SiC

MForum.ru

SiC

03.11.2021, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!


SiC (Карбид кремния)  --  Перспективные материалы и технологии  --  Микроэлектроника

 

 

Зарубежные участники рынка

II-VI, США

Bosch, Германия

Foxconn, Тайвань

Infineon, Германия

onsemi, Япония

STMicroelectronics, Швейцария 

Прогнозы

2021

2021.12.04 Компания Yole, занимающаяся маркетингом и консультациями, прогнозирует, что рынок силовых изделий на базе SiC в период до 2025 года будет расти со среднегодовыми темпами в 30% к показателю в более, чем $2,5 млрд, причем на рынок производства электромобилей придется $1,5 млрд от этой суммы. 

 

Новости

2021.12.04 Компания Bosch приступила к массовому производству чипов SiC (карбида кремния) на своей фабрике в Германии. К 2023 году компания планирует в 4 раза увеличить вместимость чистых помещений и перейти на использование пластин 200ммЧтобы удовлетворить постоянно растущий спрос на силовую электронику на базе SiC, в 2021 году чистые помещения на фабрике в Ройтлингене были увеличены на 1000 квадратных метров. До конца 2023 года к ним добавятся еще 3000 кв.м. В новом помещении будет размещено оборудование для собственного процесса Bosch на основе пластин диаметром 150мм, с планами также наладить выпуск на пластинах 200мм для "значительной экономии на масштабе". Подробнее

2021.11.16  GaN on SiC пока что куда более дорогая технология, чем LDMOS. Это привлекает интерес к компромиссной комбинации GaN on Si, которая может быть реализована с использованием распространенного технологического оборудования и при этом также обеспечивает весьма привлекательные параметры. В частности, она вполне подходит для выпуска приборов для устройств 5G. Подробнее

2019.06.12 Компания Wolfspeed представила дискретное изделие, выполненное по планарной технологии MOSFET на карбиде кремния SiC. Ключ отличается низким сопротивлением открытого канала Rds(on) в 0.016 Ом при температуре 25 C и уровне блокирующего напряжения в 1200 В. Ток может достигать уровня в 115 А. Использование подобных устройств позволяет отказаться от классических кремниевых трехуровневых топологий за счет использования более простых двухуровневых. 

 

-- 

Подписывайтесь на Telegram-канал, посвященный микроэлектронике 

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru

MForum.ru на Facebook. Подпишись!

Публикации по теме:

04.12. [Новости компаний] Микроэлектроника: Bosch приступила к массовому производству пластин SiC / MForum.ru

16.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: GaN on Si - на стыке миров / MForum.ru

01.10. [Краткие новости] Перспективные материалы и технологии / MForum.ru

12.06. [Новости компаний] Микроэлектроника: Wolfspeed выпустил силовой высоковольтный MOSFET SiC ключ с отводом Кельвина / MForum.ru

02.11. [Новости компаний] Микроэлектроника: Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии / MForum.ru

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

04.12.2021 20:10 От: ABloud

[Перспективные материалы. SiC. Силовая электроника]

Компания Bosch приступила к массовому производству чипов SiC (карбида кремния) на своей фабрике в Германии

К 2023 году компания Bosch планирует в 4 раза увеличить вместимость чистых помещений и перейти на использование пластин 200мм. Чтобы удовлетворить постоянно растущий спрос на силовую электронику на базе SiC, в 2021 году чистые помещения на фабрике в Ройтлингене были увеличены на 1000 квадратных метров. До конца 2023 года к ним добавятся еще 3000 кв.м.

В новом помещении будет размещено оборудование для собственного процесса Bosch на основе пластин диаметром 150мм, с планами также наладить выпуск на пластинах 200мм для "значительной экономии на масштабе". Подробнее - на MForum.ru


Новое сообщение:
Complete in 5 ms, lookup=0 ms, find=5 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:

Подписка:

Подписаться
Отписаться


Новости

20.01. [Новинки] Слухи: Портфолио Vivo может пополнить планшет на Snapdragon 870 / MForum.ru

20.01. [Новинки] Слухи: Nokia G21 готовится к анонсу в Индии / MForum.ru

19.01. [Новинки] Слухи: Рендеры Samsung Galaxy S22 Ultra появились в сети / MForum.ru

19.01. [Новинки] Слухи: TCL 30 и TCL 30+ замечены на рендерах / MForum.ru

18.01. [Новинки] Анонсы: Представлен Vivo Y55 5G c Dimensity 700 и АКБ 5000 мАч / MForum.ru

18.01. [Новинки] Слухи: Samsung Galaxy A53 5G замечен у регуляторов / MForum.ru

17.01. [Новинки] Анонсы: Vivo Y21e представлен официально / MForum.ru

17.01. [Новинки] Слухи: Складной смартфон Google Pixel Notepad будет дешевле аналогов / MForum.ru

14.01. [Новинки] Слухи: Realme C35 (RMX3511) с чипсетом UNISOC и 4 Гб ОЗУ замечен в Geekbench / MForum.ru

14.01. [Новинки] Анонсы: Планшет Motorola Tab G70 стал доступен в Бразилии / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Oppo A36 представлен официально / MForum.ru

13.01. [Новинки] Анонсы: Meizu Blue Charm 10 – бюджетная новинка с корпусом из стекла / MForum.ru

12.01. [Новинки] Анонсы: OnePlus 10 Pro представлен официально / MForum.ru

12.01. [Новинки] Слухи: Motorola Razr 3 будет основан на Snapdragon 8 Gen 1 / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: 4G-смартфон Realme 9i представлен официально / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Honor Magic V представлен официально / MForum.ru

11.01. [Новинки] Анонсы: Складной смартфон TCL Flex V на Snapdragon 765G представлен официально / MForum.ru

10.01. [Новинки] Анонсы: Moto G71 5G на Snapdragon 695 представлен официально / MForum.ru

10.01. [Новинки] Слухи: Раскрыты подробности о Lenovo Legion Y700 / MForum.ru

07.01. [Новинки] Анонсы: Oppo A96 представлен официально / MForum.ru