((изображения - с сайта EE Times Japan))

((изображения - с сайта EE Times Japan))

Если современные EUV-установки с NA 0,33 формируют узоры с разрешением 13 нм, то High-NA обеспечивают разрешение до 8 нм, а Hyper-NA обещает дальнейшее улучшение показателя. (Важно не путать эти нанометры с «маркетинговыми», которые говорят не о разрешении литографа «в линиях», а о плотности размещения узлов на подложке.

Сроки коммерческого внедрения установок Hyper-NA - точно после 2030 года, они пока не утверждены окончательно: компания намерена ориентироваться на потребности заказчиков и рыночную конъюнктуру. Очень сложно сподвигнуть производителей на покупку все более дорогих установок.

Параллельно ASML наращивает производительность существующих EUV-сканеров с NA 0,33 – на них есть устойчивый спрос, а если бы не геополитика, он был бы в разы большим. Текущая модель NXE:3800F обрабатывает свыше 260 пластин в час; NXE:4200G должна поднять планку до 300+; NXE:4200H - до 330+. Одновременно ожидается рост точности совмещения слоёв (MMO – Matched Machine Overlay) - с 0,9 нм до 0,8 нм и далее до 0,7 нм.

В дорожной карте обозначены и дальнейшие перспективы: NXE:4600 нацелена на выдачу 400+ пластин в час при NA 0,33, а High-NA-установка EXE:5600 — на 250+ пластин в час.

EUV-установки не вытесняют и другие типы сканеров, в частности, те установки, что способны работать только по зрелым техпроцессам. Остаются востребованными, в частности, установки KrF (248 нм) и i-line (365 нм). В 2025 году ASML отгрузила 48 EUV-аппаратов и 131 иммерсивных DUV. || 

--

✓ Подпишитесь на RUSmicro в Telegram | в Max

--

теги: микроэлектроника крупнейшие участники рынка ASML фотолитографы степперы EUV Hyper-NA

--