MForum.ru
15.03.2022,
Ставка делается на массовое производства чипов из карбида кремния.
Происходящие события привели к росту цен на нефть и газ, в этих условиях снижение энергопотребления становится важным приоритетом. Переход к новым типам силовых полупроводников - один из путей решения этой задачи.
Японская организация по развитию новых энергетических и промышленных технологий (NEDO) координирует проект, направленный на снижение потерь энергии в устройствах управления питанием на 50% при одновременном снижении стоимости массового производства силовых полупроводников из карбида кремния (SiC) до уровня цен силовых полупроводников из обычного кремния к 2030 году. Кроме того, в NEDO будут активнее разрабатывать еще более совершенные устройства на основе нитрида галлия (GaN).
Это, как ожидается, приведет к появлению более дешевых и эффективных электромобилей, возобновляемых источников энергии, автоматизации производства, компьютеров и телекоммуникационного оборудования, центрам обработки данных, кондиционирования воздуха, освещения, бытовой электроники, а также будет активно использоваться в аэрокосмической и в оборонной промышленности.
Правительство Японии вложит в этот проект порядка 30,5 млрд иен ($260 млн), а частные компании - существенно больше.
Сегодня стоимость силовых приборов на базе SiC все еще в 2-3 раза больше, чем у полупроводникового прибора их кремния. Но функциональные преимущества стимулируют быстрый рост спроса на приборы на базе SiC. Приборы на основе GaN значительно дороже, к тому же с ними сложнее работать.
В консорциум силовых устройств NEDO входят 3 производителя полупроводников и 4 производителя материалов и оборудования, используемого при их производстве. Три производителя, это Rohm, Toshiba и Denso.
Rohm
Rohm - производитель силовых полупроводников SiC, а его дочерняя компания SiCrystal, Германия, - производитель пластин SiC. Компания работает с этой технологией уже более 20 лет и, в настоящее время, по ее собственным оценкам, занимает более 10% мирового рынка силовых полупроводников SiC и 15-20% рынка пластин SiC.
Rohm недавно открыл в Японии новый завод, достаточно большой для того, чтобы можно было в 5 раз нарастить производство силовых полупроводников SiC. В проекте NEDO компания Rohm сосредоточится, прежде всего, на промышленном оборудовании.
Toshiba
Подразделение Electronic Devices компании Toshiba, одного из крупных промышленных конгломератов Японии, производит силовые полупроводники для автомобильной, промышленной и бытовой техники. Toshiba сосредоточится на продуктах для поездов, морских ветряных генераторов и ЦОД.
По данным Nikkei Asia Toshiba планирует увеличить производство силовых полупроводников на основе карбида кремния более, чем в 3 раза к 2024 году и в 10 раз к 2026 году.
В дополнение к электромобилям с аккумуляторным питанием Toyona планирует использовать силовые полупроводники из карбида кремния в автомобилях Mirai на водородных топливных элементах.
Denso
Компания тесно сотрудничает с Toshiba. Это один из ведущих мировых производителей автозапчастей. Компания разрабатывает и производит силовые полупроводники, полупроводниковые датчики и интегральные схемы (ИС) для электронных блоков управления двигателем (ЭБУ) и других автомобильных приложений.
Другие японские компании, которые производят силовые полупроводники, но не являются членами консорциума, включают:
Число участников рынка - хорошая иллюстрация того, что мировой рынок микроэлектроники, это далеко не только TSMC, Huawei и Intel.
Японские компании - это на сегодня порядка 20% мирового рынка силовых полупроводников SiC. Концерн ставит перед собой задачу - достичь 40% к 2030 году. Достичь эту цель весьма непросто.
Кто контролирует остальные 80%?
Крупнейшие компании-производители - это Wolfspeed, США с долей рынка в 60% пластин SiC; Infineon, Германия с долей более 30% рынка силовых полупроводников SiC; STMicroelectronics, франко-итальянская компания со штаб-квартирой в Швейцарией; ON Semiconductors, США.
Эти компании, разумеется, не будет сидеть без дела, пассивно наблюдая за тем, как японцы активно расширяют свое производство и долю рынка. Они также готовы к инвестициям. Но не будем недооценивать конкурентные возможности японцев, когда Rohm в 2010 году началось производство силовых полупроводников SiC рыночная доля этой компании была практически нулевой.
