Дайджест микроэлектроники: Мощные СВЧ транзисторы; Ангстрем-Т выпустил заказные чипы; Можно ли заработать на микроэлектронике?

MForum.ru

Дайджест микроэлектроники: Мощные СВЧ транзисторы; Ангстрем-Т выпустил заказные чипы; Можно ли заработать на микроэлектронике?

16.08.2018, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


В Fujitsu обещают повысить "дальнобойность" радаров за счет новых полупроводников

Японская компания Fujitsu Laboratories объявила об успешной разработке кристаллической структуры, позволяющей существенно нарастить предельно допустимый ток и напряжение в транзисторах HEMT GaN, выходная мощность которых за счет новой структуры выросла втрое.

Аббревиатура HEMT происходит от англ. High Electron Mobility Transistor - транзисторы с высокой подвижностью электронов. Эти приборы находят применение в системах спутниковой связи, радарах и мобильных устройствах, прежде всего в СВЧ. Способность работать на сверхвысоких частотах обычно достигается добавлением в систему соответствующих материалов с высокой подвижностью электронов, например, GaAs, InAs.

СВЧ-транзисторы повышенной мощности найдут применение в усилителях мощности в таких, например, приборах, как погодные радары, позволяя увеличить “дальнобойность” радара примерно в 2.3 раза.

Основная идея японцев заключается в том, что напряжение должно подводиться к транзистору не точечно, непосредственно через электрод, а рассеянно. Запатентованная технология позволила добиться роста допустимой плотности мощности до 19.9 Вт/мм в GaN HEMT, использующим буферные слои InAlGaN.

Компания рассказала о своей технологии на симпозиуме ISGN-8 в Варшаве, которая прошла на прошлой неделе. Fujitsu Laboratories работает с GaN HEMT с начала нулевых годов и обеспечивает поставки приборов на основе AlGaN HEMT. В последние месяцы лаборатория активно занимается исследованиями InAlGaN HEMT.

Для того, чтобы повысить выходную мощность транзистора, требуется создать структуру, которая бы выдерживала и высокие токи и высокие напряжения. Структура на базе InAlGaN позволяет повысить ток в кристалле, поскольку в таком материале можно заметно наращивать плотность электронов. Но проблемой оставалось то, что при повышении напряжения, структура кристалла получала повреждения.

InAlGaN
источник изображения

Проблему удалось решить за счет добавления слоя AlGaN, который обеспечивает высокое сопротивление между слоем поставляющим электроны и канальным слоем. За счет этого высокое напряжение в транзисторе рассеивается по слоям, разделенным AlGaN. Это снижает кинетическую энергию электронов и предотвращает кристалл от разрушения при напряжениях вплоть до 100В. При необходимости можно добиться и более высоких напряжений, если увеличивать расстояние между входным электродом и электродом затвора.

Таким образом, добавляя слой AlGaN в структуру InAlGaN HEMT, достигается возможность нарастить одновременно напряжение и ток, то есть выходную мощность полупроводниковых приборов.

Микроэлектроника
источник изображения

Проблему теплоотвода, которая обычно остро стоит в изделиях на базе GaN, удается решить за счет использования технологии “алмазного субстрата” хорошо отводящего тепло, которую в Fujitsu разработали в 2017 году.

В компании планируют коммерциализовать технологию создания GaN HEMT транзисторов с увеличенной выходной мощностью до 2020 года.

В России также идут эксперименты с полупроводниковыми нитридами, в частности, в ТГУ экспериментируют со традиционными структурами InAlN/GaN и обещают сдать результаты в виде технологии компании Микран до конца 2019 года. Речь идет о классической структуре, не позволяющей добиться высокой выходной мощности. Может быть стоит попробовать повторить успех японских разработчиков, добавляя в классическую структуру слой AlGaN?

 

Почему полупроводники называют новой нефтью и что из этого следует?

Вам наверняка не раз приходилось слышать высказывание: полупроводники - это новая нефть. И если задуматься и посмотреть на рынок, то так оно и есть. Объемы закупок полупроводников иными странами лишь немногим уступают объемам затрат на приобретение нефти.

