Силовая электроника: Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

MForum.ru

Силовая электроника: Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

04.01.2026, MForum.ru


Что происходит в мире силовой электроники на базе широкозонных полупроводников - подробнее читайте в детальном обзоре Дмитрия Боднаря для журнала Электронные компоненты, №12, 2025.

Главный тренд: переход к стандартным пластинам большого размера

Ключевой стратегией всех крупных игроков стал стремительный переход с пластин диаметром 150 мм на 200 мм и даже 300 мм. Еще 4–5 лет назад стандартом были 100 мм, а сегодня 150 мм уже считается устаревшим. Зачем это нужно?

Простой пример: переход с 150 мм на 200 мм дает почти двукратное увеличение количества чипов с одной пластины при почти неизменной себестоимости процесса. Это самый эффективный путь снижения цены конечных устройств.

Кто и как переходит на новый размер?

  • TSMC полностью закрывает свое производство GaN-on-Si на 150-мм пластинах.
  • Infineon разрабатывает пластины SiC диаметром 300 мм, массовое производство планируется на 2026 год.
  • Innoscience (Китай) уже запустила линию 200-мм пластин мощностью 10 тыс. пластин в месяц.
  • Texas Instruments, Nexperia, XFAB, GlobalFoundries — все либо уже выпускают, либо активно готовят производство на 200–300 мм пластинах.

Нет ни одной крупной IDM- или фаундри-компании, которая бы не готовила этот переход. На заметку всем, кто цепляется за пластины 150 мм (и 200 мм) будто экономика процесса не имеет значения (и так купят, куда денутся?).

Новые технологии меняют правила игры

Помимо размера, появляются и принципиально новые подходы, которые могут перевернуть рынок.

  • GaN-on-QST: технологию лицензировала тайваньская компания VIS. Эта технология в ближайшие годы может лишить IDM-компании их ключевых преимуществ, изменив весь рыночный ландшафт.

  • Победа китайских цен: Китайские компании (например, SICC и SuperSiC) активно осваивают выпуск 300-мм пластин SiC на собственном оборудовании. Их агрессивная ценовая политика уже привела к банкротству некоторых западных конкурентов (как бельгийская BelGaN) и заставляет пересматривать бизнес-модели.

  • Новые материалы: Исследования с перспективными материалами, такими как AlN и ScAlN, переходят из лабораторий в прикладную стадию.

💎 Индустрия переживает этап стремительной эволюции и жесткой консолидации. Побеждать будут те, кто сможет эффективно масштабироваться до 300 мм, контролировать всю цепочку создания стоимости и противостоять ценовому давлению с востока.

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: тренды силовая электроника микроэлектроника широкозонные полупроводники мнения аналитика

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

18.09.2026. BMW будет использовать SiC-компоненты производства Rohm

08.09.2026. Infineon занял второе место на рынке GaN-транзисторов, первое – за китайской Innoscience

17.08.2026. ГК «Элемент» запускает серийное производство модулей и блоков в Алабушево

05.07.2026. Компания Infineon Technologies запустила новый завод в Дрездене

29.06.2026. Элемент запустит кристальное производство силовых полупроводников в 2028 году

18.06.2026. Корея делает большую ставку на SiC и GaN – получится ли?

08.12.2025. В России создадут кластер по переработке критических металлов

15.07.2025. Рынок силовых полупроводников – выживают не все

05.06.2025. GlobalFoundries увеличивает инвестиционные планы до $16 млрд

26.01.2025. Разработанные в Силовом ключе карбид кремниевые транзисторы задействовали в силовом модуле

05.01.2023. Onsemi представила новые решения на основе карбида кремния под брендом EliteSiC 1700В

05.12.2022. Onsemi

29.08.2022. Росстандарт сформировал технический комитет по стандартизации СВЧ и силовых компонентов - ТК 328

15.03.2022. Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников

10.02.2022. Спрос на SiC полупроводники будет расти

04.12.2021. Bosch приступила к массовому производству пластин SiC

29.11.2021. Микрон освоил производство транзисторов Trench MOSFET

10.12.2019. Семинар по силовой электронике

07.01.2019.  Оксид галлия - полупроводник со сверхширокой запрещенной зоной

26.10.2018. Infineon начинает строительство новой фабрики



Поиск по сайту:


Колонка редактора

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

21.10. T2 перевел в режим поддержки 5G 4093 объекта – данные РКН

21.10. Xona делает шаг к собственной навигационной сети: шесть спутников Pulsar выведены на LEO орбиту

21.10. МТС начала предоставлять услуги 5G 2100 МГц в отдельных районах Иркутска

21.10. Представители отрасли предлагают "откатить" ужесточение параллельного импорта

Все статьи >>


Новости

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство

16.10. Samsung начинает распространять обновление One UI 9 для Galaxy A27 и A37

16.10. Раскрыты подробности о 2K 185 Гц дисплее и игровых функциях iQOO Neo12

15.10. itel City 300 5G – 5G-смартфон с экраном 120 Гц за 14 999 рупий

15.10. Раскрыт список совместимых устройств и график обновления до Nothing OS 5.0