Микроэлектроника: Архитектура транзисторов следующего поколения

MForum.ru

Микроэлектроника: Архитектура транзисторов следующего поколения

17.01.2026, MForum.ru


По мере того, как производители микросхем переходят на техпроцессы ниже 5 нм, каждое последующее поколение техпроцессов требует больше исследований и разработок, инвестиций и времени.

На картинке из отчета PwC показана эволюция основных архитектур транзисторов в привязке к техпроцессу/плотности размещения
На картинке из отчета PwC показана эволюция основных архитектур транзисторов
в привязке к техпроцессу/плотности размещения

 

Транзисторы FinFET сейчас близки к пределам масштабируемости, поэтому лидеры отрасли переходят к устройствам с затвором, охватывающим всю поверхность (GAA - gate all around / с круговым затвором), на нанолистах, выпускаемых по техпроцессам, обеспечивающим плотность размещения 3 нм и 2 нм.

Дальнейшее уменьшение размеров вероятно потребует использования новых архитектур устройств для подавления эффектов короткого канала, паразитного сопротивления и квантового туннелирования.

Сейчас рассматриваются 2 ведущих кандидата: комплементарные полевые транзисторы (CFET) и Forksheet.

CFET — это архитектура транзисторов следующего поколения, которая обещает более высокую плотность интеграции и дальнейший рост производительности. Intel, Samsung и TSMC активно исследуют CFET, и хотя сроки коммерциализации различаются в зависимости от компании, рынок ожидает, что первичная коммерциализация устройств на этой архитектуре может прийтись на начало 30-х годов, если получиться создать необходимые производственные процессы и добиться снижения производственных затрат «на пластину» (обеспечить достаточный «выход годных»).

Между сегодняшним GAA и полноценным стеком CFET лежит концепция Forksheet, которая вводит диэлектрическую «вилку» для изоляции соседних стеков нанолистов и еще большего уменьшения шага затвора. Некоторые исследовательские консорциумы рассматривают Forksheet как разумный переходный этап, другие намерены перескочить через него, сосредоточив ресурсы сразу на CFET.

💎 Какой бы путь ни возобладал, эра пост-2-нм будет зависеть от масштабных инвестиций, новых материалов и передовой 3D-интеграции (упаковки). Гонка за уменьшением узлов вероятно будет ожесточенной и, безусловно, продолжит менять ландшафт полупроводниковой промышленности.

по материалам отчета PwC Semiconductor and Beyond

--

За новостями наземного и спутникового телекома удобно следить в телеграм-канале abloud62. Региональные новости телекома, новости искусственного интеллекта и ЦОД вы найдете в канале abloudRealTime, новости микроэлектроники можно найти в моем канале RUSmicro, также подключайтесь к каналу Бойко про телеком ВКонтакте

теги: аналитика архитектура транзисторов архитектура узлов микроэлектроника оценки и прогнозы PwC Semiconductor and Beyond 2026

-- 

© Алексей Бойко, MForum.ru


Публикации по теме:

09.02.2026. Интерфейс «мозг-компьютер» (ИМК) и влияние этого сегмента на рынок микроэлектроники

08.02.2026. Ожидается, что квантовые вычисления станут ключевой технологией следующего поколения для решения сложных задач будущего

31.01.2026. Основные технологические инновации после 2030 года

31.01.2026. Межсоединения следующего поколения - на основе рутения

31.01.2026. Новые материалы позволят создавать лучшие чипы

28.01.2026. Чем лучше материалы, тем эффективнее и надежнее микросхемы

27.01.2026. Инновации в области методов упаковки 3D-чипов

26.01.2026. Спрос и предложение на EUV-литографию

25.01.2026. Азия продолжает формировать основную долю в расходах на оборудование для производства полупроводников

25.01.2026. Оборудование, технологии и материалы - ключевые проблемы глазами аналитиков PwC

23.01.2026. Тестирование пластин — ключ к повышению выхода годных изделий

22.01.2026. Повышение эффективности производства микросхем за счет гибкой гетерогенной интеграции

