FinFET 

Термин FinFET начали использовать в Университете Калифорнии, Беркли для описания непланарных, двухгейтовых транзисторов, построенных в целом в соответствии с одногейтовым дизайном DELTA. Основная характеристика FinFET - то, что проводящий канал обернут тонким кремниевым "fin", который формирует тело устройства. Толщина финишного покрытия (измеренная в направлении от Source к Draine определяет длину эффективного канала устройства. Структура "обернутого гейта" обеспечивает лучшее электрическое управление каналом и помогает сократить утечку тока и другие эффекты, присущие коротким каналам. 

В настоящее время термин используется в более широком смысле. Производители микропроцессоров называют FinFET практически любые свои двухгейтовые разработки (AMD, IBM, Freescale, Qualcomm), тогда как Intel избегает использовать этот термин. В технической литературе термин может описывать практически любые многогейтовые транзисторы, независимо от числа гейтов.

Первые показы 25 нм транзистора TSMC, работающего всего от 0.7 В состоялись еще в декабре 2002 года. Задержка переключения гейта составила всего 0.39 пикосекунд для транзистора N-типа и 0.88 для транзистора P-типа.

С 2012 года Intel начала использовать FinFET для разработок будущих коммерческих продуктов. С ноября 2013 года TSMC начала производство 16 нм FinFET. 

{{204971}}
Источник картинки

FinFET позволяет сохранить площадь соприкосновения чипа с подложкой при уменьшении площади подложки. Переход от планарной структуры к объемной 3D-структуре FinFET обещает выигрыш в площади, необходимой для размещения чипа на печатной плате.

На апрель 2014 года одним из лидеров в области FinFET считается компания Qualcomm. Технология используется, например, в чипсете Snapdragon 820, который, как ожидается, начнет сэмплироваться во второй половине 2015 года. 

В 2015-2016 годы ожидается начало выпуска 16 нм FinFET Turbo.