А что же Китай?
Здесь, разумеется, также развивают возможности в области силовых полупроводников из карбида кремния. Три ярких примера - HHGrace, WeEn и CanSemi.
HHGrace (Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp.) производит силовые полупроводники и другую продукцию для автомобилестроения, промышленного производства, светотехники и для других областей применения.
WeEn Semiconductors — совместное предприятие, основанное NXP Semiconductor, Нидерланды, и Beijing JianGuang Asset Management. Штаб-квартира компании находится в Шанхае, заводы в Китае, научно-исследовательские центры в Китае и Великобритании, более 5000 клиентов по всему миру и генеральный директор из Германии. WeEn Semiconductors специализируется на силовых полупроводниках и других продуктах, полученных от NXP.
CanSemi (Guangzhou CanSemi Technology Inc.) - контрактный производитель полупроводников, выпускает силовые полупроводники для приложений, включая IoT, автоэлектронику, промышленное управление и телеком.
В Китае выпускается карбид кремния для использования в качестве подложек силовых полупроводников. Это ключ к устранению зависимости от иностранных поставок, на которые могут быть направлены американские санкции.
В частности, в июне 2021 года сообщалось о запуске первой в Китае вертикально интегрированной производственной цепочки по выпуску карбида кремния. Производство стартовало в индустриальном парке высоких технологий Чанша в провинции Хунань в центральном Китае. После выхода на массовое производство Hunan San'an будет способна производить 30 тысяч 6-дюймовых пластин карбида кремния в месяц, - обещала Global Times.
Новые силовые приборы SiC необходимы для многих приложений, которые поддерживает промышленная политика Китая. Это телеком-оборудование 5G (и не только), блоки питания серверов (ЦОД), солнечная энергетика, другие системы экологически чистой энергии, интеллектуальные электросети, электромобили и железные дороги.
Другие производители приборов SiC - это GZSC (Guangzhou Summit Crystal), которая производит монокристаллические материалы из карбида кремния, и TankeBlue Semiconductor, которая производит пластины SiC. Оба предприятия контролируются государством.
Hunan Sanan собираются сделать крупнейшим производителем. В это предприятие вложено $2.5 млрд на 1-м и 2-м этапах. Sanan Optoelectronics, материнская компания, заявила, что первая фаза была построена менее, чем за 1 год и уже может производить 6" пластины SiC в количестве 30 тыс. пластин в месяц. Странное соотношение инвестиций и мощности производства? Неужели правительственные инвестиции настолько мало эффективны?
И все же, отдадим Китаю должное, там готовы продолжать наращивать производство и компетенции, не считаясь с затратами. Автор статьи уверен, что к 2030 году Китай вполне может нарастить свою долю рынка SiC устройств примерно до 10%. Если только США не постарается торпедировать эту работу.
Нет сомнений, что Южная Корея и Тайвань также не будут сидеть сложа руки, предприятия этих стран постараются нарастить свою долю рынка.
Бороться есть за что, согласно прогнозам аналитиков французской компании Yole Development, спрос на силовые полупроводники SiC к 2026 году вырастет примерно в 4 раза до $4.5 млрд.
по материалам: asiatimes.com
--
За новостями телекома и IT удобно следить в телеграм-канале abloud62. телеграм-трансляции и анонсы пресс-релизов вы найдете в канале abloudRealTime , также подписывайтесь на Facebook-страницу Алексея Бойко - Телеком новости.
теги: микроэлектроника SiC рынок карбид кремния рынок силовая электроника
Публикации по теме:
17.03. Американская Micron планирует вдвое нарастить производство на своей новой площадке на Тайване
17.03. В Индии усиливают кооперацию с европейскими лидерами в области ФИС
16.03. STMicroelectronics в четыре раза увеличит выпуск кремниевой фотоники для ИИ-датацентров
16.03. Бесшовный фотонный интерфейс чип-окружающая среда: прорывы 2025–2026 годов
16.03. Сканирующий микроспектрометр LS RamBo 620 получил подтверждение российскости
15.03. Илон Маск заявил о планах запуска Tesla Terafab - гигантской фабрике по производству ИИ-чипов
15.03. SK hynix представила первый в мире 1c LPDDR6: скорость +33%, энергопотребление -20%
15.03. Nvidia подключилась к разработкам Samsung ферроэлектрической NAND-памяти
13.03. В ГК Элемент сменится руководство
13.03. Япония нацелилась на 30% мирового рынка «физического ИИ» к 2040 году
13.03. На фоне спроса на HBM к BESI из Нидерландов присматриваются покупатели
12.03. UMC и HyperLight объединили усилия для массового производства чиплетов на основе TFLN
12.03. Индустрию охватывает волна повышения цен на чипы
12.03. IBM и Lam Research объединяют усилия для разработки логики суб-1 нм
11.03. Стоит ли ожидать, что сбудется прогноз TrendForce в отношении CPO?