21.01.2026. Курс на более короткие межсоединения ради повышения эффективности

20.01.2026. Ставка на бэкэнд-процессы

19.01.2026. Back-end стадия производства полупроводников – расширяя пределы совершенствования

19.01.2026. Упаковка и тестирование. Тренды

18.01.2026. Эволюция силовых полупроводников. Широкозонные материалы

18.01.2026. Производство DAO. Медленный, но устойчивый рост

18.01.2026. Изменения на рынке DAO - большие пластины, более широкий ассортимент

18.01.2026. Рост спрос на системы ИИ формирует рост спроса и на HBM



Поиск по сайту:


Колонка редактора

14.10. «Пилар» нарастил количество башен почти до 39 тысяч

14.10. Teradyne и Bright Machines готовят микрофабрики и ускоренное развитие инфраструктуры для ИИ

14.10. Билайн продолжает наращивать покрытие сетей 4G/LTE в Мордовии

14.10. МТС включила 5G на территории спорткомплекса «Лужники»

13.10. Калининградская ЦТС поставила первые 50 тысяч российских периферийных плат для принтеров и МФУ «Катюша»

13.10. МТС запустила сеть 5G на частотах LTE в Сочи

13.10. МТС запустила сеть pLTE на месторождении в ДВФО

13.10. Региональным операторам предложили руку помощи или кабальную сделку?

13.10. Существующим микросхемам дали переходный период до 2031 года

12.10. Siemens и TSMC научили ИИ-агента исправлять ошибки в проектировании чипов

12.10. SpaceX приобрела частоты 800 МГц

12.10. МегаФон сообщает об ускорении передачи данных в сети мобильной связи в Грозном

12.10. Дагестанский бизнес стал чаще копировать свои данные в облака

10.10. TrendForce: цены на HBM-память вырастут в 2.2 раза к 2027 году

10.10. Новый подводный маршрут Тайвань-Гонконг снизит риски сбоев и поможет удовлетворить спрос на работу с ИИ

Все статьи >>


Новости

14.10. OnePlus переходит на ColorOS 17: график обновления для всех устройств

14.10. Apple представила HomeView – умный домашний хаб с 7-дюймовым экраном и новым Siri

14.10. Samsung вновь подняла цены на Galaxy A27, M47 и F70 Pro в Индии

14.10. iQOO Neo12 получит 2K-экран 185 Гц и активное охлаждение

13.10. Смартфоны HONOR X9e Pro провели 9 суток на вершине Эльбруса

13.10. Honor Win 2 и Win 2 RT с активным охлаждением и чипом Snapdragon 8 Elite Gen 6 выйдут 21 октября

13.10. OnePlus 16 с АКБ 9000 мАч, камерой 200 МП и Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 представлен в Китае

12.10. Samsung Galaxy S27 Pro и Ultra могут получить DC-димминг впервые в истории линейки

12.10. iQOO Pad Pro раскрыт до анонса – 8.8", Snapdragon 8 Elite Gen 5 и активное охлаждение

12.10. Новые утечки раскрыли подробности о характеристиках и дизайне HMD Pulse 2T Pro

09.10. Vivo Y600s Pro оснащен батареей 10 200 мАч и AMOLED-экраном 120 Гц

09.10. Samsung Galaxy F70 засветился в Google Play Console – возможный ребрендинг Galaxy A17

09.10. Oppo K14 Plus 5G с АКБ 8000 мАч поступил в продажу в Индии

08.10. Vivo Y32 с батареей 8000 мАч и защитой IP69 представлен в Бангладеш

08.10. Honor Play20C – бюджетник с экраном на задней панели

07.10. Vivo S2 FE с батареей 10 000 мАч и Dimensity 7300e представлен в Индии

07.10. Vivo V80 с АКБ 7200 мАч, камерами Zeiss и Snapdragon 7 Gen 4 представлен в Индии

07.10. HMD Slate Tab 5G раскрыт в рендерах – экран 10.6" с частотой 90 Гц и батарея 9250 мАч

06.10. Oppo K15s и K15x представлены в Китае – новые имена для знакомого железа

06.10. Realme P4s Lite с батареей 7000 мАч представлен в Индии с ценой 16 499 рупий