Микроэлектроника: Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

MForum.ru

Микроэлектроника: Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

22.12.2025, MForum.ru


В декабре 2025 года подписано соглашение onsemi и Innoscience о совместной разработке и производстве GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ. Как отмечается в пресс-релизе компании, onsemi ожидает начала тестирования в первой половине 2026 года. Об этом сообщает TrendForce.

Китайская сторона готова осуществлять массовое производство, у компании есть соответствующие мощности – на конец 2024 года ее объем производства составляет 13 тысяч 8-дюймовых пластин GaN в месяц, уровень выхода годных – более 95%. Используется собственная 8-дюймовая GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии) технология. Транзисторы работают в режиме e-mode (нормально закрытые), что безопасно и удобно для разработчиковInnoscience – второй по объему производитель GaN в Китае.

Onsemi готова представить свои технологии упаковки и системной интеграции. Эта американская компания – второй по величине в мире производитель силовых микросхем. Компания смещает свой стратегический фокус на такие перспективные сегменты, как электромобили, автономное вождение, промышленная автоматизация и возобновляемая энергия.

В onsemi надеются, что партнерство с Innoscience предоставит компании доступ к крупнейшей в отрасли производственной базе GaN, что позволит ей быстро масштабировать свой портфель GaN-продуктов для клиентов по всему миру.

Аналитики (Yole) прогнозируют рост рынка GaN-устройств с CAGR 42% до 2030 года. Партнерство помогает onsemi быстро занять долю в перспективном сегменте низкого и среднего напряжения, где был дефицит предложения.

Практически одновременно onsemi анонсировала партнерство с GlobalFoundries по разработке GaN-устройств на 650 В для высоковольтных применений. Это показывает гибридную стратегию: собственная разработка (vGaN), партнерство с GlobalFoundries (среднее/высокое напряжение) и с Innoscience (низкое/среднее напряжение).

В условиях ограничений на экспорт технологий в Китай, такое сотрудничество американской компании с китайским производителем вызывает вопросы. Однако для onsemi это способ получить доступ к крупнейшим в отрасли производственным мощностям GaN, что критически важно для победы американской компании в рыночной гонке.

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: производство электроники производители электроники Микрон

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

22.09.2026. В Канаде создадут первое предприятие по производству квантовых полупроводников

08.09.2026. Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience

14.07.2026. НИИЭТ выводит на рынок два мощных GaN-транзистора

05.07.2026. Компания Infineon Technologies запустила новый завод в Дрездене

18.06.2026. Корея делает большую ставку на SiC и GaN – получится ли?

24.05.2026. Миландр обеспечил импортзамещение ряда изделий, необходимых для отечественных БС 5G

15.05.2026. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды

12.05.2026. Индийская Cyient выходит на рынок силовых GaN-полупроводников

14.04.2026. Intel выпустила тонкий чиплет с транзисторами из нитрида галлия (GaN)

10.03.2026. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств

03.03.2026. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

16.02.2026. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

20.01.2026. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

18.01.2026. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01.2026. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

16.01.2026. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC

11.01.2026. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке

08.01.2026. Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе

04.01.2026. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

01.01.2026. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника



Поиск по сайту:


Колонка редактора

23.10. США направляют еще $389 млн на финансирование НИОКР в области полупроводников

23.10. Тульский ФК «Арсенал» запустил MVNO на инфраструктуре Билайн

23.10. Решение FCC обостряет конкуренцию Amazon и Starlink

23.10. МТС расширила покрытие вдоль железной дороги Новосибирск-Омск

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

Все статьи >>


Новости

23.10. Huawei Pura 90 Plus получит 1-дюймовую камеру с переменной диафрагмой

23.10. Nubia A76 4G – новый смартфон со старым именем

23.10. Xiaomi представили Redmi Book 2027 – батарея 72 Вт•ч и новый дизайн

23.10. Realme раскрыла стратегию на 2027 год

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство