Американская корпорация Intel и немецкая компания Infineon Technologies объявили о технологическом сотрудничестве по производству SIM-карт нового поколения, так называемых HD SIM-карт повышенной емкости. Infineon разработает архитектуру микросхемы и микроконтроллер на основе своего решения SLE-88 (130-нм процесс). Intel займется производством флэш-памяти NOR-типа, которая будет производиться по технологиям 65 нм и 45 нм. Ожидается, что емкость новых SIM-карт составит от 4 МБ до 64 МБ, что примерно в 1000 раз превышает емкость существующих разработок (64 Кб). Все решения будут функционировать в диапазоне напряжения 1,8-3,3 В, что отвечает спецификациям ETSI. Первые образцы совместной работы двух компаний появятся во второй половине 2008 г. Массовое производство начнется в 2009 г. Основной функцией SIM-карт на сегодня является хранение информации из телефонной книги пользователя. Появление HD SIM-карт должно способствовать внедрению сотовыми операторами новых сервисов, пользователь сможет закачивать в свою SIM-карту различный контент. Как отмечают специалисты, сочетание NOR и современного микроконтроллера позволит открыть новые бизнес-модели для сотовых компаний.

В Infineon уверены, что NOR-технология в будущем станет основной для производства SIM-карт. Такое производство не требует колоссальных затрат, а следовательно, карты будут стоить сравнительно недорого и станут доступны массовому абоненту. Хотя в последнее время уже появились несколько SIM-карт емкостью до 1 ГБ, например, карта, разработанная компанией Samsung, но они основаны на памяти NAND, стоимость производства микросхем которой существенно выше, чем в NOR. Аналитики Frost & Sullivan ожидают, что в 2010 г. HD SIM-карты займут 6-8% мирового рынка. Всего в 2010 г. в мире будет продано 3,7 млрд. SIM-карт, тогда как в 2007 г. их было реализовано 2,5 млрд.