Микроэлектроника: Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

MForum.ru

Микроэлектроника: Американская компания onsemi будет создавать GaN-технологии вместе с китайской

22.12.2025, MForum.ru


В декабре 2025 года подписано соглашение onsemi и Innoscience о совместной разработке и производстве GaN-технологий низкого и среднего напряжения, начиная с устройств на 40-200 В. Цель партнерства – объединить опыт onsemi в области интегрированных систем с 8-дюймовой GaN-технологией Innoscience для поддержки продуктов для промышленного применения, автомобильной промышленности, телекоммуникационной инфраструктуры, потребительских товаров и центров обработки данных с использованием ИИ. Как отмечается в пресс-релизе компании, onsemi ожидает начала тестирования в первой половине 2026 года. Об этом сообщает TrendForce.

Китайская сторона готова осуществлять массовое производство, у компании есть соответствующие мощности – на конец 2024 года ее объем производства составляет 13 тысяч 8-дюймовых пластин GaN в месяц, уровень выхода годных – более 95%. Используется собственная 8-дюймовая GaN-on-Si (нитрид галлия на кремнии) технология. Транзисторы работают в режиме e-mode (нормально закрытые), что безопасно и удобно для разработчиковInnoscience – второй по объему производитель GaN в Китае.

Onsemi готова представить свои технологии упаковки и системной интеграции. Эта американская компания – второй по величине в мире производитель силовых микросхем. Компания смещает свой стратегический фокус на такие перспективные сегменты, как электромобили, автономное вождение, промышленная автоматизация и возобновляемая энергия.

В onsemi надеются, что партнерство с Innoscience предоставит компании доступ к крупнейшей в отрасли производственной базе GaN, что позволит ей быстро масштабировать свой портфель GaN-продуктов для клиентов по всему миру.

Аналитики (Yole) прогнозируют рост рынка GaN-устройств с CAGR 42% до 2030 года. Партнерство помогает onsemi быстро занять долю в перспективном сегменте низкого и среднего напряжения, где был дефицит предложения.

Практически одновременно onsemi анонсировала партнерство с GlobalFoundries по разработке GaN-устройств на 650 В для высоковольтных применений. Это показывает гибридную стратегию: собственная разработка (vGaN), партнерство с GlobalFoundries (среднее/высокое напряжение) и с Innoscience (низкое/среднее напряжение).

В условиях ограничений на экспорт технологий в Китай, такое сотрудничество американской компании с китайским производителем вызывает вопросы. Однако для onsemi это способ получить доступ к крупнейшим в отрасли производственным мощностям GaN, что критически важно для победы американской компании в рыночной гонке.

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: производство электроники производители электроники Микрон

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

10.03. ROHM лицензирует GaN‑технологии у TSMC - новый этап в производстве силовых устройств

03.03. В Сибири изучают возможности создания элементов памяти на квантовых точках

16.02. Крупнейший в мире производитель полупроводников GaAs ожидает взрывной рост спроса на них

20.01. Президенты Кореи и Италии договорились об укреплении сотрудничества в области ИИ и микроэлектроники

18.01. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

16.01. Производство структур на пластинах – оценки и прогнозы PwC

11.01. Переход на GaN-чипы на телекоммуникационном рынке

08.01. Aegis Aerospace и United Semiconductors запускают коммерческое производство полупроводников в космосе

04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

01.01. Орбитальное производство полупроводников – британская Space Forge получила плазму в условиях автономного коммерческого спутника

10.12. Презентация НИИТМ "Отечественное технологическое оборудование для микроэлектроники. Кластеры ПХО, ПХТ"

30.11. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников

25.06. ERG планирует начать производство галлия в Казахстане с 2026 года

05.06. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд

15.01. Axiom Space задумывается о производстве полупроводниковых материалов в космосе

11.03. Микроэлектроника в Японии

11.03. ROHM

22.02. В Китае выпустили мощный СВЧ-чип на базе алмаза для устройств РЭБ

12.02. Элемент

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

В форуме нет сообщений.

Новое сообщение:
Complete in 1 ms, lookup=0 ms, find=1 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

01.04. МТС испытала «летающую базовую станцию» на аэростате в Саратовской области

01.04. Российской частной спутниковой связи выделили частоты - для тестов

25.03. SK Hynix разместила у ASML крупнейший публичный заказ на EUV-оборудование на $8 млрд

25.03. МегаФон в Красноярском крае - покрытие 4G расширено в 16 муниципальных округах

25.03. МТС в Республике Бурятия - мобильный интернет ускорен в курортном поселке Жемчуг

24.03. Норвежский стартап Lace Lithography привлек $40 млн на литографию с атомарным разрешением

24.03. Билайн в Санкт-Петербурге - мобильный интернет оператора в метро признан лучшим по оценкам DMTEL

24.03. Билайн бизнес сообщает о расширении возможностей связи для предпринимателей

24.03. Кризис расползается по цепочке поставок

24.03. TSMC наращивает мощности в США, спрос на чипы высок, а выручка в 2026 году может вырасти на 30%

24.03. МТС в Приморском крае организовал новый трансграничный переход интернет-трафика с China Mobile

24.03. Практика российских бигтехов – только 7-10% пилотных ИИ-проектов 2025 года дошли до полноценного внедрения

24.03. Запущены первые 16 спутников БЮРО 1440

23.03. В России могут начать работы над литографом для техпроцесса 90 нм в 2026 году

23.03. Samsung Electronics вложит рекордные 110 трлн вон

Все статьи >>


Новости

03.04. Honor Play 80 Pro – 7000 мАч и IP65, но экран 60 Гц и Android 15

03.04. Первые тизеры раскрывают ультратонкий дизайн Honor 600 Series

03.04. Honor X80i – первый смартфон на Dimensity 6500 и АКБ 7000 мАч

02.04. Oppo K15 Pro – киберпанк-дизайн, активное охлаждение и батарея 7500 мАч

02.04. Рендеры Sony Xperia 1 VIII показывают квадратный блок камер и вырез в экране

02.04. Vivo Pad 6 Pro – 13.2-дюймовый 4K-экран, АКБ 13 000 мАч и Snapdragon 8 Elite Gen 5

01.04. Lava Bold N2 Pro – меньше и дешевле, чем обычный Bold N2

01.04. Утечка раскрывает характеристики HMD Crest 2 Pro

31.03. Vivo X300 Ultra – 200 МП телевик с гиростабилизацией и почти дюймовый 35-мм модуль

31.03. Vivo X300s – 200 МП основная камера, АКБ 7100 мАч и цена от 720 долларов

31.03. Бюджетный Realme Narzo 100 Lite получит 3 конфигурации памяти

30.03. Все iPhone 18 получат уменьшенный Dynamic Island, но рамки останутся прежними

30.03. OnePlus Nord CE6 Lite получит Dimensity 6300, батарея 7000 мАч и цену до 23 000 рупий

27.03. Представлены iQOO Z11 и Z11x – 9050 мАч, 165 Гц и IP69 за 290 долларов

27.03. iPad (2026) получит чисет A18, 8 ГБ RAM и тот же дизайн

26.03. Vivo X300s – 200 МП, перископ, батарея 7100 мАч и защита IP69

26.03. Представлены Samsung Galaxy A57 и A37 с IP68, Exynos 1680 и прежними камерами

25.03. OnePlus 15T – компактный флагман с батареей 7500 мАч, защитой IP69K и экраном 165 Гц

25.03. Samsung Galaxy Z Fold8 – 200 МП, 8-дюймовый экран и батарея 5000 мАч

25.03. Первый тизер Tecno Spark 50 5G раскрывает дизайн новинки