Производство будет организовано по гибридной схеме: передовые кремниевые пластины, изготовленные на заводах SK Hynix в Южной Корее, будут направляться в Индиану для финальной стадии advanced packaging (корпусирования и тестирования), после чего готовая продукция с маркировкой «Made in USA» поступит к американским заказчикам. Как заявил генеральный директор SK Hynix Квак Но Джон, выпуск HBM4E начнётся в третьем квартале 2029 года, а к 2030 году Индиана должна стать ключевым производством микросхем HBM в США. Проектная мощность составит сотни тысяч пластин в год, ожидается создание около 1000 рабочих мест непосредственно на производстве и до 7000 с учётом смежных отраслей.

Диверсификация по географии

Решение SK Hynix построить завод в США - это стратегический шаг по диверсификации географического присутствия на фоне обострения торговых противоречий между США и Китаем. Появление локального производства HBM позволит компании не потерять доступ на американский рынок - ключевой для неё, учитывая, что основным заказчиком HBM4E является Nvidia. По данным Counterpoint Research, в первом квартале 2026 года SK Hynix контролировала 58% мирового рынка HBM по выручке, и для сохранения этого доминирования, критически важно присутствие в США.

Как это повлияет на дефицит чипов?

Глава SK Hynix заявил, что, по его прогнозам, текущий дефицит микросхем памяти сохранится как минимум до конца 2030 года. Завод в Индиане, который начнёт выпуск только в 2029 году, не сможет переломить ситуацию в ближайшие годы - спрос на HBM со стороны Nvidia и десятков других разработчиков ИИ-ускорителей продолжает опережать предложение. Однако в долгосрочной перспективе появление нового крупного производства в США может снизить зависимость американского рынка от азиатских поставок. В краткосрочной же перспективе дефицит останется главным драйвером роста цен на HBM-память как минимум до 2028–2029 годов.||

--

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

--

теги: упаковка и тестирование производство памяти США Южная Корея производство HBM

--