MForum.ru
11.09.2018,
Основные участники мирового рынка силовых дискретных полупроводников -- Микроэлектроника
Новости
2021.12.07 [Силовая электроника. Практикум]. В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы. В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В статье по ссылке приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
+
Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике
+ +
© Алексей Бойко,
Публикации по теме:
25.04.2022. Загрузка фабрик по производству чипов останется высокой
21.02.2018. 
Микроэлектроника
Силовая электроника
Полезное чтение. В книге "Основы силовой электроники" (Белоус А, Ефименко С., Солодуха В. и др) представлена информация о принципах работы, основных технических характеристиках и технологиях изготовления полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, применяемых в силовой электронике.
Рассмотрена элементная база для вторичных источников питания, управления электродвигателями и осветительным оборудованием, для автомобильной электроники, управления MOSFET и IGBT.
Отдельные главы посвящены приборам на основе широкозонных полупроводников – нитрида галлия, карбида кремния и арсенида галлия. Рассмотрены вопросы высокотемпературной обработки в технологии приборов для силовой электроники, особенности корпусирования мощных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
- можно читать бесплатно, или - заказать.
[Силовая электроника. Практикум]
В мощных преобразователях электрической энергии наряду с диодами и тиристорами широко применяются силовые IGBT- и MOSFET-транзисторы.
В некоторых преобразователях в процессе работы транзисторы подвергаются различным по уровню и продолжительности перегрузкам по току и напряжению.
Специфические особенности приборов необходимо учитывать при проектировании преобразователей, прежде всего в процессе выбора транзисторов по предельным электрическим параметрам. Одним из таких параметров является предельное значение блокирующего напряжения Uблпр. Этот показатель варьируется в партии одинаковых приборов, что требует замеров и отбраковки части приборов по итогам измерений.
В приводятся рекомендации - как проводить измерения этого параметра, и что следует учитывать в ходе измерений.
12.09. ASML раскрыла дорожную карту литографии: после High-NA последует Hyper-NA с апертурой 0,75
11.09. АО «Трамплин Холдинг» вложилась в дизайн-центр Malt System
11.09. МегаФон запустил в России сеть 5G
11.09. Билайн запустил 5G с увеличением скорости мобильного интернета в зоне покрытия до 30%
11.09. Т2 о запуске сети 5G в России
11.09. МТС открыла абонентам скоростную гигабитную сеть в 5 городах и включила 5G на частотах LTE
11.09. Минцифры объявило о запуске 5G в России в 16 городах
11.09. Сети NTN 5G и спутниковая подключенность - взгляд GSA
10.09. Ericsson развернула p5G в аэропорту США
10.09. MWS Cloud: ритейл стал лидером по потреблению услуг резервного копирования
09.09. Дата-центры снижают долю использования воздушного охлаждения в пользу жидкостных методов
09.09. CXMT начала массовый выпуск LPDDR6 - китайский производитель догоняет лидеров
09.09. Qualcomm заключает сделку с Amazon о разработке кастомных ИИ-чипов
09.09. «Иду спать, дальше сам»: Siemens EDA представила ИИ-агента с самопроверкой для верификации чипов
09.09. ARATAS представила высоковольтное реле в стандартном 6-пиновом DIP-корпусе
11.09. HMD возрождает бренд Asha - представлен бюджетный смартфон Asha 30
11.09. Apple представила AirPods 5 – улучшенное шумоподавление и Live Translation
11.09. Apple представила Watch Series 12 и Watch Ultra 4 – новый чип S11 и рекордная автономность
10.09. Apple представила iPhone 18 Pro и 18 Pro Max: 2-нм чип A20 Pro и камера с переменной диафрагмой
10.09. Apple iPhone Duo – первый складной смартфон Apple оценен в $1999
10.09. Realme представит 16 Pro и Buds T500 Pro в стилистике вселенной Гарри Поттера
10.09. Tecno Camon Slim 5G получил корпус толщиной 6.39 мм, 144 Гц AMOLED-экран и АКБ 6000 мАч
09.09. Xiaomi Pad 9 Pro Max – флагманский планшет на Xring O3 с 13.3" 144 Гц и 12000 мАч
09.09. Oppo A7 Pro с АКБ 8000 мАч, зарядкой 45 Вт и ценой от $330 представлен в Китае
09.09. Infinix Xpad 30 Pro с 2.5K-экраном и АКБ 8200 мАч представлен глобально
08.09. Samsung Galaxy A07s – доступный смартфон с шестью годами обновлений
08.09. Xplora Go Pad – планшет для детей с упором на родительский контроль
08.09. Появилась информация дизайне и характеристиках Poco C95 Pro 4G
07.09. Xiaomi Smart Band 11 стал ярче, тоньше и дольше работает
07.09. Oppo A7 Pro с АКБ 8000 мАч, IP69K и AI-защитой замечен в официальном листинге
07.09. Motorola Edge 70 Plus с 200 МП камерой и АКБ 6500 мАч представлен в Европе
07.09. Poco X8 Power с АКБ 10 000 мАч, зарядкой 100 Вт и защитой IP69 представлен в Индии
05.09. Lenovo Yoga Tab Gen 2 и Plus Gen 2 – экран 4K@144 Гц, 7 лет обновлений и AI-функции
04.09. Poco F9 Pro с экраном 10 000 нит при 185 Гц и АКБ 6330 мАч дебютировал глобально
03.09. Poco X8 с AMOLED-экраном 1.5K@120 Гц и защитой IP69 представлен глобально
