Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

MForum.ru

Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

19.07.2018, MForum.ru


Арсенид бора отведет тепло

В Калифорнийском Университете в Лос-Анджелесе, США, разработали новый полупроводниковый материал, - свободный от дефектов арсенид бора BAs. Как показали эксперименты, этот материал более эффективен в плане рассеивания тепла, нежели чем другие известные полупроводники или металлы. Это дает возможность использовать его для разработки процессоров для ПК и светодиодных светильников. Соответствующее исследование недавно было опубликовано в журнале Science.

Новый материал примерно втрое быстрее отводит тепло, нежели чем карбид кремния или медь, что обещает интерес к нему со стороны радиоэлектронной промышленности. Источник.

 

Торговая война США и Китая может ударить по производителям полупроводников

Аналитики Saxo Bank предупреждают о возможном замедлении роста мировой экономики из-за торговых войн. Серьезному риску подвергается, в частности, мировой рынок полупроводников из-за нарастания торговой войны, начатой администрацией Трампа.

Эту точку зрения подтверждают и аналитики MarketWatch, справедливо указывая, что Китай - один из крупнейших клиентов производителей чипов США и других стран. А пока что доходы производителей полупроводников в 2q2018 показывают серьезный рост. Подробнее.

 

Гетероструктуры на базе InGaAs - перспективный материал для СВЧ изделий

Самая различная современная электроника строится на базе гетероструктур - это позволяет создавать полупроводниковые приборы, способные устойчиво работать в условиях комнатных или более высоких температур. Особенно актуальны гетероструктуры при разработке транзисторов с высокой подвижностью электронов - они широко применяются в СВЧ-электронике.

В лаборатории молекулярно-лучевой эпитаксии и нанолитографии ИНТЭЛ разрабатывают так называемый квантовый дизайн гетероструктур за счет перехода к составным функциональным слоям. Можно повышать подвижность электронов без потери их концентрации за счет, например, нановставки InAs внутри квантовой ямы или AlAs - снаружи ее.

Ученые спроектировали и вырастили сотни различных гетероструктур на основе комбинации InGaAs, изучили их свойства. Материал интересный, способный конкурировать с GaN, SiGe, SiC и графеном. Подробнее.

 

На пути к процессу 5 нм

Как идут дела с переходом к процессу 5 нм? Обстоятельную статью на эту тему можно прочесть здесь, а мы приведем краткую информацию по теме.

Чем меньше размеры, тем более актуальным становится сотрудничество различных фаундри, а также IP-разработчиков и других участников процесса. Переход к 5 нм добавляет к этому тренду новые сложности, например, внедрение EUV-литографии, необходимость борьбы с различными физическими и электрическими эффектами, которые могут оказывать негативное влияние на производство и дальнейшую службу полупроводников. В итоге миграция на каждый следующий уровень геометрии элементов требует все больше времени и средств для разрешения всех проблем.

На сегодняшний день технология 5 нм далека от зрелости, каждая из фаундри находятся на различных позициях в разработке соответствующих процессов, но все еще не близки к выходу на возможность практического внедрения этой технологии. Одна из общих черт - переход от FinFET к GAA (Gate All Around), что будет актуально, если не для 5 нм, то наверняка для 3 мм.

Этот переход необходим потому, что требуется решить проблему утечки токов с затвора. Требуются новые решения для дизайна чипов, учитывающие становящиеся актуальными физические эффекты. Один из важных моментов - обязательный учет электромагнитных эффектов, их симуляция еще на этапе дизайна кристалла.

 

Успех в микроэлектронике невозможен без гигантских инвестиций

TSMC, Taiwan Semiconductor Manufacturer Company) - это крупнейшее в мире фаундри, предприятие, специализирующееся на производстве заказной микроэлектроники. Компании принадлежит не менее 12 заводов в Тайване, Китае и США, она входит в топ-3 производителей микроэлектроники в мире.

