Компания onsemi (ON Semiconductors) базируется в Фишкилле, США, и занимается выпуском силовых полупроводников, в том числе на основе SiC с напряжениями до 1700В. Производственные мощности onsemi расположены не только в США, но и в Чехии и в Южной Корее. 

Фабрики в США, Чехии и Корее. 

2024

Компания представила линейку чипов дял ЦОД для повышения энергоэффективности преобразований электроэнергии

2023

Планы расширения производства с инвестициями в $2 млрд. К 2027 году компания намерена захватить 40% рынка автомобильных чипов из карбида кремния. 

2022

$8,3 млрд в 2022 году - объем производства и продаж. $1,6 млрд - свободный денежный поток. 

Новости

2024.07.04 Американская onsemi приобрела SWIR Vision Systems.  Компания onsemi завершила приобретение SWIR Vision Systems, специалиста в области коротковолновых ИК технологий на основе коллоидных квантовых точек (CQD). Об этом сообщает Photonics.com.

SWIR Vision Systems стала 100% дочерней компанией onsemi, ее команда интегрирована в группу Intelligent Sensing Group компании onsemi. Компания продолжит работать в Северной Каролине.

Технология CQD компании SWIR Vision Systems расширяет диапазон «видимости» и возможности обнаружения за пределами диапазона чувствительности стандартных CMOS датчиков и позволяет использовать длины волн SWIR (short wave infrared – коротковолновый участок диапазона ИК-волн, то есть 0.9 – 2.5 мкм). На сегодняшний день технология SWIR находит ограниченной применение из-за высокой стоимости процесса на основе арсенида индия-галлия (InGaAs).

С покупкой SWIR Vision Systems компания onsemi как ожидается сможет комбинировать свои CMOS-датчики и производственный опыт с технологией CQD для производства интегрированных датчиков SWIR по более низкой цене и в больших объемах. Это позволяет надеяться на появление на рынке более компактных и экономичных систем визуализации, способных работать в более широком диапазоне частот, которые можно будет применять в различных приложениях от коммерческих и промышленных до оборонных.

Датчики для SWIR диапазона позволяют вести наблюдение в условиях плохой видимости – для лучей этого диапазона не являются преградой пар, туман, дым, тонированные стекла и некоторые вещества. Камуфлирующие покрытия, эффективные в области частот 0,4-0,9 мм, теряют свои маскирующие свойства в SWIR-диапазоне. В диапазоне коротких ИК волн хорошо выявляются объекты на воде, линии электропередач, нефте- и газопроводы, железные дороги. Известны применения датчиков этого диапазона в медицине, например, для выявления онкологических заболеваний методом визуализации флуоресценции. С помощью SWIR-камеры легко выявляется лазерное излучение с длиной волны 1,54 мкм, применяемые в некоторых дальномерах, а также различные тепловые вспышки. Можно применять SWIR-камере в техническом неразрушающем анализе произведений живописи.

В России камеры SWIR разработало предприятие НПР Орион, входящее в холдинг Швабе. 

Компания onsemi (ON Semiconductors) базируется в Фишкилле, США, и занимается выпуском силовых полупроводников, в том числе на основе SiC с напряжениями до 1700В. Производственные мощности onsemi расположены не только в США, но и в Чехии и в Южной Корее.

2024.06.05 Onsemi стремится повысить энергоэффективность ИИ с помощью чипов из карбида кремния, сообщает Reuters. Сегодня американская компания Onsemi представила линейку чипов для ЦОД, чтобы повысить их энергоэффективность за счет технологии, которая успешно продаются для электромобилей. Onsemi специализируется на чипах SiC, более дорогих в производстве, но более эффективной в преобразовании энергии. По словам Саймона Китона, президента группы силовых полупроводников Onsemi, в типовом ЦОД электричество преобразуется, минимум 4 раза между моментом поступления в здание и моментом, когда она поступает на чип, выполняющий вычисления. По словам Китона, в ходе этих преобразований, в виде тепла теряется около 12% электроэнергии. Компании уровня Amazon, Google и Microsoft платят за эти потери электроэнергии, за ее преобразование в тепло. Вдобавок они платят еще и за электроэнергию, которая тратится на охлаждение ЦОД. Переход на SiC микроэлектронику, по оценкам Onsemi, может дать экономию в 1 процентный пункт от потребляемой ЦОДом мощности. Скромно? Нужно понимать, что речь идет о крупнейших потребителях электроэнергии в США. Оценки того, сколько электроэнергии будут потреблять ЦОД ИИ через 2 года ошеломляют, речь идет о 1000 тераватт-часов... Чтобы представить, что такое 1% от этой энергии - его хватило бы для обеспечения электроэнергией 1 млн домохозяйств в течение года. Овчинка стоит выделки. 

2023.05.18 ON Semiconductor намерена захватить 40% рынка автомобильных чипов из карбида кремния. Компания рассматривает возможность инвестировать $2 млрд в расширение производства чипов для электромобилей. У компании уже есть фабрики в США, Чехии и Корее, для расширения производства скорее всего будет выбрана одна из этих площадок. На встрече с финансовыми аналитиками, руководители ON Semi упомянули, что к 2027 году намерены захватить 40% рынка автомобильных чипов из карбида кремния. Для этого компания намерена увеличить объемы производства и продаж с $8,3 млрд в 2022 году до целевого значения в $13,9 млрд в 2027 году. Как ожидается, свободный денежный поток компании вырастет с $1,6 млрд до $3,5 - $4 млрд к 2027 году. 

2023.01.05 Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В. Американская компания onsemi представит EliteSiC - новое семейство приборов на базе карбида кремния (SiC) на выставке CES2023. В нем три новых прибора, способных работать с напряжениями до 1700В - EliteSiC MOSFET (NTH4LO28N170M1) и два 1700В диода Шоттки (NDSH25170A, NDSH10170A). Появление таких приборов отвечает тренду на выпуск источников энергии со все более высоким напряжением, например, солнечные панели выпускаются с напряжением от 1100В до 1500В постоянного тока. У нового транзистора Vgs - 15В/25В, что позволяет применять этот прибор в приложениях, где требуется быстрое переключение. Напряжение затвора - до -10В.
В условиях испытаний, при напряжении 1200В и токе 40А полевой транзистор EliteSiC 1700В достигает заряда затвора Qg 200 нКл, что, по заявлениям компании, лучше, чем у конкурентных изделий, у которых этот показатель составляет порядка 300 нКл. Чем ниже этот параметр, тем более быстродействующим является прибор. Диоды Шоттки EliteSiC обеспечивают высокую разницу между максимальным обратным напряжением VRRM и пиковым повторяющимся обратным напряжением диода. Новые устройства также обеспечивают отличные значения обратной утечки с максимальным обратным током (IR) всего 40 мкА при 25C и 100 мкА при 175С, что лучше, чем у аналогичных устройств других производителей, которые зачастую не показывают ток ниже 100 мкА при 25С. Источник: digitimes.com

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника силовая электроника SiC onsemi