MForum.ru
15.03.2022,
Ставка делается на массовое производства чипов из карбида кремния.
Происходящие события привели к росту цен на нефть и газ, в этих условиях снижение энергопотребления становится важным приоритетом. Переход к новым типам силовых полупроводников - один из путей решения этой задачи.
Японская организация по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO) координирует проект, направленный на снижение потерь энергии в устройствах управления питанием на 50% при одновременном снижении стоимости массового производства силовых полупроводников из карбида кремния (SiC) до уровня цен силовых полупроводников из обычного кремния к 2030 году. Кроме того, в NEDO будут активнее разрабатывать еще более совершенные устройства на основе нитрида галлия (GaN).
Это, как ожидается, приведет к появлению более дешевых и эффективных электромобилей, возобновляемых источников энергии, автоматизации производства, компьютеров и телекоммуникационного оборудования, центрам обработки данных, кондиционирования воздуха, освещения, бытовой электроники, а также будет активно использоваться в аэрокосмической и в оборонной промышленности.
Правительство Японии вложит в этот проект порядка 30,5 млрд иен ($260 млн), а частные компании - существенно больше.
Сегодня стоимость силовых приборов на базе SiC все еще в 2-3 раза больше, чем у полупроводникового прибора их кремния. Но функциональные преимущества стимулируют быстрый рост спроса на приборы на базе SiC. Приборы на основе GaN значительно дороже, к тому же с ними сложнее работать.
В консорциум силовых устройств NEDO входят 3 производителя полупроводников и 4 производителя материалов и оборудования, используемого при их производстве. Три производителя, это Rohm, Toshiba и Denso.
Rohm
Rohm - производитель силовых полупроводников SiC, а его дочерняя компания SiCrystal, Германия, - производитель пластин SiC. Компания работает с этой технологией уже более 20 лет и, в настоящее время, по ее собственным оценкам, занимает более 10% мирового рынка силовых полупроводников SiC и 15-20% рынка пластин SiC.
Rohm недавно открыл в Японии новый завод, достаточно большой для того, чтобы можно было в 5 раз нарастить производство силовых полупроводников SiC. В проекте NEDO компания Rohm сосредоточится, прежде всего, на промышленном оборудовании.
Toshiba
Подразделение Electronic Devices компании Toshiba, одного из крупных промышленных конгломератов Японии, производит силовые полупроводники для автомобильной, промышленной и бытовой техники. Toshiba сосредоточится на продуктах для поездов, морских ветряных генераторов и ЦОД.
По данным Nikkei Asia Toshiba планирует увеличить производство силовых полупроводников на основе карбида кремния более, чем в 3 раза к 2024 году и в 10 раз к 2026 году.
В дополнение к электромобилям с аккумуляторным питанием Toyona планирует использовать силовые полупроводники из карбида кремния в автомобилях Mirai на водородных топливных элементах.
Denso
Компания тесно сотрудничает с Toshiba. Это один из ведущих мировых производителей автозапчастей. Компания разрабатывает и производит силовые полупроводники, полупроводниковые датчики и интегральные схемы (ИС) для электронных блоков управления двигателем (ЭБУ) и других автомобильных приложений.
Другие японские компании, которые производят силовые полупроводники, но не являются членами консорциума, включают:
Число участников рынка - хорошая иллюстрация того, что мировой рынок микроэлектроники, это далеко не только TSMC, Huawei и Intel.
Японские компании - это на сегодня порядка 20% мирового рынка силовых полупроводников SiC. Концерн ставит перед собой задачу - достичь 40% к 2030 году. Достичь эту цель весьма непросто.
Кто контролирует остальные 80%?
Крупнейшие компании-производители - это Wolfspeed, США с долей рынка в 60% пластин SiC; Infineon, Германия с долей более 30% рынка силовых полупроводников SiC; STMicroelectronics, франко-итальянская компания со штаб-квартирой в Швейцарией; ON Semiconductors, США.
Эти компании, разумеется, не будет сидеть без дела, пассивно наблюдая за тем, как японцы активно расширяют свое производство и долю рынка. Они также готовы к инвестициям. Но не будем недооценивать конкурентные возможности японцев, когда Rohm в 2010 году началось производство силовых полупроводников SiC рыночная доля этой компании была практически нулевой.
А что же Китай?
Здесь, разумеется, также развивают возможности в области силовых полупроводников из карбида кремния. Три ярких примера - HHGrace, WeEn и CanSemi.
HHGrace (Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp.) производит силовые полупроводники и другую продукцию для автомобилестроения, промышленного производства, светотехники и для других областей применения.
WeEn Semiconductors — совместное предприятие, основанное NXP Semiconductor, Нидерланды, и Beijing JianGuang Asset Management. Штаб-квартира компании находится в Шанхае, заводы в Китае, научно-исследовательские центры в Китае и Великобритании, более 5000 клиентов по всему миру и генеральный директор из Германии. WeEn Semiconductors специализируется на силовых полупроводниках и других продуктах, полученных от NXP.
CanSemi (Guangzhou CanSemi Technology Inc.) - контрактный производитель полупроводников, выпускает силовые полупроводники для приложений, включая IoT, автоэлектронику, промышленное управление и телеком.
В Китае выпускается карбид кремния для использования в качестве подложек силовых полупроводников. Это ключ к устранению зависимости от иностранных поставок, на которые могут быть направлены американские санкции.
В частности, в июне 2021 года сообщалось о запуске первой в Китае вертикально интегрированной производственной цепочки по выпуску карбида кремния. Производство стартовало в индустриальном парке высоких технологий Чанша в провинции Хунань в центральном Китае. После выхода на массовое производство Hunan San'an будет способна производить 30 тысяч 6-дюймовых пластин карбида кремния в месяц, - обещала Global Times.
Новые силовые приборы SiC необходимы для многих приложений, которые поддерживает промышленная политика Китая. Это телеком-оборудование 5G (и не только), блоки питания серверов (ЦОД), солнечная энергетика, другие системы экологически чистой энергии, интеллектуальные электросети, электромобили и железные дороги.
Другие производители приборов SiC - это GZSC (Guangzhou Summit Crystal), которая производит монокристаллические материалы из карбида кремния, и TankeBlue Semiconductor, которая производит пластины SiC. Оба предприятия контролируются государством.
Hunan Sanan собираются сделать крупнейшим производителем. В это предприятие вложено $2.5 млрд на 1-м и 2-м этапах. Sanan Optoelectronics, материнская компания, заявила, что первая фаза была построена менее, чем за 1 год и уже может производить 6" пластины SiC в количестве 30 тыс. пластин в месяц. Странное соотношение инвестиций и мощности производства? Неужели правительственные инвестиции настолько мало эффективны?
И все же, отдадим Китаю должное, там готовы продолжать наращивать производство и компетенции, не считаясь с затратами. Автор статьи уверен, что к 2030 году Китай вполне может нарастить свою долю рынка SiC устройств примерно до 10%. Если только США не постарается торпедировать эту работу.
Нет сомнений, что Южная Корея и Тайвань также не будут сидеть сложа руки, предприятия этих стран постараются нарастить свою долю рынка.
Бороться есть за что, согласно прогнозам аналитиков французской компании Yole Development, спрос на силовые полупроводники SiC к 2026 году вырастет примерно в 4 раза до $4.5 млрд.
по материалам: asiatimes.com
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко - Телеком новости.
теги: микроэлектроника SiC рынок карбид кремния рынок силовая электроника
Публикации по теме:
02.10.2026. Поступления от техсбора на электронику дадут бюджету 11,673 млрд в 2027 году
01.10.2026. «Активная Фотоника» и «ПЛАНАР» объединяют технологии для высокоточных измерений на пластинах
01.10.2026. «Трамплин Электроникс» и «Норси-Транс» подписали соглашение о партнерстве
30.09.2026. 28 сентября 2026 года в сингапурском районе Тампинес открылся завод VSMC
30.09.2026. SK hynix и Intel обсуждают совместное использование завода в Огайо
29.09.2026. AMD наращивает инвестиции в ИИ
29.09.2026. НКК и НИИМА Прогресс договорились развивать российские инструменты САПР для СВЧ микросхем
29.09.2026. GS Nanotech на форуме «Микроэлектроника 2026»
29.09.2026. Средства от техсбора достанутся ООО «Интегральные системы»
24.09.2026. Российский микроконтроллер К1921ВГ1Т получил новое компактное исполнение
23.09.2026. Microsoft предоставит DARPA практический доступ к квантовой системе в новом центре в Мэриленде
22.09.2026. В Канаде создадут первое предприятие по производству квантовых полупроводников
21.09.2026. AMD впервые достигла капитализации $1 трлн
21.09.2026. Китайская CXMT объявила о запуске массового производства на базе новой платформы производства памяти DRAM
21.09.2026. На Тайване началось строительство нового индустриального парка передовой упаковки Baipu в Гаосюне
20.09.2026. Подразделение SK Hynix рассматривает возможность строительства производства NAND-флэш в США
20.09.2026. Applied Materials инвестирует $5 млрд в Индии в рамках поддержки проекта правительства Моди
07.11. TSMC рассматривает производство передовых чипов памяти
07.11. Diamond Foundry создала первую в мире 200-мм монокристаллическую алмазную пластину
06.11. Инфляция и цены на энергоносители стимулируют расходы в телеком-отрасли
06.11. МТС обеспечила гигабитный домашний интернет владельцам апартаментов в комплексе «Зум на Неве»
06.11. МТС запустила 5G в нескольких районах Тулы
06.11. Билайн запустил 5G еще в 13 городах от Калининграда до Владивостока
06.11. Билайн запустил сеть LTE в 7 малых населенных пунктах Пермского края
05.11. Google ликвидировал ботнет XCPE: производитель намеренно заражал ТВ-приставки
05.11. SpaceX привлекает Qualcomm в проект сотово-спутникового оператора Starlink Mobile в США
05.11. МегаФон сообщает о подключении к 5G крупные аэропорты
05.11. МТС включила отечественную БС в селе Калинино Ромненского округа
04.11. Marvell Technology готова приобрести Lumentum за $115 млрд
03.11. Finnair подключает самолёты к спутниковому интернету SES и Eutelsat
06.11. Motorola представила Moto Watch 2 Fit и Moto Buds 2 Ultra
06.11. Motorola Signature 27 с АКБ 7000 мАч и 200-МП перископом представлен официально
05.11. Honor готовит смартфон с батареей 14 000–15 000 мАч
05.11. Утечка показывает дизайн в стиле Pixel 11 Pro Fold
05.11. Утечка о Samsung Galaxy A38 раскрыла батарею 6000 мАч
04.11. Утечка раскрыла характеристики и сроки выхода iPhone 18, 18e и Air 2
04.11. Утечка о Redmi Turbo 6 Max указывает на 7-дюймовый 2K-экран частотой 185 Гц
04.11. Vivo Y32 5G – АКБ 8000 мАч, Snapdragon 4 Gen 2 и защита IP69
04.11. OnePlus Turbo 6Vs представлен в Китае – тот же Turbo 6V в новом цвете
03.11. Redmi M100 Pro с Dimensity 7300-Ultra и тройной камерой представлен в Китае
03.11. Rogbid Model R5 – смарт-часы на полноценном Android с SIM-картой за $129.99
02.11. Nothing OS 5.0 на базе Android 17 стал доступен еще на 4-х смартфонах
02.11. Vivo S70 получит чип Snapdragon 8s Gen 4 и 64-МП перископ
30.10. Honor X9e s – ребрендинг Honor Turbo с батареей 8560 мАч
30.10. OnePlus Ace 7 и Ace 7 Pro с экранами 185 Гц и встроенными вентиляторами представлены в Китае
29.10. Moto G47 Power с батареей 7000 мАч и 108 МП камерой оценен в £299.99
29.10. Xiaomi Smart Band 11 добрался до Европы – цена €60 за базовую версию
28.10. Apple представила новый iPad mini с OLED-экраном и чипом A20 Pro
28.10. HMD обновит Pulse Pro, Crest Max и Fusion для Европы
28.10. Redmi K100 – батарея 10 000 мАч, 165 Гц и Snapdragon 8 Elite