MForum.ru
18.01.2026,
Резкий рост спроса на обучение и вывод моделей генеративного ИИ превратил память с высокой пропускной способностью в критически важный компонент современных серверов центров обработки данных (ЦОД). Производительность CPU, GPU и ускорителей продолжает расти, но, если подключенная память не может обеспечивать достаточно быструю подачу данных, она становится узким местом, ограничивающим возможности системы.
Память HBM решает эту проблему, позволяя разместить несколько кристаллов DRAM непосредственно на кристалле базовой логики, соединив эти кристаллы переходными отверстиями (TSV) и размещая затем стек памяти на кремниевом интерпозере в непосредственной близости с вычислительным чипом. Такая 3D-интеграция обеспечивает пропускную способность в терабайты в секунду при очень малых размерах, что делает HBM критически важной для создания энергоемких систем ИИ и высокопроизводительных вычислений.
Многие поставщики спешат увеличить производственные мощности по выпуску HBM, но дефицит этого вида памяти все еще может возникать.
Во-первых, спрос на HBM может превзойти даже самые оптимистичные прогнозы, а 18-24-месячный срок поставки новых линий TSV оставляет мало места для быстрых решений.
Во-вторых, цепочка поставок сильна настолько, насколько сильно её самое слабое звено: ограниченная доступность, например, кремниевых интерпозеров, или возможностей по созданию современных контактных площадок, или специализированных базовых логических кристаллов, могут ограничивать общий объем производства HBM.
Пока инфраструктура упаковки не будет масштабироваться параллельно с началом производства DRAM, дефицит памяти HBM и, соответственно, премиальные цены на нее, вероятно, сохранятся.
по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond
((RUSmicro: Основные участники рынка HBM на сегодня – корейские SK Hynix и Samsung, но также можно отметить соответствующие активности американской Micron. В Китае также занимаются темой HBM, но пока что сохраняется технологическое отставание китайских производителей в этой области от Топ-3 производителей)).
На картинке PwC показаны оценки и прогнозы рынка HBM и рост проникновения HBM в общем объеме выпуска DRAM. Как видим, ожидается стабильно интенсивный рост рынка памяти со среднегодовыми темпами в 27.8%, причем к концу двадцатых годов доля HBM может достичь 40%.
--
За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте
теги: память HBM микроэлектроника оценки и прогнозы аналитика PwC Semiconductor and Beyond 2026
--
Публикации по теме:
09.02.2026. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники
31.01.2026. Основные технологические инновации после 2030 года
31.01.2026. Межсоединения следующего поколения - на основе рутения
31.01.2026. Новые материалы позволят создавать лучшие чипы
28.01.2026. Чем лучше материалы, тем эффективнее и надежнее микросхемы
27.01.2026. Инновации в области методов упаковки 3D-чипов
26.01.2026. Спрос и предложение на EUV-литографию
25.01.2026. Азия продолжает формировать основную долю в расходах на оборудование для производства полупроводников
25.01.2026. Оборудование, технологии и материалы - ключевые проблемы глазами аналитиков PwC
23.01.2026. Тестирование пластин — ключ к повышению выхода годных изделий
22.01.2026. Повышение эффективности производства микросхем за счет гибкой гетерогенной интеграции
21.01.2026. Курс на более короткие межсоединения ради повышения эффективности
20.01.2026. Ставка на бэкэнд-процессы
19.01.2026. Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования
19.01.2026. Упаковка и тестирование. Тренды
18.01.2026. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы
18.01.2026. Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост
18.01.2026. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент
17.01.2026. Глобальные сдвиги в сфере производства памяти сохранят лидерство Азии
10.07. SpaceX Gen3 - все более грандиозная программа
10.07. Корпоративные сети бизнеса в 2026 году - аналитический обзор
10.07. Fab2 – фаб фабов или как гаражный проект стал бизнесом, востребованным в отрасли
10.07. Micron увеличивает заявленные инвестиции в США до $250 млрд
09.07. МТС установил систему видеонаблюдения в ЖК в центре Благовещенска
08.07. SpaceX запустила первый в мире коммерческий спутник с бета-вольтаическим источником энергии
08.07. Yadro объявляет о начале приема на совместные программы с МФТИ, ИТМО, МИЭТ и ВШЭ
08.07. Мошенники продолжают звонить – 26% от нежелательных вызовов приходятся на 5 регионов
08.07. МегаФон расширил сеть в Новоаннинском районе Волгоградской области
08.07. Билайн запустил новые БС 4G в пригороде Самары и в селах области
07.07. МегаФон объединил программных роботов на единой платформе Zephyr
07.07. Минцифры собирается решить проблему доступа к земельным участкам «по-китайски»
07.07. Элемент будет готовить кадры по микроэлектронике во Вьетнаме
10.07. Realme Narzo 100x 5G с батареей 8000 мАч и 144 Гц-дисплей представят 15 июля
10.07. HMD Arc 2 - бюджетник с улучшенным процессором и минимальными изменениями
10.07. Redmi Note 17 Pro – 9000 мАч, 5-летняя защита аккумулятора и бесплатная замена батареи
09.07. Появились первые слухи о Vivo V80 – дисплей 144 Гц, батарея 7200 мАч и перископная камера
09.07. Характеристики iQOO Z11 для Индии будут отличаться от глобальной версии
08.07. Nothing Ear (3a) – бюджетные наушники с записью разговоров и 42 часами автономност
08.07. Nothing Phone (4b) – доступный смартфон с большой батареей и фирменным дизайном
08.07. Honor Robot Phone может выйти в августе 2026 года
07.07. Vivo Y500 дебютировал на глобальном рынке с батареей 8100 мАч
07.07. Moto G77 Power официально представлен перед релизом 8 июля
07.07. Раскрыты ключевые характеристики Vivo X300e – АКБ 7100 мАч, перископный зум и плоский экран
06.07. Samsung Galaxy Jump 5 – операторский аппарат на базе Galaxy A27 5G
06.07. Vivo Pad 5c – доступный планшет с 144 Гц, Snapdragon 8s Gen 3 и батареей 10 000 мАч
03.07. Huawei Band 11, Band 11 Metal и Band 11 Pro – доступные фитнес-браслеты с AMOLED-экранами и GNS
03.07. Данные о Samsung Galaxy A18 показали обновление стратегии и отказ от Exynos
02.07. Redmi K90 Ultra получил Snapdragon 8 Elite, активное охлаждение и батарею 8550 мАч
02.07. Nothing Phone (4b) – дата анонса, ключевые характеристики и дизайн
01.07. Ключевые характеристики Samsung Galaxy Z Fold8 раскрыты до анонса
01.07. OnePlus N6 дебютировал в Индии: 8000 мАч, Dimensity 6360 Max и цена от $243
01.07. В iPhone 2027 экраны останутся прежними — 60 Гц у iPhone 18e и 120 Гц у остальных