Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

MForum.ru

Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

19.07.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


Арсенид бора отведет тепло

В Калифорнийском Университете в Лос-Анджелесе, США, разработали новый полупроводниковый материал, - свободный от дефектов арсенид бора BAs. Как показали эксперименты, этот материал более эффективен в плане рассеивания тепла, нежели чем другие известные полупроводники или металлы. Это дает возможность использовать его для разработки процессоров для ПК и светодиодных светильников. Соответствующее исследование недавно было опубликовано в журнале Science.

Новый материал примерно втрое быстрее отводит тепло, нежели чем карбид кремния или медь, что обещает интерес к нему со стороны радиоэлектронной промышленности. Источник.

 

Торговая война США и Китая может ударить по производителям полупроводников

Аналитики Saxo Bank предупреждают о возможном замедлении роста мировой экономики из-за торговых войн. Серьезному риску подвергается, в частности, мировой рынок полупроводников из-за нарастания торговой войны, начатой администрацией Трампа.

Эту точку зрения подтверждают и аналитики MarketWatch, справедливо указывая, что Китай - один из крупнейших клиентов производителей чипов США и других стран. А пока что доходы производителей полупроводников в 2q2018 показывают серьезный рост. Подробнее.

 

Гетероструктуры на базе InGaAs - перспективный материал для СВЧ изделий

Самая различная современная электроника строится на базе гетероструктур - это позволяет создавать полупроводниковые приборы, способные устойчиво работать в условиях комнатных или более высоких температур. Особенно актуальны гетероструктуры при разработке транзисторов с высокой подвижностью электронов - они широко применяются в СВЧ-электронике.

В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии ИНТЭЛ разрабатывают так называемый квантовый дизайн гетероструктур за счет перехода к составным функциональным слоям. Можно повышать подвижность электронов без потери их концентрации за счет, например, нановставки InAs внутри квантовой ямы или AlAs - снаружи ее.

Ученые спроектировали и вырастили сотни различных гетероструктур на основе комбинации InGaAs, изучили их свойства. Материал интересный, способный конкурировать с GaN, SiGe, SiC и графеном. Подробнее.

 

На пути к процессу 5 нм

Как идут дела с переходом к процессу 5 нм? Обстоятельную статью на эту тему можно прочесть здесь, а мы приведем краткую информацию по теме.

Чем меньше размеры, тем более актуальным становится сотрудничество различных фаундри, а также IP-разработчиков и других участников процесса. Переход к 5 нм добавляет к этому тренду новые сложности, например, внедрение EUV-литографии, необходимость борьбы с различными физическими и электрическими эффектами, которые могут оказывать негативное влияние на производство и дальнейшую службу полупроводников. В итоге миграция на каждый следующий уровень геометрии элементов требует все больше времени и средств для разрешения всех проблем.

На сегодняшний день технология 5 нм далека от зрелости, каждая из фаундри находятся на различных позициях в разработке соответствующих процессов, но все еще не близки к выходу на возможность практического внедрения этой технологии. Одна из общих черт - переход от FinFET к GAA (Gate All Around), что будет актуально, если не для 5 нм, то наверняка для 3 мм.

Этот переход необходим потому, что требуется решить проблему утечки токов с затвора. Требуются новые решения для дизайна чипов, учитывающие становящиеся актуальными физические эффекты. Один из важных моментов - обязательный учет электромагнитных эффектов, их симуляция еще на этапе дизайна кристалла.

 

Успех в микроэлектронике невозможен без гигантских инвестиций

TSMC, Taiwan Semiconductor Manufacturer Company) - это крупнейшее в мире фаундри, предприятие, специализирующееся на производстве заказной микроэлектроники. Компании принадлежит не менее 12 заводов в Тайване, Китае и США, она входит в топ-3 производителей микроэлектроники в мире.

Это объясняется, прежде всего, готовностью компании непрерывно инвестировать, как в R&D, так и в обновление технологий. Например, компания намерена освоить применение технологии 7 нм+ в начале 2019 года, а технологии 5 нм в 2020 году. Одно из наиболее доходных направлений - это производство чипов ASIC, активно используемых майнерами криптовалют, по заказам AMD и NVIDIA - их штампуют по 16-нм FinFET процессу в Нанкине.

Выручка компании в 1H2018 выросла на +12%, выручка в апреле-июне по предварительным данным составила $7.85 млрд, что дает оценку выручки за 1H2018 в $16.3 млрд. В 1H2017 выручка составляла $14.6 млрд. Компания не жалеет инвестиций для того, чтобы оставаться на острие прогресса, в частности, инвестиции, планируемые на 2018 год, составляют $10.8 млрд. 

+ +

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника ; полупроводники

+ +

© MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

19.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Переходим на фотоны; лидеры рынка промэлектроники; Facebook укрепляет направление микроэлектроники / MForum.ru

13.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Встречи, патенты, новые разработки, награды, новые технологии / MForum.ru

13.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Apple отказывается от модемов Intel. Нановолокна. Ангстрем-Т - планы и перспективы. Силовую электронику ждет рост / MForum.ru

06.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Чипы 5G от Mediatek. Сенсорам и другим полупроводникам для электромобилей прочат рост. Поликремний в Монголии / MForum.ru

03.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Гонка инвестиций. В Узбекистане заинтересовались микроэлектроникой. Микрон отчитался за 2017 год ростом выручки / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

23.01. [Новинки] Слухи: Oppo Find X2 представят в июне / MForum.ru

23.01. [Новинки] Анонсы: Объявлены российские цены Honor View 20, Honor Band 4 Running и Honor Watch Magic / MForum.ru

22.01. [Новинки] Анонсы: Официально представлен Vivo Y89 / MForum.ru

22.01. [Новинки] Слухи: Redmi Go сертифицирован в Тайланде / MForum.ru

21.01. [Новинки] Слухи: Живые фото Moto G7 Power подтвердили спецификации и цену / MForum.ru

18.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены и дата релиза Samsung Galaxy M10 и M20 / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y91 с вырезом в экране оценен с 10 999 рупий / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Xiaomi Mi 9 замечен на рендерах / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Doogee Y8 — смартфон с вырезом в экране на $69,99 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Homtom C8 с градиентной панелью оценен в $85 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy A90 / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Nokia 6.2 дебютирует в течение месяца / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Huawei P Smart 2019 появился в России / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: Дешевых Xiaomi Mi ждать больше не стоит / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: HMD Global возродит Nokia N9 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S10 представят 20 февраля / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Note 7 с 48 Мп камерой / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Doogee представила модульный смартфон S90 / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: Lenovo представила умный будильник с динамиком и Google Assistant / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: HiSense U30 — смартфон на Snapdragon 675 с круглым вырезом в экране / MForum.ru