование полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) в блоках питания серверов, предназначенных для использования в ЦОД.
В компании говорят о потенциале сокращения ежегодных выбросов CO2 на мегатонны.
Понижение напряжения в блоках питания современных серверов как правило обеспечивают кремниевые полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET). Вместо них предлагается использовать в блоках питания серверов компоненты на основе нитрида галлия, материала, который обладает более широкой "запрещенной зоной". Что позволит довести энергоэффективность блоков питания до 98%.
Чипы GaN действительно могут эффективно работать в блоках питания, причем они как правило позволяют уменьшить размеры устройства. Минус приборов на базе GaN - их сравнительно высокая цена. Из-за того, что до последнего времени GaN-приборы производились сравнительно небольшими тиражами, цена на них оставались всегда более высокой, чем на традиционные кремниевые приборы. В итоге области использования GaN-полупроводников остаются менее широкими, хотя эти приборы уже вовсю применяют в таких передовых технологиях, как LIDAR и беспроводных передатчиках энергии.
В CGD уверены, что ее запатентованная технология изготовления транзисторов ICeData, позволит технологии на основе GaN перестать быть нишевой. Массовое производство и массовый спрос на GaN-приборы позволили бы производителям снизить цену до уровней, которые бы сделали приемлемой применение чипов GaN в массовых импульсных источниках питания (SMPS). Такие источники питания сейчас обычно применяют в серверах. Переход на блоки питания на основе GaN-приборов позволил бы владельцам сократить эксплуатационные расходы на энергосистемы ЦОД примерно на 10%.
Особенность технологии ICeData состоит в том, что она позволяет управлять транзистором на основе GaN без необходимости в специальном драйвере, чего, как заявляются в CGD, до сих пор никто другой на рынке не предлагал. Вдобавок соответствующий прибор обладает "интеллектуальными" встроенными функциями для защиты и выявления проблем, что повышает надежность устройства, так как позволяет отказаться от использования дополнительных компонентов, которые обычно призваны решать эти задачи. Встроенные в чип цепи контроля и защиты реагируют в течение наносекунд на броски тока или перегрев, что позволяет вовремя защитить полупроводниковый прибор и систему питания прибора.
В CGD обещают, что подготовят готовый к массовому выпуску набор решений для блоков питания на основе приборов GaN В компании прогнозируют рост рынка GaN-приборов с текущего уровня в несколько миллионов долларов в год до более, чем $1,1 млрд к 2026 году. Этому будет способствовать практически экспоненциальный рост спроса на хранение и обработку данных, который усилили "антипандемийные" меры. На сегодня ЦОД всего мира потребляют уже 2% от всего мирового энергопотребления, эта цифра будет только расти. В этом плане технологию на основе GaN в компании называют "зеленой технологией", поскольку она может помочь заметно сократить выбросы CO2, и повысить энергоэффективность центров хранения и обработки данных.
По материалам: datacenterdynamics.com
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко - Телеком новости.
теги: микроэлектроника GaN
Публикации по теме:
10.03. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств
03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках
16.02. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них
20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники
18.01. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы
18.01. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент
16.01. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC
11.01. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке
04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года
22.12. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской
30.11. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников
25.06. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года
05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд
15.01. Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе
11.03. Микроэлектроника в Японии
11.03. ROHM
22.02. В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ
26.04. Imec интегрировал модуляторы из ниобата и танталата лития на платформу кремниевой фотоники
26.04. Балтийские страны построят сплошное покрытие 5G вдоль автомагистрали Via Baltica
24.04. Производство фоторезистов в Японии оказалось под угрозой из-за энергокризиса
24.04. Cisco представила универсальный квантовый коммутатор для будущего квантового интернета
24.04. «Билайн бизнес» внедрил LLM-агента на горячей линии «Ренессанс страхование»
24.04. Почему в России растет зарубежный трафик?
24.04. Рикор выпустил обновления прошивки для смартфонов Rikor
24.04. МТС в Иркутской области - покрытие расширено поддержкой LTE900 на трассе «Байкал»
21.04. Сделка на миллиард - американцы купили израильский стартап DustPhotonics
21.04. Билайн в Оренбургской области - покрытие 4G расширено новыми базовыми станциями в шести селах
21.04. Как будет меняться ландшафт российских дата-центров в ближайшие годы
21.04. МТС в Забайкальском крае - сеть LTE запущена в сёлах Савво-Борзя и Верхний Тасуркай
21.04. МегаФон в Ханты-Мансийском автономном округе - сеть LTE расширена новым оборудованием в Сургуте
20.04. В ГИСП появился новый отечественный малопотребляющий микроконтроллер К1890КП018
24.04. Honor 600 и 600 Pro – 200 МП камера, IP69K и дизайн в стиле iPhone 17 Pro
24.04. Poco M8s 5G – 7000 мАч, 144 Гц и Snapdragon 6s Gen 3 за $189
24.04. iPhone 18 получит дисплей M12+, как у iPhone 14 Pro, а Pro-версии — новый M16
23.04. OnePlus Watch 4 – титановый корпус, Wear OS 6 и 16 дней работы
23.04. Motorola Edge 70 Pro – 6500 мАч, 90 Вт, три 50 МП камеры и защита IP69
23.04. Oppo Find X9 Ultra – двойной 200 МП перископ, 10x оптический зум и Hasselblad
22.04. Redmi K90 Max – первый смартфон Xiaomi со встроенным вентилятором и Dimensity 9500
22.04. Redmi Pad 2 SE 4G – дисплей 9.7"/2K@120 Гц и АКБ 7600 мАч за 205 долларов
22.04. Tecno Pop X 5G – горизонтальная камера, 6500 мАч с 45 Вт и FreeLink за 15 999 рупий
21.04. Huawei Pura 90 – асимметричная камера, АКБ 6500 мАч и Kirin 9010S за 4699 юаней
21.04. Huawei Pura 90 Pro и Pro Max – 200 МП перископ, LOFIC-матрица и двухцветный металл
21.04. Huawei Pura X Max – раскладной смартфон с Kirin 9030 Pro
21.04. Huawei Watch FIT 5 Pro – 1.92" LTPO AMOLED 3000 нит, ECG и датчик глубины
20.04. Sony Xperia 1 VIII получит квадратную камеру вместо вертикальной полоски
20.04. OnePlus Buds Ace 3 обеспечат 55 дБ шумоподавления и 54 часа работы
20.04. OnePlus Pad 4 получил Snapdragon 8 Elite Gen 5, 13.2" 3.4K 144 Гц и батарею 13 380 мАч
17.04. OnePlus Nord CE 6 Lite – Dimensity 7400, 7000 мАч, а AMOLED заменили на LCD
17.04. Oppo Reno16 Pro получит камеру 200 МП, перископ, Dimensity 9500s и батарея 7000+ мАч
16.04. Vivo T5 Pro – 9020 мАч, 90 Вт, IP69 и Snapdragon 7s Gen 4 от 29 999 рупий
16.04. Oppo F33 и F33 Pro – ребрендинг с AMOLED, 7000 мАч и IP69K