Infineon

MForum.ru

Infineon

20.08.2014, MForum.ru

Краткая информация о компании Infineon


Infineon Technologies AG 

Один из крупнейших производителей полупроводников в Европе. Высокая доля рынка (порядка 30% мирового рынка) по части силовых полупроводников на базе SiC технологии. 

Производства:

Германия 

2022. Стали известны планы нового производства в Германии (Дрезден). Инвестиции $5 млрд. 

Австрия (Феллах / Villach) 

2023 Мощности по выпуску микросхем на базе материалов с широкой запрещенной зоной, типа GaN или SiC

Венгрии (Цеглад), мощности по тестированию

2023. Действуют с 2022.10. 

Канада

2023.03 Анонсировано соглашение о покупке производства GaN Systems, Канада. 

 

Малайзия, строительство  фабрики в Кулиме

2023 Планируется запуск в 2024 году. Инвестиции $2 млрд 

 

 

 

Новости

2023.03.06 Германия усилит свою микроэлектронику канадским предприятием. Infineon объявил о планах приобретения канадской GaN Systems. Компании подписали обязывающее соглашение, согласно которому Infineon приобретет GaN Systems за $830 млн. Подробнее - MForum

2023.01.16 Resonac будет поставлять SiC пластины 8" для Infineon. Германская Infineon Technologies расширяет сотрудничество с японским поставщиком пластин карбида кремния (SiC) Resonac (ранее Show Denko). Resonac будет поставлять германской компании материалы для производства SiC-полупроводников, покрывая двузначную долю прогнозируемого спроса на следующее десятилетие. 
На первом этапе Resonac будет поставлять эпитаксиальные пластины SiC 6 дюймов (150 мм), в ближайшие годы Resonac будет также поддерживать переход Infineon на пластины диаметром 8 дюймов (200 мм) в последующие годы.
Производителям приборов на базе SiC важно, чтобы пластины отличались низкой плотностью поверхностных дефектов и стабильным качеством. В итоге в основном на сегодня используются эпи-пластины диаметром 150 мм, поскольку их проще произвести с заданным качеством. С другой стороны, дешевле было бы выпускать SiC-чипы на пластинах диаметром 200 мм.
Интересно, что это не просто сотрудничество по схеме "поставщик-покупатель", Infineon предоставит Resonac некую IP, касающуюся технологий работы с SiC.
Infineon сейчас активно расширяет свои производственные мощности в области SiC, чтобы к концу десятилетия достичь доли мирового рынка вплоть до 30%. Для этого компании придется нарастить производственные мощности в области SiC в 10 раз к 2027 году. Новый завод в Кулиме, Малайзия планируется запустить в 2024 году. Есть также планы строительства производства в Дрездене с инвестициями $5 млрд. Сегодня Infineon поставляет полупроводники SiC более чем 3600 клиентам по всему миру. / MForum 

2022.11.24 Infineon инвестирует 5 млрд евро в дрезденскую фабрику 300-мм. Infineon Technologies планирует расширить свои производственные мощности 300 мм чтобы удовлетворить растущий спрос на аналоговые, смешанные и силовые полупроводники. Производитель заявил о намерении инвестировать около 5 млрд евро, что станет крупнейшей разовой инвестицией в истории компании, в новый завод на своей производственной площадке в Дрездене, Германия.
"Мы хотим развернуть дополнительные мощности, чтобы удовлетворить растущий спрос наших клиентов во второй половине десятилетия и укрепить наши позиции в качеств мирового лидера в области силовой электроники", - сказал Йохен Ханебек, генеральный директор Infineon, во время конференц-колла для отчета о доходах за 2022 финансовый год.
Ожидается, что сооружение новых мощностей начнется осенью 2023 года, с планами запуска производства осенью 2026 года, причем масштабы производства будут наращиваться постепенно в зависимости от развития рынка. После выхода нового производства на полную мощность в Infineon ожидают, что смогут получать "годовой доход, равный уровню инвестиций".
По заявлению Infineon, со временем будет создано до 1000 рабочих мест.
Западная повестка с упором на цифровизацию и декарбонизацию, стимулируют структурный рост спроса на полупроводники и Infineon стремится воспользоваться этим спросом для того, чтобы заработать.
"Сочетание силовых полупроводников и компонентов аналоговых / смешанных сигналов делает возможными особо энергоэффективные и интеллектуальные системные решения", - заявил г-н Ханабек. "Мощные MOSFET транзисторы в сочетании с микросхемами, основанными на технологии аналоговых / смешанных сигналов, позволяют, например, создавать высокоэффективные источники питания для процессоров. В частности, они необходимы для облачных вычислений и систем обучения искусственного интеллекта. Силовые полупроводники в сочетании с аналоговыми компонентами и компонентами для обработки смешанных аналогово-цифровых сигналов также будут играть существенную роль в архитектуре новых автомобилей.

