Компоненты, используемые в технологиях, связанных с использованием плазмы, такие как фокусирующие кольца, футеровки реакционных камер и пластины электростатических зажимов, немало лет изготавливали из кремния. Однако при современных высоких плотностях плазмы эти компоненты быстро подвергаются эрозии и выделяют частицы, которые могут стать источником загрязнений при работе с пластинами и полупроводниковыми структурами.

Поэтому все больше фабрик переходят на карбид кремния (SiC), чья значительно более высокая твердость и устойчивость к плазме могут увеличить срок службы деталей в несколько раз. Ведущие фабрики сообщают о меньшем количестве незапланированных остановок и более низкой стоимости владения, поскольку детали из SiC намного реже требуют замены.

Еще более твердые материалы, такие как карбид бора (B₄C), находятся на стадии оценки; они могут демонстрировать ещё более продолжительный срок службы, но работа с ними сопряжена со сложностями механической обработки, более высокой стоимостью и потенциальными проблемами с загрязняющими частицами, которые необходимо решить перед широким внедрением.

Общий тренд очевиден: переход от кремния к передовым карбидным керамикам становится необходимым условием для поддержания работы оборудования для плазменного травления следующего поколения на пиковой производительности.

по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги новые материалы карбид кремния SiC карбид бора B₄C B4C тренды аналитика производство полупроводников микроэлектроника PwC Semiconductor and Beyond

--