Сегодня мы узнали, что новинка Snapdragon 835, которая должна упрочить слегка пошатнувшиеся позиции Qualcomm, будет производиться с использованием технологического процесса 10 нм Samsung FinFET. Переход на 10 нм очень важен - он обещает то, что сегодня больше всего волнует потребителей - потенциальный выигрыш в длительности автономной работы мобильных устройств. Компания, которая первой выставит такой чипсет на рынок, получит почти весь рынок флагманов самых разных производителей.

Переход с 14 нм на 10 нм позволяет выиграть в потреблении энергии до 40%, можно также говорить об ожидаемом приросте производительности на 27%, а эффективная площадь чипа вырастет при этом на 30%, что позволит разместить на нем больше полупроводников. Либо можно уменьшить площадь, занимаемую чипсетом в устройстве, высвободив ее для увеличения размеров аккумуляторной батареи. То есть выигрыш во времени работы устройства может быть даже более 40%.

Как сообщают Qualcomm и Samsung, Snapdragon 835 уже в производстве. Но не ждите устройств на нем в подарок от Деда Мороза. Они появятся не ранее следующего года, скорее всего еще до лета. На CeBIT и в Барселоне практически наверняка мы увидим первые рабочие прототипы смартфонов на этой платформе. Если Samsung не подведет в плане сроков и объемов выпуска чипсетов...

Важный аспект сделки - Samsung получает доступ к самым современным наработкам Qualcomm. Вряд ли можно сомневаться, что вооруженная этим опытом, компания сможет существенно улучшить свою линейку Exynos. Очередной урок для американцев, что FABless - это здорово, но не тогда, когда тебе приходится сотрудничать с сильным конкурентом. Можно ли прогнозировать начало завершения звездных годов Qualcomm? Пока об этом говорить, наверное, рано, но и сбрасывать со счетов этот сценарий я бы не стал.

Вспомнить, что такое FinFET поможет справка MForum.ru.