В журнале "Время электроники" вышла статья Дмитрия Боднаря "Полупроводниковая микроэлектроника – 2025 г. Часть 2.1. Китай обваливает мировые цены широкозонных полупроводников, приводит лидеров рынка к банкротству и вынуждает их менять стратегии развития"

Статья анализирует текущее состояние и перспективы мирового рынка широкозонных полупроводников (ШЗП) — карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN).

Ключевым фактором, определяющим динамику рынка, стало агрессивное ценообразование со стороны китайских производителей электромобилей и электронных компонентов. Это привело к серьезным потрясениям: банкротству американского лидера Wolfspeed, отказу Renesas от развития SiC-технологий и уходу TSMC с рынка контрактного производства GaN.

В то же время, рынок продолжает демонстрировать высокие темпы роста, смещая фокус с электромобилей на центры обработки данных (ЦОД) для искусственного интеллекта. Перспективным направлением становится разработка архитектуры питания 800 В на основе GaN-устройств, которая позволит резко повысить эффективность мегаваттных ЦОД.

Статья подчеркивает, что геополитическая нестабильность и ценовая экспансия Китая создают высокие риски для глобальных компаний, вынуждая их кардинально менять стратегии развития.

В целом, в очередной раз стоит задуматься о том, что Китай не оставляет места и шансов конкурентам. И действовать соответственно, а не как сейчас действуют иные страны.

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: микроэлектроника геополитика широкозонные полупроводники

--