EUV-литография, впервые внедренная для производства логических микросхем по передовым техпроцессам, уже освоила выпуск DRAM класса 1α (*) и продолжает распространяться на последующие поколения памяти.

Помимо давних лидеров в области производства структур на пластинах - Тайваня и Южной Кореи, новый спрос, вероятно, будет исходить от американских и китайских производителей чипов. Японская компания Rapidus планирует начать производство по 2-нм техпроцессу к концу этого десятилетия — это обострит конкуренцию за ограниченное количество оборудования.

В настоящее время ASML является единственным коммерческим поставщиком EUV-сканеров, отгружая системы крупнейшим контрактным и IDM-производителям. Экстремальные требования технологии к оптике, вакууму и энергопотреблению создают высокие входные барьеры.

Существуют альтернативные разработки — например, Canon проводит полевые испытания нанопечатной литографии для нишевых применений, а китайская SMEE регистрирует патенты, связанные с EUV, — однако в перспективе до 2030 года появление серийной замены платформе ASML маловероятно.

Даже несмотря на наращивание производственных мощностей ASML, ограничения спроса сохраняются. Производство и тестирование одного EUV-сканера занимает около 12 месяцев, а заявленная компанией пропускная способность может не позволить полностью ликвидировать текущий портфель заказов.

Поставка оптического оборудования для выпуска EUV-фотолитографов (оптимистичный сценарий)

Ключевым "бутылочным горлышком" остается ограниченный выпуск ультраточных зеркал и других оптических компонентов компанией Carl Zeiss SMT, которые должны оставаться абсолютно чистыми на протяжении всего жизненного цикла сканера.

Пока на рынке не появятся новые поставщики или не созреют радикально иные методы формирования рисунка, доступность EUV-оборудования, вероятно, останется ограниченной, а обеспечение достаточным количеством установок может стать серьезным фактором конкуренции в реализации дорожных карт по передовым техпроцессам.

по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond

(*) DRAM класса 1α - маркетинговое обозначение, используемое производителями памяти для "первого поколения узлов суб-10 нм"

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника EUV фотолитографы аналитика PwC Semiconductor and Beyond

--