2022.10.21 Infineon открыл в Венгрии (в городе Цеглед) завод по сборке и тестированию мощных полупроводниковых модулей, предназначнных прежде всего для электромобилей (EV). Инвестиции в это предприятие - 100 млн евро, также в финансировании принимало участие правительство Венгрии. Персонал предприятия - 275 человек, всего у Infineon в штате - порядка 1600 сотрудников. /  eetasia.com 

2022.02 Infineon объявила о планах инвестиций более 2 млрд евро ($2,1 млрд) в новое производственное предприятие в Кулиме, Малайзия. Первые пластины из материалов с широкой запрещенной зоной отсюда должны будут выйти во второй половине 2024 года, что будет существенной прибавкой к существующему производству Indineon на основе материалов с широкой запрещенной зоной в Феллахе (Villach), Австрия. 

2014.08.20 Infineon договорился о покупке International Rectifier за $3 млрд / Bloomberg. Сделка может быть заключена в начале 2015 года после получения одобрения регулятора. Эта сделка может усилить позиции Infineon на рынке автомобильной электроники и управления питанием в мобильных устройствах. 

 

==

© Алексей Бойко, , MForum.ru


Публикации по теме:

12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы

05.03. SiC-индустрия вступает в новую фазу - 200-мм пластины и спрос со стороны ИИ-ЦОД

15.01. Рынок 8-дюймовых кремниевых пластин сокращается – Китай выдавил конкурентов и выиграл спрос

14.01. Американская Wolfspeed начала производство пластин SiC 300 мм

04.01. Чипы на SiC и GaN на пластинах 200 и 300 мм - главные тренды 2025 года

25.07. STMicro купит часть бизнеса европейского конкурента за $950 млн

24.07. STMicro – первый убыток за 10+ лет из-за расходов на реструктуризацию

26.01. Американская «полупроводниковая» блокада Китая провалилась?

10.01. Малайзия стремится стать энергетическим хабом и одним из глобальных центров производства микроэлектроники

28.04. Микроэлектроника в Малайзии

06.03. Германия усилит свою микроэлектронику канадским предприятием

23.01. Американская Wolfspeed построит завод по производству силовой электроники в Германии

16.01. Resonac будет поставлять SiC пластины 8" для Infineon

15.06.  5 крупнейших производителей микроконтроллеров контролируют 82% рынка

07.06. Texas Instruments доминирует на мировом рынке аналоговых микросхем

28.03. STMicro поднимет цены на чипы в 2q2022, а за ним, возможно, и другие производители

15.03. Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников

10.02. Спрос на SiC полупроводники будет расти

04.12. Bosch приступила к массовому производству пластин SiC

16.11. GaN on Si - на стыке миров

Обсуждение (открыть в отдельном окне)

16.01.2023 14:10 * От: ABloud

[Микроэлектроника. Силовые полупроводники. SiC. Infineon]

Resonac будет поставлять SiC пластины 8" для Infineon

Германская Infineon Technologies расширяет сотрудничество с поставщиком карбида кремния (SiC) Resonac (ранее Show Denko). Resonac будет поставлять германской компании материалы для производства SiC-полупроводников, покрывая двузначную долю прогнозируемого спроса на следующее десятилетие.

На первом этапе Resonac будет поставлять эпитаксиальные пластины SiC 6 дюймов (150 мм), в ближайшие годы Resonac будет также поддерживать переход Infineon на пластины диаметром 8 дюймов (200 мм) в последующие годы.

Производителям приборов на базе SiC важно, чтобы пластины отличались низкой плотностью поверхностных дефектов и стабильным качеством. В итоге в основном на сегодня используются эпи-пластины диаметром 150 мм, поскольку их проще произвести с заданным качеством. С другой стороны, дешевле было бы выпускать SiC-чипы на пластинах диаметром 200 мм.

Интересно, что это не просто сотрудничество по схеме "поставщик-покупатель", Infineon предоставит Resonac некую IP, касающуюся технологий работы с SiC.

Infineon сейчас активно расширяет свои производственные мощности в области SiC, чтобы к концу десятилетия достичь доли мирового рынка вплоть до 30%. Для этого компании придется нарастить производственные мощности в области SiC в 10 раз к 2027 году. Новый завод в Кулиме, Малайзия планируется запустить в 2024 году. Есть также планы строительства производства в Дрездене с инвестициями $5 млрд. Сегодня Infineon поставляет полупроводники SiC более чем 3600 клиентам по всему миру.


Infineon and Resonac announce the expansion of their cooperation and a new multi-year agreement for delivery of silicon carbide (SiC) materials

Munich, Germany, press-release via MForum.ru – 12 January 2023 – Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) is extending its cooperation with silicon carbide (SiC) suppliers. The German-based semiconductor manufacturer has signed a new multi-year-supply and cooperation agreement with Resonac Corporation (formerly Showa Denko K.K.), complementing and expanding the announcement of 2021. The new set of contracts will deepen the long-term partnership on SiC material. According to the agreement, Resonac will supply Infineon with SiC materials for the production of SiC semiconductors, covering a double-digit share of the forecasted demand for the next decade.

While the initial phase focuses on 6" SiC material supply, Resonac will also support Infineon’s transition to 8" wafer-diameter during the later years of the agreement. As part of the cooperation, Infineon will provide Resonac with intellectual property relating to SiC material technologies. The Infineon - Resonac partnership contributes to supply chain stability and will support the rapid growth of the emerging semiconductor material SiC.

”The demand for SiC is growing rapidly and we are preparing for this development with a significant expansion of our manufacturing capacities," said Angelique van der Burg, Chief Procurement Officer at Infineon. "We are pleased to deepen our collaboration with Resonac and strengthen the partnership between our two companies."

"The business opportunities in the area of renewable energy generation and storage, electromobility and infrastructure are enormous for the years to come. Infineon is doubling down on its investments into SiC technology and product portfolio, to proliferate the most comprehensive product offering to its customers. We are very happy that our partnership with Resonac will strongly support our market-leading position," said Peter Wawer, President of Infineon’s Industrial Power Control division.

"We are pleased to team-up with Infineon as a global leader in power semiconductors in order to meet the growing demand for SiC in the years to come. We will continuously improve our Best-in-Class SiC material and develop the next generation of 8" wafer technology. We value Infineon as an excellent partner in this regard," said Jiro Ishikawa, Executive Adviser of Device Solutions Business Unit at Resonac.

Infineon is currently expanding its SiC manufacturing capacity in order to reach a market share of 30 percent by the end of the decade. Infineon’s SiC manufacturing capacity is about to increase tenfold by 2027. A new plant in Kulim is scheduled to start production in 2024. Today, Infineon already provides SiC semiconductors to more than 3,600 customers worldwide.


Новое сообщение:
Complete in 2 ms, lookup=0 ms, find=2 ms

Последние сообщения в форумах

Все форумы »



Поиск по сайту:


Колонка редактора

08.05. Китай одобрил выделение спектра в диапазоне 6 ГГц для испытаний 6G

08.05. Кремниевые осцилляторы вместо кубитов - корейский путь к сверхбыстрым вычислениям

08.05. Канадский центр фотонного производства "приватизируют"

08.05. Intel передала студентам Вьетнама оборудование для сборки и тестирования микросхем

08.05. Huawei расширяет «офлайн-звонки»

08.05. Билайн в Тюменской области - покрытие 4G и домашний интернет расширены в восьми жилых комплексах

08.05. МегаФон в Оренбургской области - мобильный интернет ускорен в Бугуруслане

07.05. SpaceX представила планы строительства Terafab в Техасе с оценкой стоимости в $55 млрд

07.05. OpenAI завершила формирование совместного предприятия DeployCo с группой фондов прямых инвестиций

07.05. МТС запустил переводы для физлиц на кошельки WeChat Pay без комиссии

07.05. Билайн в Удмуртской республике - покрытие 4G обеспечено indoor-оборудованием в 4 ТЦ Ижевска

07.05. Росэл сообщает о начале серийного производства новой модификации отечественных светочувствительных КМОП-матриц с разрешением 4К

07.05. "Минцифры сообщает об отсутствии планов по отключению и ограничению мобильного интернета в Москве 7-8 мая"

07.05. МТС в Якутии - сеть LTE усилена в районе строительства Ленского моста

06.05. Индия дозрела до собственной низкоорбитальной группировки

Все статьи >>


Новости

08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально

08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально

07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320

07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90

06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249

06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?

06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка

05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы

05.05. iQOO 15T – 200 МП камера, 8000 мАч, 100 Вт и Dimensity 9500

05.05. Lenovo Legion Y70 (2026) – 2K-экран, 8000 мАч и SD 8 Gen 5

04.05. 7 мая представят Huawei Nova 15 Max – 8500 мАч, 50 МП RYYB и AMOLED

04.05. Moto G47 – 108 МП камера, FHD+ 120 Гц, Dimensity 6300 и защита MIL-STD-810H

04.05. iPhone Pro (2027) –изогнутый с 4-х сторон экран и подэкранная камера?

30.04. Tecno Spark 50 Pro 5G – Helio G100 Ultimate, 60 Вт и дизайн от Pova Curve 2

30.04. Официальные рендеры Moto G87 раскрывают 200 МП камеру, OLED-экран и дизайн как у G86

29.04. Poco C81 Pro – 6.9" 120 Гц, 6000 мАч и Unisoc T7250 за $99

29.04. Vivo TWS 5i – 50 часов работы, DeepX 3.0 и Bluetooth 5.4 за 17 долларов

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

29.04. Vivo Y600 Pro получил АКБ 10 200 мАч с зарядкой 90 Вт и IP69 при толщине 8.25 мм

28.04. Huawei Mate XT 2 – тройной складной смартфон с Kirin 9050 Pro и батареей 6000+ мАч