MForum.ru
06.08.2022,
В июле мы уже обсуждали планы ЗНТЦ (АО "Зеленоградский нанотехнологический центр") совместно с НИУ МИЭТ запустить "первую в России" экспериментальную линию по выпуску кристаллов транзисторов на основе нитрида галлия (GaN). Такие транзисторы необходимы, например, для изготовления локаторов, для и радиотрансиверов базовых станций 5G они могут пригодиться. Применяют их и в силовой электронике. То есть основные области применения технологии: телеком, автопром, решения промышленной автоматики и энергетика.
Вчера издание mskagency.ru сообщило, что ЗНТЦ вложило в проект около 1 млрд руб., завершено строительство участка, монтаж оборудования, участок для экспериментального производства транзисторов на основе GaN-Si введен в эксплуатацию.
В июле говорилось, что еще до конца 2022 года планируется перейти к серийному выпуску микроэлектроники на базе GaN по базовым технологиям, а в 2024 году - запустить производство приборов СВЧ МИС Ka и V диапазонов. В августе - "ЗНТЦ планирует начать мелкосерийное производство микроэлектроники на нитриде галлия по базовым технологиям в 2023 году". Сроки поплыли?
Зеленоградский нанотехнологический центр специализируется на разработке и производстве ЭКБ-датчиков и сенсоров для систем промышленной автоматики, энергетики, нефтегазовой промышленности, интеллектуальных систем управления.
Наладить планируется производство высоковольтных HEMT-транзисторов, СВЧ-транзисторов, СВЧ МИС, приемо-передающих модулей силовой электроники и СВЧ приемо-передающих модулей.
Вопросы, на которые пресс-релиз не отвечает — пластины GaN 150мм российского производства или закупаются по импорту? И еще вопрос - какие объемы выпуска планируются после запуска серийного производства? Кто займется корпусированием и тестированием изделий на основе новых кристаллов?
«В настоящее время Зеленоградский наноцентр совместно с технологическими и индустриальными партнерами работает над созданием полностью локализованной в России технологии производства электронной компонентной базы на основе нитрида галлия. Существенным преимуществом для компании является возможность минимизации инвестиционных затрат за счет использования инфраструктуры, сформированной в ОЭЗ «Технополис «Москва», — генеральный директор АО «ЗНТЦ» Анатолий Ковалев. Цитата по mskagency.ru.
«Полностью локализованая в России» это то же самое, что «предприятие полного цикла»?
В этим источнике НИУ МИЭТ уже не упоминается в связи с проектом.
В общем, вопросы пока остаются, но постепенно ответы на них, конечно, появятся.
Среднегодовой темп роста мирового рынка силовой электроники на GaN-Si, по прогнозам компании Yole Development, в ближайшие два года составит 85%.
👉 Участники российского рынка GaN
--
За новостями микроэлектроники удобно следить в телеграм-канале RUSmicro, также подключайтесь к Сообществу RUSmicro в VK
теги: микроэлектроника GaN ЗНТЦ производство
Публикации по теме:
03.02. Российский фотолитограф Прогресс СТП-350 оценили в 392 млн (без НДС)
12.12. Фотолитографический кластер на 180-130 нм в России надеются разработать к 2030 году
06.03. Фотоника. В России создана новая рабочая группа по фотонным интегральным схемам
02.12. ЗНТЦ запустит фотонные микросхемы в серию
20.07. АО ЗНТЦ будет выпускать GaN-транзисторы
23.10.
Рынок оборудования для производства микроэлектроники
21.10.
Участники выставки ChipExpo2018
20.10.
ChipExpo2018. Фото с выставки. Часть 2
13.07. Встречи, патенты, новые разработки, награды, новые технологии
27.06. В России и в мире. Образование и производство. Наука и новые материалы для микроэлектроники
21.02.
Участники рынка микроэлектроники России
10.04. Использование Starlink растет в некоторых городских районах США
10.04. МТС в Забайкальском крае расширил сеть LTE в трёх округах
10.04. Ростелеком примеривается к стройке дата-центра мощностью 100 МВт
10.04. Amazon рассматривает возможности продажи собственных ИИ-чипов
10.04. Какие геостационарные аппараты запланированы к производству в России
10.04. Оператор сети 5G SA Perfectum начал экспансию за пределы Ташкента
10.04. Билайн в республике Марий Эл – покрытие 4G расширено новыми базовыми станциями
10.04. МегаФон в Тверской области улучшил качество связи на Верхней Волге
10.04. Башенная инфраструктура в России выросла на 9% в 2025 году
10.04. Samsung Electronics рассматривает инвестиции в предприятие по упаковке и тестированию во Вьетнаме
09.04. Группа Rubytech и Yadro подтвердили совместимость серверов с платформой ИИ «Скала^р МИИ»
09.04. МегаФон в Алтайском крае - покрытие 4G обеспечено еще в трёх сёлах
09.04. Производители печатных плат недовольны проектом локализации Минпромторга и предлагают корректировки
08.04. Таиландский оператор Thaicom заключил соглашение с Amazon Leo
10.04. Realme C100 4G – в000 мАч, IP69K и Helio G92 Max за 292 доллара
10.04. AI+ Nova 2 и Nova 2 Ultra – два подхода к бюджетному сегменту в Индии
10.04. Oppo A6s Pro – OLED, 7000 мАч, 80 Вт и Dimensity 6300
09.04. Moto Pad 2026 – 2.5K-экран, 5G и четыре динамика за 250 долларов
09.04. Motorola Moto G Stylus (2026) – стилус с наклоном, защита IP69 и AMOLED за 500 долларов
08.04. Oppo A6k с АКБ 7000 мАч, экраном 120 Гц и Dimensity 6300 оценен 290 долларов
08.04. Tecno наконец раскрыла график обновления до Android 16 — с опозданием на поколение
08.04. Представлен Realme C100 5G с АКБ 7000 мАч, 144 Гц экраном и Dimensity 6300 за 215 долларов
07.04. Oppo F33 Pro 5G – IP69K, 50 МП фронталка и батарея 7000 мАч за 35 000 рупий
07.04. Redmi A7 Pro 5G с батареей 6300 мАч и Circle to Search выходит в Индии
06.04. Vivo T5 Pro с АКб 9020 мАч – "ультимативная мощь" или маркетинг?
06.04. Oppo A6c выходит на глобальный рынок
03.04. Honor Play 80 Pro – 7000 мАч и IP65, но экран 60 Гц и Android 15
03.04. Первые тизеры раскрывают ультратонкий дизайн Honor 600 Series
03.04. Honor X80i – первый смартфон на Dimensity 6500 и АКБ 7000 мАч
02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч
02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране
02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5
01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2