Это объясняется, прежде всего, готовностью компании непрерывно инвестировать, как в R&D, так и в обновление технологий. Например, компания намерена освоить применение технологии 7 нм+ в начале 2019 года, а технологии 5 нм в 2020 году. Одно из наиболее доходных направлений - это производство чипов ASIC, активно используемых майнерами криптовалют, по заказам AMD и NVIDIA - их штампуют по 16-нм FinFET процессу в Нанкине.

Выручка компании в 1H2018 выросла на +12%, выручка в апреле-июне по предварительным данным составила $7.85 млрд, что дает оценку выручки за 1H2018 в $16.3 млрд. В 1H2017 выручка составляла $14.6 млрд. Компания не жалеет инвестиций для того, чтобы оставаться на острие прогресса, в частности, инвестиции, планируемые на 2018 год, составляют $10.8 млрд. 

+ +

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника ; полупроводники

+ +

© MForum.ru


Публикации по теме:

23.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Дайджест микроэлектроники / MForum.ru

14.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Дайджест микроэлектроники: Ангстрем-Т, Рокор, TSMC, TMC Europe, НИИЭТ, Модуль и другие / MForum.ru

21.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Foxconn - Чжухай, выручка от продаж полупроводников продолжает расти, отечественные микропроцессоры / MForum.ru

16.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Мощные СВЧ транзисторы; Ангстрем-Т выпустил заказные чипы; Можно ли заработать на микроэлектронике? / MForum.ru

13.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: От кремния к силицену; рынок памяти на взлете; технологический суверенитет не достижим; 5G разгонит спрос на GaN / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 3 ms, lookup=0 ms, find=3 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

20.09. [Новинки] Анонсы: Huawei MatePad 12 X с экраном PaperMatte доступен на мировом рынке / MForum.ru

20.09. [Новинки] Анонсы: Huawei MatePad Pro 12.2 представлен для глобального рынка / MForumr.ru

20.09. [Новинки] Анонсы: Vivo выпустила еще один V40 Lite / MForum.ru

19.09. [Новинки] Слухи: Redmi Note 14, Redmi Note 14 Pro и Redmi Note 14 Pro+ представят на следующей неделе / MForum.ru

18.09. [Новинки] Анонсы: Infinix Zero 40 5G со 108 Мп камерой представлен на индийском рынке / MForum.ru

18.09. [Новинки] Слухи: Появились подробности о смартфоне Vivo V40e / MForum.ru

17.09. [Новинки] Анонсы: Lava Blaze 3 5G с Dimensity 6300 представлен официально / MForum.ru

16.09. [Новинки] Анонсы: Vivo T3 Ultra дебютирует с Dimensity 9200+ и тонким дизайном / MForum.ru

16.09. [Новинки] Слухи: Infinix Zero Flip замечен на тизерах / MForum.ru

13.09. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy M05 представлен официально / MForum.ru

13.09. [Новинки] Анонсы: Tecno Pova 6 Neo 5G представлен официально / MForum.ru

12.09. [Новинки] Анонсы: Утечка рендеров Samsung Galaxy M55s 5G демонстрирует уникальный дизайн / MForum.ru

11.09. [Новинки] Анонсы: Умные часы Honor Watch 5 представлены официально / MForum.ru

11.09. [Новинки] Анонсы: Tecno Spark 30C представлен официально / MForum.ru

10.09. [Новинки] Анонсы: iPhone 16 Pro и Pro Max оснащены чипом A18 Pro с улучшенной на 20% «устойчивой» производительностью / MForum.ru

10.09. [Новинки] Анонсы: iPhone 16 и 16 Plus с функциями искусственного интеллекта представлены официально / MForum.ru

10.09. [Новинки] Компоненты: Apple представляет чипсеты A18 и A18 Pro / MForum.ru

09.09. [Новинки] Анонсы: TCL анонсирует 50 NxtPaper 5G и 50 Pro NxtPaper 5G с дисплеями NxtPaper / MForum.ru

09.09. [Новинки] Анонсы: HMD Fusion анонсировала модульный смартфон со Snapdragon 4 Gen 2 / MForum.ru

09.09. [Новинки] Анонсы: Vivo Y37 Pro на базе Snapdragon 4 Gen 2 представлен официально / MForum.ru