11.03. Вьетнам закладывает фундамент для развития полупроводниковой отрасли
10.03. Salience Labs представила полностью оптический 32-портовый коммутатор для сетей ИИ-ЦОД
18.05. Билайн показал на ЦИПР-2026 сеть p5G на отечественном оборудовании
18.05. МТС запускает маркетплейс с решениями для цифровизации бизнеса
18.05. На телефонах клиентов Билайн в 11 городах появилась индикация 5G
18.05. МегаФон и Yadro запустили первую отечественную БС в городе-миллионнике
15.05. Специалисты по ИБ без опыта работы не нужны почти никому
15.05. Ericsson предупреждает операторов - они упускают возможности, связанные с 5G и ИИ
15.05. Рынок SiC и GaN в Китае демонстрирует интересные тренды
15.05. Прогноз развития телекоммуникационной отрасли России дадут на ЦИПР-2026
15.05. В NASA тестируют процессор нового поколения для использования в условиях космоса
15.05. МТС обеспечила покрытием LTE станцию «Спортивная» в метро Новосибирска
15.05. Билайн в Пермском крае - 4G улучшен в 13 населенных пунктах к дачному сезону
18.05. Vivo Pocket может получить 200 Мп сенсор Sony LYT-901
18.05. 22 мая представят Realme Watch S5 и Buds Air8 Pro с AMOLED 1500 нит, 55dB ANC, LHDC
16.05. Xiaomi 17 Max – 8000 мАч, 200 МП Leica, 6.9" Super Pixel — анонсируют 21 мая
15.05. Представлен Moto Tag 2 с 600 днями работы, UWB и Google Find Hub
15.05. Xiaomi тизерит Band 10 Pro и наушники-клипсы
14.05. Oppo может получить улучшенную квадратную фронталку разрешением 100 МП
14.05. Vivo Y60 – бюджетник с экраном 120 Гц и АКБ 6500 мАч
13.05. Nubia GT Buds – прозрачный дизайн, RGB-подсветка и ANC за $39
13.05. Samsung запускает One UI 9 Beta на базе Android 17, ещё до анонса ОС от Google
13.05. Honor Pad 20 с дисплеем 12.1" 3K, Snapdragon 7 Gen 3 и АКБ 10 100 мАч показали на тизерах
11.05. Huawei Watch Fit 5 и Watch Fit 5 Pro выходят на глобальный рынок
11.05. Acer Iconia iM11 5G – Dimensity 7050, 5G и 7400 мАч за $249
08.05. OnePlus Nord CE6 Lite с 7000 мАч, 144 Гц LCD и Dimensity 7400 Apex представлен официально
08.05. OnePlus Nord CE6 с АКБ 8000 мАч, AMOLED-экраном 144 Гц и Snapdragon 7s Gen 4 представлен официально
07.05. Honor Play 11 Plus – 7000 мАч, 120 Гц AMOLED и Dimensity 6500 Elite за $320
07.05. Honor Play 70C – Helio G81 Ultra, 5300 мАч и Android 15 за $90
06.05. Honor Play 80 Plus – 7500 мАч, Snapdragon 4 Gen 4 и AI-кнопка за $249
06.05. Samsung Galaxy S27 Ultra получит переменную диафрагму в основной камере?
06.05. Samsung Galaxy A27 – круглый вырез камеры, Snapdragon 6 Gen 3 и 12 МП фронталка
05.05. Xiaomi Smart Band 10 Pro – 1.74" AMOLED, алюминиевый корпус и 21 день работы