Это все более понимают национальные правительства и транснациональные корпорации. Последние стараются подгрести под себя все самое лучшее по части производства, где бы эти производства не находились, тогда как национальные правительства все менее склонны одобрять такие сделки.

За период с 2015 года по середину 2018 года в индустрии прошло около ста сделок M&A на общую стоимость $245 млрд. И сейчас этот тренд явно пошел на спад - за первое полугодие 2018 года объем таких сделок достиг смешных на фоне предыдущей цифры $12.6 млрд. Не удивительно, если вспомнить как были сорваны политиками сделки Broadcom - Qualcomm и Qualcomm - NXP. По материалам dailycomm.ru.

Так что все верно, полупроводники, а также в целом новые технологии - это новая нефть. Разумные люди не станут продавать предприятия по изготовлению полупроводников и новые технологии в этой области, но только готовые продукты. Но такой подход оставляет России не так много шансов - ведь чтобы попробовать уйти от зависимости от импорта полупроводников, оборудования и материалов для их производства, нужно не только придумать новые технологии (что возможно), но также наладить производство соответствующего производственного оборудования, а также наладить выпуск качественного сырья и расходуемых в процессе производства микроэлектроники материалов. А это сложно реализуемая задача, требующая другого качества управления и различных кардинальных изменений в стране.

 

Ангстрем-Т отгрузил первую коммерческую партию заказных пластин

Партия скромная - 50 MPW пластин диаметром 200 мм. Пластины изготовлены по технологии AT250G, которая является частью техпроцесса 90 нм.

Изделия, размещенные на пластинах, были разработаны заказчиками в шести различных дизайн-центрах, расположенных в Москве, Воронеже и Екатеринбурге.

Первая партия изготовлена для тестирования. По результатам доработок могут быть заключены соглашения о выпуске серийных партий микросхем. Источник.

+

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

13.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: От кремния к силицену; рынок памяти на взлете; технологический суверенитет не достижим; 5G разгонит спрос на GaN / MForum.ru

10.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Qualcomm договорился с Тайванем, Note9 построен на чипсетах Qualcomm или Samsung, в Швабе осваивают двумерные материалы / MForum.ru

08.08. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Вынужденное импортзамещение; Заводы TSMC атаковал вирус; Проблемы Ангстрема и сколковский оптимизм / MForum.ru

27.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Миру нужно больше микросхем; Рынок пластин будет расти; Hynex рвется в топ-3; Китайцы наводнят рынок памятью / MForum.ru

19.07. [Новости компаний] Дайджест микроэлектроники: Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм / MForum.ru

Предложения интернет-магазинов:

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 3 ms, lookup=0 ms, find=3 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

18.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты цены и дата релиза Samsung Galaxy M10 и M20 / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y91 с вырезом в экране оценен с 10 999 рупий / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Xiaomi Mi 9 замечен на рендерах / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Doogee Y8 — смартфон с вырезом в экране на $69,99 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Анонсы: Homtom C8 с градиентной панелью оценен в $85 / MForum.ru

16.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Samsung Galaxy A90 / MForum.ru

15.01. [Новинки] Слухи: Nokia 6.2 дебютирует в течение месяца / MForum.ru

15.01. [Новинки] Анонсы: Huawei P Smart 2019 появился в России / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: Дешевых Xiaomi Mi ждать больше не стоит / MForum.ru

14.01. [Новинки] Это интересно: HMD Global возродит Nokia N9 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy S10 представят 20 февраля / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Redmi Note 7 с 48 Мп камерой / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Doogee представила модульный смартфон S90 / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: Lenovo представила умный будильник с динамиком и Google Assistant / MForum.ru

09.01. [Новинки] CES 2019: HiSense U30 — смартфон на Snapdragon 675 с круглым вырезом в экране / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Blackview BV5500 – «крепыш» за $90 / MForum.ru

08.01. [Новинки] CES 2019: Официально представлены Alcatel 1X (2019) и Alcatel 1C (2019) / MForum.ru

08.01. [Новинки] Анонсы: Honor 8A представлен официально / MForum.ru

08.01. [Новинки] Это интересно: Hibom HB01 – смартфон для стримминга / MForum.ru

04.01. [Новинки] Анонсы: Huawei представил Y5 Lite с Android Oreo (Go Edition) на борту / MForum.ru