Встречи: Что показал "Ангстрем" на Иннопроме-2018

Никаких новых разработок по-сравнению с тем, что демонстрировалось на выставке “ЭкспоЭлектроника 2018”, похоже, не было.

В Екатеринбург, в частности, привозили силовые транзисторы, разработанные в 2017 году в рамках ОКР “Сила-И8” - это n- и p- канальные МОП-транзисторы в металлопластмассовых и герметичных металлокерамических корпусах. Транзисторы выполнены по технологиям Low Charge, Trench и Low Charge Space.
Также показали радиационно-стойкие широкополосные прецизионные операционные усилители серии 1494.
Были на стенде интегральные микросхемы серии 5524, предназначенные для космоса, реализованные на быстродействующем базовом матричном кристалле, стойком к радиации.
Среди прочего, представили продукцию в металлопластмассовых корпусах, выпускаемую в рамках программы импортзамещения.

Проблемы: Ангстрем-Т пытаются обанкротить

Совсем недавно позиционирующее себя как фаундри, зеленоградское предприятие сообщало о завершении своего мега-долгостроя и первом контракте с китайцами. Компании светило хотя бы отбитие издержек на существование, что для погрязшего в долге ВЭБу предприятия было бы отдушиной. Но в качестве скелетов, лезущих из шкафов, проявились подрядчики предприятия, которые потребовали наконец-то с ними расплатиться. Видимо, это реакция на информацию о заключенных контрактах. Подробнее.

Патенты: Белорусский "Интеграл" патентует разработки

Специалисты холдинга “Интеграл”, Беларусь, подали заявки на регистрацию шести топологий ИС в патентные ведомства Беларуси и России. Патентуются такие топологии, как:

• Трехканальный приемник 5560ИН6 стандарта LVDS с последовательно-параллельным преобразователем в 21-разрядный код,
• Параллельно-последовательный преобразователь 5560ИН3 с передатчиком стандарта LVDS,
• Приемник 5560ИН4 стандарта LVDS с последовательно-параллельным преобразователем,
• Параллельно-последовательный преобразователь 5560ИН5 21-разрядного кода с тремя передатчиками стандарта LVDS,
• Умножитель частоты 5560ПЛ1 с пониженным энергопотреблением для сопряжения КМОП-аппаратуры с высокоскоростным каналом,
• Интегральная микросхема 2ПЕ116А9 переключательных р-канальных МОП-транзисторов с управлением от логического уровня.

Встречи: ЗНТЦ готовится к ChipExpo-2018

ЗНТЦ примет участие в выставке ChipExpo-2018 (17-19 октября 2018 года в Экспоцентре Москвы), компания представит датчики положения и энкодеры для систем промышленной автоматизации, робототехники и нефтегазовой отрасли.

Новинки: Компания "Протон-Электроникс" в 2018 году объявила о выпуске более 10 новых приборов

Это перспективные приборы, включая изделия на базе подложек из карбида кремния. Среди них компания выделяет следующие новинки:

• Full-SiC модуль: модуль на основе новейшего поколения чипов SiC MOSFET и SiC SBD. Отличается особо низкой индуктивностью.
• IGBT-модули PIMA прижимной конструкции: высокая устойчивость к электроциклированию благодаря прижимной конструкции, стабильное состояние короткого замыкания в режиме отказа и возможность последовательного подключения.
• Модули IGBT с предварительно нанесенным термоинтерфейсом (TIM): модули с предварительно нанесенным материалом с изменяемым фазовым состоянием (PCM) отличаются низкой добавленной стоимостью и более длительным сроком службы. Как и термопасты, PCM обеспечивают низкое тепловое сопротивление, но не имеют проблем с растеканием, пересыханием и другими последствиями деградации материала.
• IGBT-инвертер для электрических и гибридных автомобилей: конвертер БИТР-150-0,52-1-В-У2 предназначен для применения в дорожных и внедорожных электрических (EV) и гибридных (HEV) транспортных средствах. Эти контроллеры преобразуют постоянный ток от аккумуляторной системы хранения энергии ТС в трехфазный переменный ток для питания двигателя.
• IGBT-драйвер: DI28-17-E-1 — это двухканальный plug&play драйвер для IGBT-модулей с шириной основания 34 и 62 мм классом напряжения до 1,7 кВ.
• Новое поколение IGBT-модулей: продолжение линейки IGBT-модулей с расширенным диапазоном тока и увеличенной устойчивостью к термоциклированию.

Награды: Ставропольского производителя кристаллов отметили промышленной премией

Ставропольский “Монокристалл” получил национальную промышленную премию РФ “Индустрия” за 2018 год. Это правительственная премия, ее вручил вице-премьер РФ Дмитрий Козак.

Компания Монокристалл - лидер в области производства кристаллов синтетического сапфира, который используется в качестве подложек при изготовлении светоизлучающих диодов, а также металлизационных паст для фотовольтаики. Более 98% продукции предприятия идет на экспорт, обеспечивая поступления валюты в России и высокие позиции Монокристалла на мировом рынке. Источник.

Новинки устройств: датчики задымления

Analog Devices (ADI) подготовила к выпуску интегрированный оптический модуль ADPD188BI. В корпусе собраны два светодиода с разными длинами волн, фотодиод, аналоговая схема обработки сигналов. Использование двух светодиодов и входной схемы, обеспечивающей подавление окружающей засветки, снижает вероятность ложных тревог. Подробнее.

Научные разработки: В США нашли еще одну альтернативу алмазу в охлаждении чипов

Современные полупроводники, особенно микропроцессоры, выделяют в процессе работы изрядное количество тепла. Исследователи постоянно ведут поиск способов, которые позволяли бы это тепло удалять. Упрощенная формула - чем выше теплопроводность материала, тем более он подходит для применения в электронике.

До сих пор эффективным рассеивателем тепла считался алмаз - в 15 раз более эффективный, нежели чем кристаллический кремний. Но природные алмазы дороги, а искусственные, как правило, содержат дефекты, снижающие теплопроводность.

В экспериментах в Университете штата Иллинойс (в Урбана-Шампейне) и Техасского университета в Далласе, ученые проверяли ранее предсказанную высокую теплопроводность кристаллов арсенида бора (BAs) из которого они смогли сформировать структуру с низкой плотностью дефектов методом вакуумного осаждения. В теории этот материал может обладать теплопроводностью в пять раз выше, чем у меди.

Теперь ученые займутся разработкой техпроцесса, который можно было бы использовать в практике производства электроники. Источник.

+ +

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике

теги: микроэлектроника ; полупроводники

+ +