Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

MForum.ru

Микроэлектроника: Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

20.11.2018, MForum.ru


Исследователи из Мельбурнского королевского технологического института (RMIT), Австралия, убедились что можно использовать для управления пропуском тока не только кремний, как в традиционных полупроводниках, но и тонкие воздушные каналы.

По заявлению ученых, построенные на этом принципе транзисторы будут более быстродействующими, менее склонными к нагреву и не полупроводниковыми.

“Сейчас каждый компьютер и телефон построен на основе миллионов или даже миллиардов электронных транзисторов, выполненных из кремния, но эта технология подошла вплотную к ряду физических ограничений, поскольку атомы силикона, оказываясь под действием электротока, ограничивают скорость движения электронов и нагреваются”, - комментирует автор изобретения, Shruti Nirantar.

“Наша технология транзисторов с воздушным каналом подразумевает, что ток течет через узкий воздушный зазор, в котором практически нет помех, которые бы препятствовали этому процессу, нет материала, который сопротивляясь, нагревался бы”.

Nirantar добавляет, что результаты исследования могут использоваться для создания новой “наноэлектроники”, свободной от ряда ограничений, свойственных традиционным транзисторам на базе кремния.

“Эта технология - другой способ добиться микроминиатюризации транзисторов в попытке продлить действие закона Мура еще на несколько десятилетий”, - заявляет Nirantar.

В статье ученые пишут, что ведут эксперименты с воздушными зазорами менее 35 нм, и что в столь небольших каналах достигается эффект, сравнимый с течением тока в вакууме причем при комнатных температурах.

Воздушный зазор вместо традиционного полупроводника?

источник изображения

“Размер зазора составляет всего несколько десятков нанометров, что в 50 тысяч раз меньше, чем толщина волоса человека. Этого достаточно, чтобы электроны двигались, как если бы они находились в вакууме”, - рассказывает руководитель проекта профессор Sharath Sriram.

“Это шаг вперед относительно существующей технологии, который позволит существенно нарастить быстродействие электроники и сохранить высокие темпы технологического прогресса”.

Источник: zdnet.com

В ближайшие годы вряд ли стоит ожидать повсеместного отказа от традиционных транзисторов в пользу такой вот "воздушно-зазорной" технологии. Особенно с учетом уже сделанных в развитие современной кремниевой микроэлектроники вложений в сотни миллиардов долларов. Тем не менее каждое очередное изобретение альтернативы показывает, что встающие перед технологами и в целом перед отраслью микроэлектроники задачи, находят самые необычные решения, некоторые из которых могут оказаться настолько привлекательыми, что повлекут за собой существенные изменения традиционных подходов к созданию микроэлектронных изделий и техники на их основе.

+

Список основных участников российского рынка производства полупроводников есть на MForum.ru

За новостями микроэлектроники и полупроводников удобно следить в телеграм-канале RUSmicro

теги: микроэлектроника полупроводники  

+ +

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

09.06. [Новости компаний] Базовые станции: Иртея будет получать микросхемы Микрон в рамках форвардного контракта / MForum.ru

26.03. [Новости компаний] Микроэлектроника: GS Group будет корпусировать микросхемы для электронных модулей и блоков, применяемых в автопроме / MForum.ru

20.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Микрон расскажет об импортзамещении материалов / MForum.ru

10.02. [Новости компаний] Микроэлектроника: Микрон представил на Ozon новую отладочную плату / MForum.ru

26.01. [Новости компаний] Микроэлектроника: Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

15.07. [Новинки] Слухи: Oppo K13 Turbo и K13 Turbo Pro готовятся к анонсу / MForum.ru

15.07. [Новинки] Анонсы: Lenovo Yoga Tab Plus с AI-функциями представлен в Индии / MForum.ru

15.07. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy S25 FE будет поддерживать зарядку 45 Вт / MForum.ru

14.07. [Новинки] Анонсы: Vivo Y19s GT 5G представлен официально / MForum.ru

14.07. [Новинки] Анонсы: Недорогой 5G-смартфон Infinix Hot 60 5G представлен официально / MForum.ru

11.07. [Новинки] Анонсы: Infinix представил смартфоны Hot 60 Pro+ и Hot 60 Pro / MForum.ru

11.07. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy Z Fold 7 – большое обновление линейки Z Fold / MForum.ru

10.07. [Новинки] Анонсы: Samsung Galaxy Z Flip 7 FE первый складной смартфон серии FE / MForum.ru

10.07. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон Samsung Galaxy Z Flip 7 представлен официально / MForum.ru

10.07. [Новинки] Анонсы: Смартфоны Tecno серии Spark 40 представлены официально / MForum.ru

09.07. [Новинки] Анонсы: OnePlus Nord CE5 с АКБ 7100 мАч представлен официально / MForum.ru

09.07. [Новинки] Анонсы: Представлен OnePlus Nord 5 c 6,83-дюймовой AMOLED-матрицей и сенсором LYT-700 / MForum.ru

08.07. [Новинки] Анонсы: Honor X9c 5G представлен официально / MForum.ru

08.07. [Новинки] Слухи: Honor X70 получит АКБ емкостью 8300 мАч / MForum.ru

07.07. [Новинки] Анонсы: Itel City 100 представлен официально / MForum.ru

07.07. [Новинки] Слухи: Infinix Hot 60 5G + оснастят One-Tap AI Button / MForum.ru

04.07. [Новинки] Слухи: Аксессуары для Samsung Galaxy Z Flip 7 показали на рендерах / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Moto G100 Pro с MediaTek Dimensity 7300 и АКБ 6720 мАч представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Infinix Hot 60i с AI-функциями представлен официально / MForum.ru

03.07. [Новинки] Анонсы: Tecno представила 3 смартфона серии Spark 40 / MForurm.ru