Компания Bosch приступила к массовому производству чипов SiC (карбида кремния) на своей фабрике в Германии. К 2023 году компания планирует в 4 раза увеличить вместимость чистых помещений и перейти на использование пластин 200мм.

Bosch уже несколько лет подряд работает с силовыми проводниками на основе SiC на своей фабрике в Ройтлингене, а теперь перешла к массовому производству и наращиванию мощностей. Текущие производственные мощности уже проданы, а готовность новых мощностей, основанных на пластинах 200мм не ожидается ранее 2023 года.

Изделия на базе SiC уже прошли проверку у клиентов компании, в массовом производстве в 2022 году появятся устройства, которые в Bosch называют устройствами "второго поколения".

"Мы хотим стать глобальным лидером в области производства SiC чипов для электромобилей", - заявил Харальд Крёгер, член правления Robert Bosh. "Наши книги заказов полны, спасибо буму спроса на электромобили".

В Bosch намерены расширить производственные мощности по выпуску силовых полупроводников на базе SiC до объемов в несколько сотен миллионов устройств ежегодно. Для этого продолжается наращивание площадей чистых помещений в Ройтлингене. Проект поддерживает Федеральное министерство экономики и энергетики Германии (BMWi) в рамках общеевропейской программы IPCEI. Чтобы удовлетворить постоянно растущий спрос на силовую электронику на базе SiC, в 2021 году чистые помещения на фабрике в Ройтлингене были увеличены на 1000 квадратных метров. До конца 2023 года к ним добавятся еще 3000 кв.м.

"Вот уже несколько лет мы оказываем поддержку в расширении производства полупроводников в Германии. Инновационное производство полупроводников, которое налаживает Bosh, укрепляет экосистему микроэлектроники в Европе и является еще одним шагом к независимости в этой ключевой области цифровизации", - говорит Петер Альтмайер, федеральный министр экономики Германии.

Политиков ЕС настоятельно призывают ускорить реализацию проектов, включенных в программу IPCEI для поддержки расширения производства полупроводников и создания локальных цепочек поставок SiC-устройств в Европе.

SiC - ключевая технология для региона, основными поставщиками которой на сегодня остаются Infineon и STMicroelectronics. Другие участники рынка, такие как onemi и II-VI в США, а также тайваньская Foxconn также стремятся стать крупными поставщиками чипов и модулей на базе SiC. Массовое производство пластин SiC будет ключевым в конкурентной гонке, поэтому STMicroelectronics, II-VI и onsemi уже приобрели компании, производящие пластины.

Бум спроса на силовые изделия на базе карбида кремния связан с переходом на 800-вольтовые электромобили. STMicroelectronics выпустила первые пластины 200мм SiC, а Infineon договорилась с Showa Denko о поставке пластин SiC.

Компания Yole, занимающаяся маркетингом и консультациями, прогнозирует, что рынок силовых изделий на базе SiC в период до 2025 года будет расти со среднегодовыми темпами в 30% к показателю в более, чем $2,5 млрд, причем на рынок производства электромобилей придется $1,5 млрд от этой суммы.

"Силовая электроника на базе карбида кремния обеспечивает особенно эффективное использование электрической энергии. Преимущества этого материала особенно проявляются в энергоемких приложениях, как электромобильность", - говорит Крёгер. В силовой электронике автомобилей микросхемы на базе карбида кремния обеспечивает примерно на 6% больший диапазон, нежели устройства на базе чистого кремния.

В новом помещении будет размещено оборудование для собственного процесса Bosch на основе пластин диаметром 150мм, с планами также наладить выпуск на пластинах 200мм для "значительной экономии на масштабе".

"Выпуская продукцию на пластинах большего диаметра, мы можем производить больше чипов за один производственный цикл и, таким образом, обслужить больше клиентов", - говорит Крёгер.

Bosch планирует поставлять силовые полупроводники на базе SiC клиентам из разных стран, как в виде отдельных микросхем, так и в составе силовой электроники или комплексных решений.

По материалам: eenewseurope.com

--

теги: микроэлектроника перспективные материалы тренды карбид кремния силовая электроника SiC