Всего в Миландр подготовлено 22 изделия линейки с мощностями от 5 до 1200 Вт (данные всех из них приведены на сайте компании). Линейка, получившая обозначение серии MGN, выпускается в металлокерамических корпусах, категория качества – ОТК. Рабочее напряжение сток-исток составляет 50В, транзисторы созданы под диапазоны L-, S- и C-.

Одно из основных достоинств изделий линейки – широкополосность изделий и их высокий КПД. Такие изделия могут применяться в телеком-оборудовании, в радиомодулях базовых станций 5G, а также в радиолокаторах и в системах РЭБ.  

Для базовых станций 4G планируется выпустить изделия в пластиковых корпусах, сейчас идут их квалификационные испытания. Серийное освоение GaN-транзисторов в пластиковых корпусах с мощностями 5-50 Вт намечено на 2-й квартал 2027 года. Здесь источники расходятся – на сайте Миландр еще в феврале заявлялось о 2-м квартале 2026 года – то ли у кого-то опечатка, то ли сроки уехали вправо.    

Миландр готов кастомизировать свои решения, в частности, проводить разработку согласующих цепей для использования транзисторов в стандартном 50-Омном тракте, а при соответствующем заказе - всего усилителя мощности с цифровым блоком управления.  

Разработкой высокочастотных и высокомощных компонентов для российских базовых станций занимаются не только в Миландр, но и, например, в компаниях ГК Элемент.  

Мировой рынок изделий для радиооборудования 4G/5G весьма конкурентен. На нем работают, например, такие компании как Ampleon (GaN и LDMOS – изделия) (европейская компания, которая контролируется Китаем); американская Qorvo (GaN на SiC HEMT-транзисторы); американские MACOM и Wolfspeed, а также европейская NXP Semi.    

Разработки Миландр призваны обеспечить возможность импортзамещения в этой области.

Для иллюстрации возможностей приведу основные данные парочки изделий:

Транзистор MGN43-150A – мощный СВЧ-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 150 Вт. Производится по технологии GaN-on-SiC. Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот от 4000 до 4300 МГц как в импульсном, так и в непрерывном режимах.

Транзистор MGN16-1200A – мощный СВЧ-транзистор с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия с выходной номинальной импульсной мощностью 1200 Вт. Производится по технологии GaN-on-SiC. Предназначен для работы в усилителях мощности в диапазоне частот до 2000 МГц в импульсном режиме. Корпус: КТ-103А-2-1 К ГОСТ Р 57439-2017.

--

теги: телеком мобильная связь компоненты микроэлектроника пятое поколение компоненты базовых станций СВЧ-транзисторы GaN-on-SiC HEMT Миландр импортзамещение

--