Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

MForum.ru

Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

20.11.2018, MForum.ru


Исследователи из Мельбурнского королевского технологического института (RMIT), Австралия, убедились что можно использовать для управления пропуском тока не только кремний, как в традиционных полупроводниках, но и тонкие воздушные каналы.

По заявлению ученых, построенные на этом принципе транзисторы будут более быстродействующими, менее склонными к нагреву и не полупроводниковыми.

“Сейчас каждый компьютер и телефон построен на основе миллионов или даже миллиардов электронных транзисторов, выполненных из кремния, но эта технология подошла вплотную к ряду физических ограничений, поскольку атомы силикона, оказываясь под действием электротока, ограничивают скорость движения электронов и нагреваются”, - комментирует автор изобретения, Shruti Nirantar.

“Наша технология транзисторов с воздушным каналом подразумевает, что ток течет через узкий воздушный зазор, в котором практически нет помех, которые бы препятствовали этому процессу, нет материала, который сопротивляясь, нагревался бы”.

Nirantar добавляет, что результаты исследования могут использоваться для создания новой “наноэлектроники”, свободной от ряда ограничений, свойственных традиционным транзисторам на базе кремния.

“Эта технология - другой способ добиться микроминиатюризации транзисторов в попытке продлить действие закона Мура еще на несколько десятилетий”, - заявляет Nirantar.

В статье ученые пишут, что ведут эксперименты с воздушными зазорами менее 35 нм, и что в столь небольших каналах достигается эффект, сравнимый с течением тока в вакууме причем при комнатных температурах.

Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

источник изображения

“Размер зазора составляет всего несколько десятков нанометров, что в 50 тысяч раз меньше, чем толщина волоса человека. Этого достаточно, чтобы электроны двигались, как если бы они находились в вакууме”, - рассказывает руководитель проекта профессор Sharath Sriram.

“Это шаг вперед относительно существующей технологии, который позволит существенно нарастить быстродействие электроники и сохранить высокие темпы технологического прогресса”.

Источник: zdnet.com

В ближайшие годы вряд ли стоит ожидать повсеместного отказа от традиционных транзисторов в пользу такой вот "воздушно-зазорной" технологии. Особенно с учетом уже сделанных в развитие современной кремниевой микроэлектроники вложений в сотни миллиардов долларов. Тем не менее каждое очередное изобретение альтернативы показывает, что встающие перед технологами и в целом перед отраслью микроэлектроники задачи, находят самые необычные решения, некоторые из которых могут оказаться настолько привлекательыми, что повлекут за собой существенные изменения традиционных подходов к созданию микроэлектронных изделий и техники на их основе.

+

Список основных участников российского рынка производства полупроводников есть на MForum.ru

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники  

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

05.03. Предприятия ГК Элемент внедряют отечественные микросхемы в образовательный процесс

25.02. Микрон разработает установку измерения рассовмещения топологических слоев на пластинах 150 и 200 мм

06.02. Микрон представит свою продукцию на выставке Иннопром. Саудовская Аравия

19.01. Зеленоградский нанотехнологический центр (ЗНТЦ) в феврале 2026 года запустит линию по корпусированию микросхем в полимерные корпуса

22.12. Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

10.12. Сессия вопросов и ответов с руководителями НИИМЭ и НИИТМ 10 декабря 2025 года

10.12. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

10.12. Презентация НИИМЭ "Крупнейший в России комплекс по проведению научно-технологических исследований и разработок в области микро- и наноэлектроники"

10.12. Экспериментальный производственный участок ПХТ и ПХО на Микрон. Фоторепортаж. Часть 1

05.12. Правительство Москвы и Микрон создают комплексную лабораторию МИЛМ в ОЭЗ Технополис Москва

20.11. ГК Элемент хочет создать фаундри-центр кремниевой фотоники к концу 2027 года

10.11. Оборудование ПХО и ПХТ разработки ГК Элемент

09.06. Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта

26.03. GS Group будет корпусировать микросхемы для электронных модулей и блоков, применяемых в автопроме

20.02. Микрон расскажет об импортзамещении материалов

10.02. Микрон представил на Ozon новую отладочную плату

26.01. Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле

16.01. 2,78 млн российских транспортных карт Тройка за год

11.11. ОАК закупит электронные компоненты у ГК Элемент на 2 млрд

13.03. Корейские производители микросхем обещают остановить продажи старого оборудования из-за опасений американских санкций

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

08.05. Китай одобрил выделение спектра в диапазоне 6 ГГц для испытаний 6G

08.05. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям

08.05. Канадский центр фотонного производства "приватизируют"

08.05. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем

08.05. Huawei расширяет «офлайн-звонки»

08.05. Билайн в Тюменской области - покрытие 4G и домашний интернет расширены в восьми жилых комплексах

08.05. МегаФон в Оренбургской области - мобильный интернет ускорен в Бугуруслане

07.05. SpaceX представила планы строительства Terafab в Техасе с оценкой стоимости в $55 млрд

07.05. OpenAI завершила формирование совместного предприятия DeployCo с группой фондов прямых инвестиций

07.05. МТС запустил переводы для физлиц на кошельки WeChat Pay без комиссии

07.05. Билайн в Удмуртской республике - покрытие 4G обеспечено indoor-оборудованием в 4 ТЦ Ижевска

07.05. Росэл сообщает о начале серийного производства новой модификации отечественных светочувствительных КМОП-матриц с разрешением 4К

07.05. "Минцифры сообщает об отсутствии планов по отключению и ограничению мобильного интернета в Москве 7-8 мая"

07.05. МТС в Якутии - сеть LTE усилена в районе строительства Ленского моста

06.05. Индия дозрела до собственной низкоорбитальной группировки

Все статьи >>


Новости

08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально

08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально

07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320

07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90

06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249

06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?

06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка

05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы

05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500

05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5

04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED

04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H

04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?

30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2

30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86

29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99

29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч