Микроэлектроника: STM и Soitec углубляют сотрудничество в области SiC

MForum.ru

Микроэлектроника: STM и Soitec углубляют сотрудничество в области SiC

01.12.2022, MForum.ru


Французская компания Soitec - производитель материалов и производитель микросхем STMicroelectronics, в четверг заявили, что углубляют сотрудничество. Для STMicroelectronics это подтверждение гарантий получения такого материала, как карбид кремния (SiC) все активнее используемого в полупроводниках, необходимых в производстве электромобилей.

 

 

В частности, в рамках нового соглашения, STMicroelectronics надеется начать получать пластины SiC 200мм, производство которых Soitec собирается освоить в ближайшее время. В ближайшие 18 месяцев STMicro планирует оценивать качество этих пластин, предположительно, на эксклюзивной основе. Переход на пластины 200мм позволит нарастить производство чипов SiC, и, вдобавок, снизить их себестоимость.

В STMicro планируют продать чипы SiC на $700 млн в 2022 году и на $1 млрд в 2023 году.

STMicro планирует построить завод в Италии, где будут производиться то ли чипы из карбида кремния, то ли пластины (в англоязычном источнике трудно понять, что имеется в виду, мне кажется, что речь идет о чипах, а не о пластинах). Это - одна из европейских инициатив по усилению позиций Евросоюза на рынке полупроводников.

Soitec анонсировала планы создания в городе Бернин, Франция, нового производства, которое займется выпуском карбид-кремниевых (SiC) пластин, предназначенных для последующего выпуска полупроводниковых устройств для электромобилей и промышленного применения. Кроме того, новое производство позволит расширить выпуск пластин 300мм КНИ (SoI, кремний на изоляторе).

Больше информации о SiC

--

За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: пластины материалы карбид кремния

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

18.09.2026. BMW будет использовать SiC-компоненты производства Rohm

16.09.2026. Японцы вслед за США и Китаем освоили SiC 300 мм

15.05.2026. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды

31.01.2026. Новые материалы позволят создавать лучшие чипы

18.01.2026. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

14.01.2026. Американская Wolfspeed начала производство пластин SiC 300 мм

06.05.2024. Автоэлектроника

23.01.2023. Американская Wolfspeed построит завод по производству силовой электроники в Германии

15.03.2022. Япония хотела бы стать мировым лидером рынка силовых полупроводников

10.02.2022. Спрос на SiC полупроводники будет расти

04.12.2021. Bosch приступила к массовому производству пластин SiC

16.11.2021. GaN on Si - на стыке миров

03.11.2021. SiC

01.10.2019.  Перспективные материалы и технологии

12.06.2019. Wolfspeed выпустил силовой высоковольтный MOSFET SiC ключ с отводом Кельвина

02.11.2018. Ангстрем наладит производство транзисторов SiC по японской технологии

18.09.2018.  Мировой рынок полупроводников на базе SiC вырастет в разы в ближайшие несколько лет

19.07.2018. Арсенид бора отведет тепло; торговая война; InGaAs - перспективная гетероструктура; на пути к 5 нм

04.03.2018.  Термины рынка микроэлектроники

21.02.2018.  Микроэлектроника



Поиск по сайту:


Колонка редактора

22.10. Samsung Electro-Mechanics получила инвестиции в размере $2,8 млрд от американских производителей электроники

22.10. Компания Texas Instruments прогнозирует выручку за 4q2026 выше ожиданий аналитиков

22.10. Samsung и SK Hynix модернизируют свои предприятия в Китае

22.10. «Аквариус» выходит на рынок Wi-Fi оборудования и ПО корпоративных беспроводных сетей

22.10. Speedcast и Soya IT Marine Solutions успешно завершили масштабную модернизацию цифровой связи на 41 судне типа RoRo

22.10. РКН поделилось данными о числе РЭС 5G в России

22.10. МТС отмечает рост спроса на видеонаблюдение на Ставрополье

22.10. МТС усилила сеть в Шимановске Амурской области

22.10. НИИМА «Прогресс» подал иск к Минпромторгу

21.10. Билайн и Binrobi предложат абонентам услуги связи, не требующие платежей

21.10. SpaceX показала улучшение финансовых показателей и готовится к запуску услуг D2D в начале 2028 года

21.10. T2 перевел в режим поддержки 5G 4093 объекта – данные РКН

21.10. Xona делает шаг к собственной навигационной сети: шесть спутников Pulsar выведены на LEO орбиту

21.10. МТС начала предоставлять услуги 5G 2100 МГц в отдельных районах Иркутска

21.10. Представители отрасли предлагают "откатить" ужесточение параллельного импорта

Все статьи >>


Новости

22.10. iPhone 18 получит новый дизайн камеры

22.10. Redmi Band 4 представлен в Китае – 21 день автономности и 5ATM за 169 юаней

22.10. Появились данные о Huawei Mate X8 – запуск в ноябре и новый чип Kirin

21.10. Coolpad Cool X Wide – первый широкоформатный смартфон бренда

21.10. Утечка об Oppo Reno X указывает на батарею 8000 мАч и двойную 200-МП камеру

21.10. Doogee Note60 W – широкоформатный смартфон в стиле Huawei Pura X View

20.10. HMD Vibe 2 Max раскрыт в утечке: 108 МП, 120 Гц и батарея 6000 мАч

20.10. Redmi K100 с батареей 10 000 мАч и Snapdragon 8 Elite выйдет 28 октября

20.10. Samsung Galaxy F70 5G с Exynos 1330 и 120 Гц оценен за 19 999 рупий

20.10. Apple работает над новым iPad mini – в базе регулятора появился чехол Smart Folio

19.10. Раскрыта емкость батареи Moto G47 Power

19.10. Tecno представила Spark 50s и Spark 50C – две новые модели с 120 Гц

19.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro получат 200-МП камеры и перископ

19.10. Samsung может вернуть Exynos 2700 в Galaxy S27 Ultra из-за перегрева Snapdragon

16.10. Появились первые утечки о камерах Samsung Galaxy A58

16.10. HMD планирует уйти с некоторых рынков и сократить глобальное производство

16.10. Samsung начинает распространять обновление One UI 9 для Galaxy A27 и A37

16.10. Раскрыты подробности о 2K 185 Гц дисплее и игровых функциях iQOO Neo12

15.10. itel City 300 5G – 5G-смартфон с экраном 120 Гц за 14 999 рупий

15.10. Раскрыт список совместимых устройств и график обновления до Nothing OS 5.0